芯聯(lián)集成發(fā)布全新碳化硅技術(shù)平臺(tái) 覆蓋新能源和AI數(shù)據(jù)中心電源

繼SiC MOSFET在新能源汽車(chē)主驅(qū)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速上量應(yīng)用后，AI數(shù)據(jù)中心電源正成為其下一個(gè)爆發(fā)式增長(zhǎng)市場(chǎng)。

近日，芯聯(lián)集成（688469.SH）發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)，采用了8英寸更先進(jìn)制造技術(shù)，已達(dá)到全球領(lǐng)先水平。

該技術(shù)平臺(tái)通過(guò)器件結(jié)構(gòu)與工藝制程的雙重優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標(biāo)，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大核心應(yīng)用場(chǎng)景，可廣泛應(yīng)用新能源汽車(chē)主驅(qū)、車(chē)載電源及AI數(shù)據(jù)中心電源等廣闊市場(chǎng)。

在電驅(qū)領(lǐng)域，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電驅(qū)版憑借更低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異開(kāi)關(guān)軟度，功率密度提升20%，可顯著增強(qiáng)新能源汽車(chē)主驅(qū)系統(tǒng)動(dòng)力輸出與能效表現(xiàn)，為整車(chē)?yán)m(xù)航提升提供關(guān)鍵支撐。

電源場(chǎng)景中，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電源版針對(duì)性優(yōu)化寄生電容設(shè)計(jì)，通過(guò)封裝優(yōu)化強(qiáng)化散熱，開(kāi)關(guān)損耗降低高達(dá)30%，兼具強(qiáng)化的動(dòng)態(tài)可靠性設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)功率密度大幅提升，完美適配SST、HVDC等AI數(shù)據(jù)中心電源及車(chē)載OBC電源需求。

2024年，芯聯(lián)集成SiC MOSFET收入超10億元，今年預(yù)計(jì)仍將實(shí)現(xiàn)50%以上增長(zhǎng)。隨著AI數(shù)據(jù)中心電源需求的增加，明年公司預(yù)計(jì)在該領(lǐng)域?qū)?shí)現(xiàn)更快增速發(fā)展。

芯聯(lián)集成此次發(fā)布的全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)，核心參數(shù)及各類核心指標(biāo)均實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際主流廠商最先進(jìn)水平對(duì)標(biāo)，進(jìn)一步鞏固了自身技術(shù)領(lǐng)先地位。未來(lái)，該平臺(tái)將極大助力客戶把握新能源電氣化與AI算力建設(shè)雙重機(jī)遇，構(gòu)建領(lǐng)先的差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。