荷蘭一位資深半導體技術專家流露出復雜神情——ASML自上世紀起步,埋頭深耕光刻設備領域,整整堅守四十年,才將光刻機錘煉成如今這般高精尖、高門檻、高溢價的工業皇冠明珠。
可當他抬眼望向東方,驚訝地發現:不僅有上海微電子這類專注裝備研發的企業持續攻堅,連原本深耕通信基建與智能終端的華為,也毅然扎進光刻機這一“硬科技深水區”,組建跨學科團隊,搭建全鏈條驗證平臺,甚至親自拆解進口設備開展逆向工程。
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面對中國力量的全面突進,他坦言內心既生出一絲欽佩,又泛起陣陣緊迫感,并坦率指出:中國企業投入之堅決、節奏之迅猛、布局之系統,已悄然超越ASML當年破局時的戰略強度。
為何中企敢于主動迎向這條公認最陡峭、最耗時、最燒錢的技術險峰?
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越來越卷的光刻機
光刻機的發展軌跡,始終交織著“先發者傲慢”與“后發者逆襲”的雙重變奏。
20世紀60年代,美國軍方主導集成電路早期發展,GCA、珀金埃爾默等企業憑借穩定軍購訂單,在光刻設備與晶體管市場占據絕對主導地位,產品不愁銷路,技術迭代節奏緩慢。
正因市場太順,創新動力漸弱。
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美系廠商將光刻機視作科研重器而非產線剛需,對客戶交付周期、響應速度、現場支持幾近漠視;設備一旦故障,工程師排期動輒數周,產線停工亦被視為“正常損耗”。
這恰恰為日本企業撬動市場提供了歷史性支點。
1970年代末,日本通產省啟動“超大規模集成電路(VLSI)計劃”,把原本以光學鏡頭見長的尼康、佳能推至產業前臺。
尼康直接拆解GCA整機進行深度解析,于1980年前后推出NSR?1010G型號,不僅關鍵指標比肩國際水平,更以極致服務重塑行業標準:客戶工廠報修,工程師即刻進駐車間,吃住在產線旁,全程盯調直至恢復運行。
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待美國廠商驚覺局勢變化時,其苦心構筑的技術護城河,早已被這群“帶著相機鏡頭闖入芯片戰場”的日本新銳悄然攻破。
而彼時,在阿姆斯特丹郊外幾間簡陋活動板房里艱難起步的ASML,剛從飛利浦剝離不久,被母公司視為缺乏商業價值的邊緣項目,技術路線模糊、量產能力薄弱、市場存在感極低。
真正扭轉頹勢的,是PAS系列光刻機搭載的晶圓精密對準技術——這項被業內稱為“穩如磐石”的核心能力,讓ASML首次獲得臺積電、英特爾等一線代工廠的正式入場券。
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決定性躍遷發生在2000年前后:臺積電提出浸潤式光刻構想,當時行業龍頭尼康評估風險過高選擇觀望,ASML卻果斷押注,與臺積電結成緊密聯合開發體。
此后十余年,它系統整合德國蔡司鏡頭、日本零部件供應鏈、美國EDA工具與專利授權,最終在極紫外(EUV)光刻領域實現一錘定音——全球7納米及以下先進制程產線,幾乎全部依賴ASML獨家供應,交付周期動輒兩年起。
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同一時期,中國產業界仍普遍信奉“資本換技術”的路徑依賴邏輯。
中芯國際等晶圓廠關注焦點集中于采購預算與交付節點,只要能如期拿到最新一代設備,便默認光刻機是“雖貴但可交易”的成熟工業品。
這種認知慣性,一直延續至2018年左右。
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華為下場、上海微電子頂上
2019年起,美國聯合荷蘭升級出口管制層級,光刻機身份驟然轉變——從“高價商品”升格為“戰略級管制物項”。
ASML最尖端的EUV系統被明確禁止輸華,中高端DUV機型亦被施加多重許可限制與使用審查。
對中國芯片制造體系而言,游戲規則一夜之間由“比參數、比報價”切換為“有沒有、能不能續命”。
表面看是外部施壓,實質卻激發了前所未有的自主攻堅意志:一邊加速掃貨全球二手設備填補產能缺口,一邊秘密重啟塵封多年的光刻機原理樣機研制計劃。
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就在此時,本該聚焦5G基站與折疊屏手機的華為,突然宣布成立光刻技術攻關專項組。
