半導體市場趨勢分析：終端需求、晶圓擴張與設備機遇

2025年，全球半導體存儲市場在AI浪潮驅動下進入新一輪上升周期，中國作為關鍵玩家，在NAND和DRAM領域加速擴產，以應對強勁的終端需求。

本文基于J.P. Morgan、Nomura、Jefferies及Morgan Stanley等機構的最新研究，從終端需求、晶圓產能擴張和設備需求三個維度，解析中國半導體存儲市場的趨勢與機遇。

【終端需求：AI服務器主導增長，消費電子承壓】

1. AI服 務器需求強勁，云服務商Capex加碼

• 云服務提供商（CSP）Capex持續(xù)高增 ：2024年全球Top 8 CSP的Capex同比增長56%，2025年預計進一步增長65%（圖1）。其中，中國廠商如阿里巴巴、騰訊的Capex增速達20-30%，直接拉動DRAM和HBM需求。

• 服務器出貨量增長 ：2025年全球服務器出貨量預計增長2%，2026年加速至11%（圖2）。AI服務器占比提升，推動高帶寬內存（HBM）和高速NAND需求。

• 2025年PC出貨量增長5.8% ，主因Windows 10終止支持帶來的換機需求。但2026年預計下降2.8%（圖3），因內存成本上漲（DRAM占BOM成本15-25%）推高零售價，抑制消費。

• 品牌分化 ：聯(lián)想受益于中國和日本市場增長，戴爾因聚焦AI服務器份額下滑。

• 2025年智能手機出貨量微增1.4% ，2026年預計下降1.7%。中國補貼政策退坡及內存成本上漲（低端機內存占BOM成本15%+）是主因。

• 蘋果iPhone需求穩(wěn)健 ：iPhone 17系列熱銷，但iPhone 18 Air可能因設計更改延遲發(fā)布。

【晶圓需求：中國廠商激進擴產，DRAM/NAND產能躍升】

為滿足AI驅動的高性能存儲需求，中國半導體公司正加速晶圓產能擴張。

1. DRAM產能：CXMT領跑，技術差距縮小

• 長江存儲（YMTC）和長鑫存儲（CXMT）是核心玩家 。CXMT的DRAM產能從2023年的85k wpm增至2025年的254k wpm，2027年預計達338k wpm（圖4）。其LPDDR5產品雖落后全球領先技術1.5-2代，但正快速追趕。

• 全球份額提升 ：中國廠商的DRAM產能份額從2023年的6%升至2027年的15%。

• YMTC憑借X-Stacking技術優(yōu)勢 ，在232層以上NAND領域逼近國際大廠。其產能從2023年的66k wpm增至2025年的136k wpm（圖5）。

• 競爭格局 ：YMTC在NAND領域比CXMT在DRAM領域更具競爭力，預計1年內可進入高端產品供應鏈。

• 2025-2026年中國內存廠商Capex達150-160億美元 ，主要用于新建晶圓廠（如YMTC的二期項目）。DRAM產能每增加10k wpm需投資11億美元，NAND需7.2億美元（表1）。

【設備需求：擴產帶動WFE市場增長，先進封裝成新焦點】

晶圓產能擴張直接推動晶圓廠設備（WFE）需求，中國設備商在先進封裝領域機遇凸顯。

1. WFE市場持續(xù)增長

• 2025-2027年全球WFE市場增速上調至2%/11%/8% （原預期0%/10%/1%），主因中國擴產及HBM/3D NAND層數(shù)增加帶來的刻蝕、沉積設備需求。

• 關鍵設備商受益 ：東京電子（刻蝕）、Advantest（測試）因測試時間延長需求增長。

• CoWoS和CoPoS技術驅動 ：臺積電的CoWoS產能緊張，下一代CoPoS技術預計2028年量產，可提升50-100%設備ASP（圖6）。

• 中國設備商機遇 ：廣東GPTC等公司受益于CoWoS設備訂單，HBM-TCB（熱壓鍵合）設備需求2026年重啟。

• 美國出口管制下，中國加快半導體設備自研。中微公司（AMEC）在刻蝕設備、北方華創(chuàng)在PVD設備領域份額提升。

風險提示 ：內存價格過快上漲可能抑制終端需求；美國技術管制加劇或拖累中國產能落地進度。

數(shù)據(jù)來源：J.P. Morgan《Asia Pacific Equity Research》、Nomura《Asia PC & Smartphone》、Jefferies《China Memory Expert Call》、Morgan Stanley《Greater China Technology Hardware》。