安森美與英諾賽科達成戰略合作

當地時間2025年12月2日，功率半導體及圖像傳感器大廠安森美與國產氮化鎵（GaN）大廠英諾賽科（Innoscience）宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄（MoU），以評估加速40-200V氮化鎵功率器件部署的機會，并顯著擴大客戶采納度。備忘錄中提出的合作，將安森美在集成系統與封裝領域的領導力與英諾賽科成熟的GaN技術及大規模制造相結合，實現為工業、汽車、電信基礎設施、消費級及AI數據中心市場交付具有成本效益且高效的GaN產品。

氮化鎵半導體器件提供更高的開關速度、更小的外形尺寸和更低的能量損耗，從而在更小的空間內提供更多功率。迄今為止，有限的產品和制造能力減緩了氮化鎵在低壓和中壓細分市場的采用。

通過此次合作，安森美與英諾賽科將努力克服這些障礙，快速實現優化氮化鎵（GaN）解決方案的全球大規模部署，面向主流市場：

工業：機器人電機驅動、太陽能微逆變器和優化器
汽車：直流-直流轉換器，同步整流
電信基礎設施：直流-直流與負載點轉換器
消費與大眾市場：電源、適配器、直流-直流轉換器、電機驅動、音頻、輕型電動出行、電動工具、機器人
AI數據中心：中間總線轉換器、直流-直流轉換器、電池備份單元

對于安森美客戶來說，與英諾賽科的合作將實現：

更快上市時間：借助Onsemi的系統專業知識和Innoscience經過驗證的氮化鎵技術和制造，快速原型制作、加速設計入產并迅速進入主流市場；
可擴展制造：真正的大規模市場可擴展性，能夠應對大批量產出，利用Onsemi的全球集成和封裝經驗以及Innoscience已建立的氮化鎵產能；
降低系統成本：優化的封裝、更少的組件和簡化的熱管理，帶來更緊湊的設計和更低的系統總成本。

安森美企業戰略副總裁安托萬·賈拉貝爾表示：“隨著各領域電力需求的增加，氮化鎵提供了更高的效率、更小的體積和更低的能量損失，相較于其他材料。迄今為止，在低壓和中壓細分市場，成本和供應限制限制了其廣泛應用。通過與英諾賽科的合作，我們預計能夠獲得業界最大的GaN生產規模，并迅速將GaN產品擴展到全球客戶，推動主流電力應用的更廣泛應用。”

英諾賽科產品與工程高級副總裁 Yi Sun表示：“氮化鎵技術對于改進電子設備、打造更小更高效的電力系統、節約電力和減少二氧化碳排放至關重要。英諾賽科很高興與安賽米探索戰略合作機會，擴大并加速全球氮化鎵（GaN）的普及，并打造一個與安賽米廣泛產品組合相連的系統集成平臺。”

預計到2030年，GaN將占據全球電力半導體市場約29億美元（約11%）的份額，2024-2030年復合年增長率預計為42%。此次與英諾賽科的合作將建立在安森美全面的智能電力產品線基礎上，該產品組合現涵蓋硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術。這些技術共同使安森美能夠為AI數據中心、汽車、工業和消費級領域提供最優的電力系統。這一完整的低壓和中壓產品組合，鞏固了安森美作為全集成電力系統領先供應商的地位，幫助客戶在全球電氣化和AI能源需求持續增長時最大化性能和能源效率。

安森美預計將在2026年上半年開始采樣。

編輯：芯智訊-林子