北京
本文是Lam Research公司關于3D NAND存儲器技術的專業培訓文檔，系統性地闡述了從基礎結構到具體工藝模塊的全流程技術內容。
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3D NAND作為閃存技術的重要轉折點，其誕生源于2D NAND架構的物理限制。2D NAND面臨浮柵間電容耦合干擾、浮柵間距導致的Inter-Poly Dielectric物理限制以及單元電子數量減少等核心問題。
文檔重點分析了五大關鍵工藝模塊，每個模塊都配有詳細的技術要求與挑戰說明：
Mold Stack 部分詳細介紹了ONON（氧化物-氮化物-氧化物-氮化物）堆疊結構，108層堆疊技術中每層氧化物25nm、氮化物30nm的精密控制要求，強調厚度均勻性和應力管理的極端重要性。
Staircase 模塊展示了獨特的階梯刻蝕技術，通過多輪光刻膠修整和ON層刻蝕形成接觸平臺。
Memory Hole 章節深入探討了高深寬比刻蝕技術，6.1μm堆疊結構使用2.6μm碳硬掩模的工藝挑戰，包括孔洞扭曲、局部臨界尺寸均勻性控制等關鍵技術難點。
Replacement Gate 部分重點介紹了鎢/氮化鈦金屬化工藝，其中橫向金屬填充技術尤為關鍵，需要實現垂直和橫向特征的無空隙填充。
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