磷化銦：光模塊上游核心材料

磷化銦（InP）作為第二代化合物半導體材料的核心代表，其投資價值正隨著全球AI算力軍備競賽而經(jīng)歷根本性重估。

當前，以AI數(shù)據(jù)中心為核心的新需求范式，正推動行業(yè)進入前所未有的高景氣周期。為滿足GPU集群間海量數(shù)據(jù)交換，光模塊正從800G向1.6T、3.2T迭代。

磷化銦因其高電子遷移率、直接帶隙、發(fā)光波長與光纖低損耗窗口匹配等獨特物理特性，成為制造高速率、長距離光模塊中核心激光器（如EML、CW Laser）和探測器芯片的“基石材料”和“剛需心臟”，暫無成熟短期替代路徑。

根據(jù)Yole預測，2026年全球磷化銦襯底（折合二英寸）市場規(guī)模將達到2.02億美元，2019-2026年復合增長率為12.42%；銷量預計為128.19萬片，同期復合增長率為14.40%。這標志著行業(yè)已從平穩(wěn)增長進入爆發(fā)式增長通道。

磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)出典型的“上游資源集中、中游制造高壁壘、下游需求爆發(fā)”的特征，利潤分配正向上游材料和中游芯片制造環(huán)節(jié)傾斜。

1. 上游：高純銦供應(yīng)集中，地緣政治因素凸顯

上游核心原材料為高純銦。銦是伴生金屬，全球儲量有限。

中國是高純銦的主要生產(chǎn)國，市場呈現(xiàn)高度集中的“一超多強”格局。

2024年，株洲科能市場份額高達49%，北京通美占25%，兩者合計占據(jù)74%的市場份額。

上游的強議價能力和供應(yīng)不確定性，是傳導至中游襯底環(huán)節(jié)緊張的重要原因。

2. 中游：襯底制造雙寡頭壟斷，技術(shù)壁壘極高

磷化銦單晶襯底的制備是產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)壁壘最高的環(huán)節(jié)之一，涉及VGF、VB、LEC等復雜晶體生長工藝，存在磷的高蒸氣壓控制、熱應(yīng)力控制、大尺寸單晶制備等難題。

極高的技術(shù)壁壘和漫長的擴產(chǎn)認證周期（通常2-3年），使得供給彈性極弱，無法快速響應(yīng)下游需求爆發(fā)。

3. 下游：光通信需求主導，AI算力驅(qū)動呈現(xiàn)“硬缺口”

下游應(yīng)用以光通信為核心，并擴展至傳感器、射頻器件等領(lǐng)域。

當前最大變量是AI算力需求。機構(gòu)測算，2026年全球1.6T光模塊存在約1000萬只的缺口，核心瓶頸在于高端EML和CW光芯片產(chǎn)能缺口高達25%-30%，且海外高端產(chǎn)能已被鎖定至2028年。

下游光模塊廠商對芯片供應(yīng)穩(wěn)定性的需求，已超越對襯底價格的敏感度，這為上游襯底和中游芯片環(huán)節(jié)提供了強大的議價能力和利潤空間。

當前供需的極度緊張和地緣政治因素，為國內(nèi)磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)創(chuàng)造了歷史性的國產(chǎn)替代與份額提升窗口。

國際供給受限，國內(nèi)產(chǎn)能加速擴張。

海外龍頭住友受原材料限制擴產(chǎn)受阻，而國內(nèi)襯底廠商如北京通美、云南鑫耀（云南鍺業(yè)控股）不受此約束，正積極擴產(chǎn)。

云南鑫耀已計劃投資近1.9億元擴建年產(chǎn)30萬片（折合4英寸）生產(chǎn)線；廣東先導集團也規(guī)劃年產(chǎn)40噸InP晶體。

國產(chǎn)襯底已實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，性能獲認可。

國內(nèi)芯片廠商的磷化銦襯底采購已主要來自北京通美和云南鑫耀。

這表明國產(chǎn)襯底的綜合性能已符合商業(yè)化標準，并憑借穩(wěn)定的原材料供應(yīng)和靈活的擴產(chǎn)能力，成為保障國內(nèi)光芯片供應(yīng)鏈安全的中堅力量。

技術(shù)迭代下的長期共存。

需要關(guān)注硅光（SiPh）等替代技術(shù)路線的發(fā)展。硅光在集成度、成本和大規(guī)模制造方面有優(yōu)勢，預計在200G/400G及以上速率模塊中滲透率將提升。

然而，磷化銦在高速發(fā)光性能上不可替代，長期看將是磷化銦、硅光、薄膜鈮酸鋰（TFLN）等多種技術(shù)共存的格局，且每個賽道增長都很快。

這意味著磷化銦的需求基本盤穩(wěn)固，而非面臨被完全替代的風險。

國產(chǎn)廠商持續(xù)推進布局，緊抓InP襯底市場高景氣機遇。

云南鍺業(yè)(002428.SZ)：控股子公司云南鑫耀實施“高品質(zhì)磷化銦單晶片建設(shè)項目”，項目計劃總投資近1.9億元，由云南鑫耀在現(xiàn)有產(chǎn)能基礎(chǔ)上擴建一條年產(chǎn)30萬片（折合4英寸計算，其中包括6000片6英寸）高品質(zhì)磷化銦單晶片生產(chǎn)線，最終達到年產(chǎn)45萬片（折合4英寸）高品質(zhì)磷化銦單晶片的產(chǎn)能。

根據(jù)訊石光通訊此前于2025年8月的報道，九峰山實驗室在成功開發(fā)出6英寸InP基PIN結(jié)構(gòu)探測器和FP結(jié)構(gòu)激光器的外延生長工藝，此次技術(shù)突破中6英寸InP襯底合作方云南鑫耀的6英寸高品質(zhì)InP單晶片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)已實現(xiàn)突破，量產(chǎn)在即。

博杰股份(002975.SZ)：參股的珠海鼎泰芯源致力于以InP、GaSb為主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶及襯底材料的國產(chǎn)化事業(yè)；由于下游光模塊需求增長，InP襯底需求量相應(yīng)增長，珠海鼎泰芯源正積極擴產(chǎn)中。

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