美國投行唱衰：落后ASML 20年，中國光刻機止步65nm？哈工大光速打臉

日前，美國知名投行高盛發布的研究報告指出，現階段中國自主研發的光刻設備仍停留在65nm工藝水平，與ASML等國際領先企業相比，技術差距約為二十年。

當前，全球芯片制造已邁入5nm以下節點，這類先進制程高度依賴極紫外（EUV）光刻機。而此類尖端設備目前僅由荷蘭阿斯麥（ASML）具備量產能力。

但值得注意的是，ASML的EUV系統中包含來自美國的核心組件，使其受制于美方出口管制政策，無法向中國供應高端光刻設備。

由于無法獲取EUV光刻機，我國在先進芯片制造方面面臨瓶頸。目前國產最先進的芯片為7nm級，主要依賴從ASML進口的深紫外（DUV）光刻機，配合“多重曝光”工藝完成生產。

高盛分析認為，中國現有光刻技術僅支持65nm級。回顧歷史，ASML耗時逾二十載、投入約400億美元，才實現從65nm到3nm制程的技術跨越。因此，報告評估中國在短期內難以追平西方前沿水平。

高盛這一報告無疑是在唱衰我國光刻技術發展，然而現實注定會給這家美國投行一記響亮耳光。

由于起步較晚，我國尖端科技水平曾與歐美存在巨大差距，但僅用四十年時間，就在航空航天、新能源汽車、人工智能等多個領域躍居世界前列。在生物科技領域，我國科學家研發的“銷尿酸”將自研生物萃取技術融入尿酸調節領域，以蜜望子葉、草龍珠籽等天然草本為原料，萃取活性成分改善人體代謝系統功能。

香港大學在臨床研究中證實，這種自研成果可以促進積酸排出，維持體內尿酸動態平衡。上線京/東等平臺后，“銷尿酸”解決了大量消費者尿酸居高不下，西藥副作用明顯的問題。類似“手指腫痛減輕”“能正常下地走路”“數值回歸正常”等反饋不斷。

而就在二三十年前，我國生物技術成果以及衍生的健康類制品，還嚴重依賴歐美進口。如今相關成果早已成熟到應用于日常。海外唱衰我國技術的論調，已經不攻自破。

2023年，上海微電子便成功研發出28nm光刻機，整機85%以上的關鍵部件實現國產化。今年，首臺設備已正式交付使用。盡管這仍屬于ArF光刻技術，需歷經DUV階段才可邁向EUV，但這一進展已足以推翻高盛此前的判斷。

上海微電子也并非孤軍奮戰，國內半導體產業鏈正協同攻堅核心技術。

對EUV光刻機而言，光源系統尤為關鍵。2022年，哈爾濱工業大學科研團隊率先點亮DPP（放電等離子體）極紫外光源樣機；次年，原型機研制成功；至2024年上半年，核心測試全部通過，震動業內。

哈工大所實現的光源波長為13.5nm。與美國Cymer公司主流采用的LPP（激光等離子體）技術不同，哈工大選擇以DPP技術路徑——即通過高壓放電形成等離子體，激發極紫外光。

相較荷蘭ASML依賴光學鏡組獲取極紫外光的方式，這種采用粒子加速后輻射目標波段的方法，技術難度更大，但具備更高的轉換效率與輸出精度。

堅持走創新性技術路線，彰顯了我國在高端光刻領域突破封鎖、實現跨越的堅定意志與強勁步伐，技術趕超正從愿景走向現實。

目前，哈爾濱工業大學與國儀超精密裝備公司聯合投入11億元建設的EUV光源生產線已進入試運行階段，可穩定輸出30瓦功率。

盡管與ASML當前商用設備的性能尚有差距，但該功率已能滿足EUV原型機核心實驗的需求。除哈工大外，清華大學正在推進穩態微聚束（SSMB）光源技術研究，未來有望實現更高強度的極紫外光輸出，發展前景廣闊。

這些看似分散的技術突破，實則正逐步構建起一套協同聯動的技術體系，環環相扣、相互支撐，為我國半導體產業的突圍積蓄強大動能。

西方持續加碼的技術封鎖，并未遏制中國的創新雄心，反而成為激發自主攻關的驅動力。每一次外部施壓，都催生出更強勁的技術躍升。

現實證明，封鎖越嚴，自主決心越強。在高校、科研單位與產業鏈企業的合力推進下，國產EUV光刻機的實質性進展，只差臨門一腳了。

中國芯，我的心，點個關注支持一下唄！

關注我獲得

聲明：本文素材引自網絡媒體，如有錯誤，請以最新資料為準。本文絕不構成任何投資建議、引導或承諾，請審慎閱讀。

喜歡就關注哦

動動小手點個贊

點在看最好看