面向全球招募光學設計、超精密機械、真空系統、極紫外光源、運動控制算法等方向頂尖人才,同步建設千級潔凈實驗室、搭建小批量試產線,并啟動多臺進口設備的系統級拆解分析。
對華為而言,光刻機已非遙不可及的“外部黑箱”,而是關乎整個信息基礎設施安全的“命門級裝備”。
荷蘭科技觀察家馬克·海金克的判斷尤為精準:本輪中國投入的組織強度與資源密度,早已超越單個企業的ASML復刻模式,實則是以舉國體制推進的“超級工程”,目標直指將四十年演進歷程壓縮至八至十年內完成。
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明面上,是多家主體協同發力。
上海微電子持續推進SSA系列國產光刻機迭代,最新機型已具備支撐28納米節點量產的能力。
SiCarrier等新型研發團隊則在浸沒式液態填充精度、步進重復性、曝光能量均勻性等關鍵維度持續突破,逐步逼近ASML前代主力機型的實際性能邊界。
水面之下,一條覆蓋全棧環節的國產替代鏈正加速成形。
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從極紫外光源模組、高數值孔徑反射鏡、光刻膠涂布顯影系統,到納米級運動平臺、實時閉環控制系統、超高真空腔體結構,過去長期依賴日本、德國、美國進口的核心子系統,正被越來越多本土供應商逐項接棒。
當2024至2025年荷蘭政府在美國持續施壓下再度收緊光刻設備對華出口時,局面已然不同:物理意義上的“閘門”雖已關閉,但閘門之內,中國晶圓廠內部已跑通一套完整可用的國產技術方案。
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2026年ASML財報顯示,其在中國市場的營收占比顯著收窄,背后原因并非需求萎縮,而是大量產線已啟用“雙軌并行”策略——同工藝節點下,部分原裝ASML設備正被國產機型有序替換;新增擴產項目中,國產設備首次成為優先選項,進口設備退居輔助備份角色。
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8年追40年
截至2026年,這場關于“光刻技術主權歸屬”的競速賽,已清晰邁入戰略相持階段。
中芯國際近兩年量產的14納米至7納米增強型工藝,已可穩定支撐AI訓練芯片、云端服務器處理器等高性能負載,整體性能指標基本對標國際主流廠商兩年前的量產水平。
至于最前沿的EUV光刻環節,確實仍存明顯差距。
極紫外光源輸出功率穩定性、多層膜反射鏡鍍膜良率、掩模版缺陷在線檢測精度……每一項都是數十年工程經驗沉淀的結晶。
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但2025年中國在EUV光源模塊取得的關鍵進展,已使“2028–2030年實現先進制程EUV光刻全流程國產化量產”的目標,從愿景正式進入工程可行性論證階段。
換言之,業界討論重心正從“能否造出來”,轉向“何時形成規模效應、單位成本能否壓至市場接受區間”。
反觀ASML自身,隨著對華出貨持續收縮,其營收結構愈發集中于少數頭部客戶,抗周期波動能力明顯下降。
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更具挑戰性的是,其賴以維系壟斷地位的“技術黑箱”正被系統性打開——當對手以全鏈條自主可控為前提,以海量試錯為代價加速補課,任何單一專利壁壘都難以再構成不可逾越的封鎖線。
一旦“神秘黑盒”褪去光環,它便自然降維為“性能更優、服務更貴的一種工業解決方案”。
對全球半導體生態而言,這意味著產業底層邏輯正從“單極依賴”轉向“多中心協同、多路徑共存”的新格局。
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對ASML而言,真正刺痛的并非短期營收下滑幾個百分點,而是驀然回首時驚覺:那個曾被定義為“最大下游采購國”的追趕者,已悄然完成從遠距離尾隨、到同頻并肩、再到局部技術反超的三重跨越。
未來擺在它面前的,不再是“是否向中國出售某臺設備”的戰術抉擇,而是在一個定價權分散、技術路線多元、客戶議價能力提升的新世界中,重新錨定自身核心技術價值與服務體系定位。
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