中國研究團(tuán)隊(duì)再登《Science》：二維半導(dǎo)體量產(chǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵跨越

【環(huán)球網(wǎng)科技綜合報(bào)道】2月5日消息，由極鉬芯科技聯(lián)合南京大學(xué)在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域近日取得重大技術(shù)突破，相關(guān)成果再度登上國際頂級學(xué)術(shù)期刊《Science》。這是雙方三個月內(nèi)第二次斬獲該領(lǐng)域頂尖學(xué)術(shù)認(rèn)可，標(biāo)志著我國成功攻克二維半導(dǎo)體量產(chǎn)化的生長動力學(xué)調(diào)控瓶頸，實(shí)現(xiàn)了從"單晶制備"到"可量產(chǎn)化"的關(guān)鍵跨越，為打通實(shí)驗(yàn)室技術(shù)到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的核心環(huán)節(jié)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

此次突破聚焦產(chǎn)業(yè)化工藝核心難題，研發(fā)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地推出定制化Oxy-MOCVD 200 ultra設(shè)備，構(gòu)建"氧輔助預(yù)反應(yīng)動力學(xué)調(diào)控"與"無氫低碳硫源輸運(yùn)"雙系統(tǒng)，從源頭重構(gòu)生長環(huán)境，徹底破解了二維半導(dǎo)體晶疇尺寸小、生長速率低、碳污染等量產(chǎn)關(guān)鍵瓶頸。這一技術(shù)升級實(shí)現(xiàn)了從"實(shí)現(xiàn)生長"到"優(yōu)化生長"的戰(zhàn)略升維，此前雙方已于2025年10月突破襯底工程，成功實(shí)現(xiàn)6英寸單晶普適制備。

兩項(xiàng)核心突破共同構(gòu)建起自主可控的完整產(chǎn)業(yè)化技術(shù)閉環(huán)，形成驅(qū)動二維半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的"雙引擎"。在裝備自主化方面，此次采用的Oxy-MOCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)100%國產(chǎn)化，驗(yàn)證了我國高端半導(dǎo)體裝備從"自主可用"向"引領(lǐng)定制"的跨越式發(fā)展；在技術(shù)應(yīng)用方面，經(jīng)調(diào)控后的二維半導(dǎo)體材料在均勻性、純度及電學(xué)性能上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的提升，可無縫對接下一代埃米級芯片、柔性顯示等高需求場景，將大幅縮短材料到芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

在全球競逐后摩爾時代技術(shù)制高點(diǎn)的背景下，該成果彰顯了中國在前沿科技領(lǐng)域的全鏈條創(chuàng)新實(shí)力。研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過"工藝與設(shè)備深度協(xié)同"的原創(chuàng)模式，完成了從原理創(chuàng)新、技術(shù)實(shí)現(xiàn)到裝備定義的全鏈條突破，印證了我國在二維半導(dǎo)體材料和設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的引領(lǐng)地位。（純鈞）