基礎電路術語
1. VCC/VDD - 電源正極電壓
VCC:雙極型晶體管電路的正電源
VDD:CMOS電路的正電源
實際應用中常混用,都指正電源
2. GND (Ground) - 地/接地
電路的參考零電位點
分為數字地(DGND)和模擬地(AGND)
3. Pull-up/Pull-down - 上拉/下拉電阻
上拉:將信號拉至高電平,防止懸空
下拉:將信號拉至低電平
典型值:1kΩ~10kΩ
4. Bypass Capacitor - 旁路電容
濾除電源噪聲,提供瞬態電流
通常使用0.1μF陶瓷電容
要盡量靠近IC電源引腳放置
5. Decoupling - 去耦
防止電路間通過電源線相互干擾
常用去耦電容組合:0.1μF + 10μF
6. Impedance - 阻抗
交流電路中的總阻力
PCB常見特征阻抗:50Ω、75Ω、100Ω
7. Overshoot/Undershoot - 過沖/下沖
信號超過或低于穩態值的瞬態現象
可能損壞器件,需要適當終端匹配
8. Ringing - 振鈴
信號邊沿的阻尼振蕩
由阻抗不匹配引起
9. Crosstalk - 串擾
相鄰信號線之間的電磁耦合
高速信號設計的主要挑戰
10. Rise/Fall Time - 上升/下降時間
信號從10%到90%(或20%到80%)的轉換時間
決定信號帶寬和EMI特性
11. Via - 過孔
連接不同PCB層的導電孔
分類:通孔、盲孔、埋孔
12. Trace - 走線/布線
PCB上的導電路徑
寬度影響載流能力和阻抗
13. Footprint - 封裝/焊盤圖形
元器件在PCB上的物理輪廓
必須與實際器件匹配
14. Copper Pour - 鋪銅
大面積的銅箔區域
用于地平面、散熱、屏蔽
15. Clearance/Creepage - 間隙/爬電距離
安全絕緣距離要求
高壓電路設計的關鍵參數
16. LDO (Low Dropout Regulator) - 低壓差線性穩壓器
輸入輸出壓差小
效率較低但噪聲小
17. Buck/Boost - 降壓/升壓
Buck:降壓型DC-DC轉換器
Boost:升壓型DC-DC轉換器
效率高但有開關噪聲
18. Ripple - 紋波
直流電源中的交流成分
影響敏感電路性能
19. Load Regulation - 負載調整率
負載變化時輸出電壓的穩定性
優秀電源應<1%
20. Efficiency - 效率
輸出功率/輸入功率×100%
DC-DC通常>85%
21. UART - 通用異步收發器
最簡單的串行通信接口
只需TX、RX兩根線
22. I2C - 雙線串行總線
兩線:SCL(時鐘)、SDA(數據)
支持多主多從,速度100k~3.4MHz
23. SPI - 串行外設接口
四線:MOSI、MISO、SCK、CS
全雙工,速度可達幾十MHz
24. Differential Signaling - 差分信號
用兩根線傳輸互補信號
抗干擾能力強,如LVDS、USB
25. Termination - 終端匹配
消除信號反射的阻抗匹配
常見:串聯、并聯、戴維寧終端
26. Bandwidth - 帶寬
電路或儀器的頻率響應范圍
-3dB點定義的頻率范圍
27. SNR (Signal-to-Noise Ratio) - 信噪比
信號功率與噪聲功率之比
通常用dB表示
28. THD (Total Harmonic Distortion) - 總諧波失真
信號失真程度的度量
音頻應用中要求<1%
29. Jitter - 抖動
信號時序的不確定性
高速數字系統的關鍵參數
30. Probe - 探頭
測試儀器的信號采集裝置
注意探頭的帶寬和負載效應
31. ESD (Electrostatic Discharge) - 靜電放電
可瞬間損壞IC
人體模型(HBM)通常要求>2kV
32. Latch-up - 閂鎖
CMOS電路的寄生晶閘管導通
可能導致永久損壞
33. MTBF (Mean Time Between Failures) - 平均故障間隔時間
產品可靠性指標
工業級通常要求>10萬小時
34. Derating - 降額使用
低于額定值使用以提高可靠性
通常降額到70-80%
35. Thermal Resistance - 熱阻
熱傳導的阻力,單位°C/W
θJA:結到環境熱阻
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