國產HBM重大突破！合肥聯盟攻克2.5D封裝核心技術，2026年底試產

2026年2月23日，合肥HBM聯盟傳來重磅進展：由國內存儲、封測、設備、接口芯片龍頭企業聯合組建的產業聯合體，正式攻克HBM2.5D封裝全鏈條關鍵技術，標志著國產高端AI存儲芯片進入規模化前夜。

一、聯盟構成：全產業鏈協同攻堅

本次突破并非單一企業成果，而是國產HBM生態的集體突圍。合肥HBM聯盟成員涵蓋：

- 存儲芯片：長鑫存儲

- 先進封測：深科技、盛合晶微

- 核心設備：北方華創、中微公司

- 接口控制：瀾起科技

聯盟目標直指打破三星、SK海力士在高端HBM領域的雙寡頭壟斷，補齊國產AI算力最后一塊短板。

二、核心突破：2.5D封裝關鍵技術全面攻克

HBM的最大難點在于高密度堆疊與先進封裝，本次聯盟實現多項關鍵指標達標：

- TSV硅通孔技術：精度≤5μm，良率穩定95%以上

- 12英寸硅中介層：線寬/線距≤2μm，支持8層DRAM堆疊

- 10μm級微凸塊：鍵合強度、熱穩定性達到國際標準

- 專用熱管理方案：滿足AI高帶寬場景下長期穩定運行

目前，國產封裝設備替代率已超70%，封測基地月產能達8萬片以上，具備快速上量條件。

三、HBM2產品規格與量產時間表

產品核心參數

- 產品類型：HBM2

- 堆疊層數：8層

- 單顆容量：4GB/8GB

- 單顆帶寬：256GB/s

- 核心工藝：長鑫1αnm DRAM

量產節奏

- 2026年Q1：完成工程樣片，通過國內AI芯片廠商驗證

- 2026年底：小批量試產，月產能5000–10000片

- 2027年Q2：規模量產，正式進入高端AI服務器供應鏈

- 2027年下半年：同步啟動HBM3研發

四、戰略意義：國產AI算力不再“卡脖子”

此次突破意味著：

1. 填補高端AI存儲空白，實現從0到1的關鍵跨越

2. 成本大幅下降，量產后預計比進口產品低30%–40%

3. 支撐國產GPU/AI芯片生態，形成“芯片+HBM+封裝”完整自主產業鏈

4. 緩解全球HBM供應緊張，為中國AI算力基建提供穩定保障

隨著2026年底試產啟動，國產HBM將正式進入全球AI存儲賽場。