廣東
2026年3月4日，高性能內存接口芯片和硅知識產權（半導體IP）大廠Rambus宣布推出業界領先的HBM4E內存控制器IP，進一步擴大其在HBM IP市場的領導地位。這一新解決方案通過先進的可靠性功能實現了突破性性能，使設計師能夠應對下一代AI加速器和圖形處理器（GPU）對內存帶寬要求極高的需求。
Rambus硅知識產權高級副總裁兼總經理Simon Blake-Wilson表示：“鑒于AI對帶寬的無盡需求，內存生態系統必須持續積極提升內存性能。”“作為AI應用領域的領先硅片IP供應商，我們正在將行業領先的HBM4E控制器IP解決方案推向市場，作為下一代AI處理器和加速器突破性性能的關鍵推動力。”
三星電子代工廠IP開發團隊負責人兼企業副總裁Ben Rhew表示：“HBM4E代表HBM技術的一個重要里程碑，為先進的人工智能和高性能計算工作負載帶來了前所未有的性能。”“HBM4E 知識產權解決方案對于廣泛的行業采用至關重要，三星期待與 Rambus 及更廣泛的生態系統緊密合作，推動人工智能創新。”
MatX聯合創始人兼首席執行官Reiner Pope表示：“HBM帶寬是LLM性能的主要瓶頸之一，我們對行業內推動這一目標的努力感到興奮。”
IDC內存半導體項目副總裁So Kyoum Kim表示：“AI處理器和加速器需要高性能、高密度的HBM內存，以應對AI工作負載的龐大計算需求。”“隨著AI處理器和加速器的需求持續快速增長，HBM解決方案必須迅速發展。HBM4E 知識產權現在進入市場，將成為前沿人工智能硬件設計師的重要基石。”
Rambus HBM4E 控制器 IP 特性：
Rambus HBM4E 控制器支持新一代 HBM 內存部署，應用于尖端 AI 加速器、圖形和高性能計算應用。HBM4E控制器支持每引腳最高16吉比特/秒（Gbps）的運行，為每個內存設備提供前所未有的4.1 TB/s吞吐量。對于一個擁有八個HBM4E設備的AI加速器來說，這意味著下一代AI工作負載擁有超過32TB/s的內存帶寬。Rambus HBM4E 控制器 IP 可與第三方標準或 TSV PHY 解決方案配合，作為 AI SoC 或定制基礎芯片解決方案的一部分，實現完整的 HBM4E 內存子系統，集成為 2.5D 或 3D 封裝。
編輯：芯智訊-浪客劍
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