美國智庫：即使擁有EUV光刻機，中國大陸也難達到臺積電水平

美國科技戰略研究中心（CSST）近日發布的一份報告再次在全球半導體圈引發強烈爭議——即使中國大陸獲得最先進的EUV光刻機，也難以在短期內達到臺積電的先進制程水平。

這句話乍聽刺耳，卻并非完全虛構。報告指出，臺積電強大的領先優勢來自“長期累計的生產工藝數據庫”，包括數以百億計的晶體管排列方式、曝光參數、光學缺陷修正模型、機臺維護與校準數據等。這些數據經過 20 年以上累計，形成業內所謂的 Process Knowledge Base（工藝知識庫）。

換句話說：光刻機可以買，數據經驗買不到。這就是美國智庫口中“看不見的鴻溝”。但他們沒告訴你的是，雖然鴻溝存在，中國已經走上了一條不同的突破路線。

美國媒體喜歡簡單粗暴地把芯片制造概括為一句話：“誰有EUV，誰就能進 5nm、3nm?！?/p>

但這只是外行人的想象。

真實的半導體工業世界遠比這復雜得多——EUV 只占先進制程難度的約 20%，剩下 80% 分布于刻蝕、薄膜沉積、材料、量測、工藝驗證等千層難關中。

臺積電之所以能成為全球最強代工廠，是因為它掌握著完整的制程生態：全球設備基本以臺積電產線為標準進行適配、光刻、刻蝕、清洗、離子注入等環節高度耦合、上百家材料供應商專為其調整配方、工藝數據庫長期滾動優化，越生產越強、供應鏈穩定度全球第一。

美國智庫給出了一個關鍵數字：臺積電的工藝復現穩定度，是全球第二名的 1.7 倍。因此，美國報告得出的結論確實真實：即使把ASML全套EUV整機給到中國，短期想復刻臺積電的“復現率 + 經驗值”幾乎不可能。

但故事到這里還沒有結束。

近年來，中國大陸并沒有“執著地硬撞臺積電的路線”，而是選擇了多線推進：

成熟制程強勢崛起（中國的主場）：中芯國際、華虹集團的28nm與22nm工藝已經全面量產，覆蓋：車規級 MCU、電源管理芯片、5G 射頻前端、工控與網絡設備。根據 IC Insights 2024 年報告，中國在成熟制程領域的全球市占率已接近 30%，并在部分領域形成絕對優勢。

先進封裝并跑世界第一梯隊：中國廠商（長電、通富、華天）在 2.5D 與 3D 封裝產能上已進入全球前三，其中高端封裝的出貨量甚至超過了三星。這些技術意味著：不必做到 5nm，也能在AI、服務器、大算力應用中實現高性能系統集成。

DUV多重曝光實現7nm量產：2023–2024 年，國內通過浸沒式 DUV + 多重曝光，在 7nm 上實現實際出貨。雖然成本高、效率低，但它證明了一個最關鍵的問題：先進制程的基礎能力，中國確實“能跑通”。這些路線不是臺積電的路線，卻是中國在制裁壓力下創造出的“新解題方向”。

更具戲劇性的變化發生在制裁之后。2024–2025 年美國相繼推出三條關鍵禁令：1.禁止 300 億晶體管級芯片在臺積電、三星流片；2.禁止中國采購高帶寬內存（HBM）；3.限制16/14nm FinFET以下芯片必須在美國批準的封裝體系完成封裝。

本意是“卡死”中國先進制程，但結果卻是逼出了中國史上最強的產業協同：國產刻蝕機進入多個主流量產線、國產光刻設備逐步形成可復現體系、國產材料如光刻膠、靶材、電子特氣快速迭代、華為—中芯—華虹—上機及材料廠形成合成式攻關路線、國產 EDA 工具開始能覆蓋 40–28nm 全流程設計。

美國智庫在報告中承認：“中國第一次具備完整的芯片制造全產業鏈攻關能力。”這句話意味著——中國正從“單點突破”升級為“體系化突破”。

美國智庫說得沒錯：以臺積電路線衡量，中國短期無法追上 3nm、2nm 的成熟度。但它沒說的是：中國正在復制一個不同的產業體系，這套體系覆蓋成熟制程 + 封裝 + 先進工藝的全能力。中國的突破速度正在加快，不再依賴外部供應鏈，未來的成功不必是臺積電模式，而是中國模式。

EUV 能否買到不重要；重要的是，中國已經不再依賴它來定義未來。臺積電的優勢在歷史，中國的優勢在趨勢。這才是美國真正擔心的事。

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