一文了解陳小龍院士攻克SiC晶體生長難關之路

前言

近期，充電頭網獲悉，中國科學院物理研究研究員陳小龍由于在第三代半導體材料領域的持續貢獻，于2025年11月21日正式當選中國科學院院士，成為我國材料科學領域又一重要代表人物。

（數據來源：人民網）

在全球第三代半導體競爭加劇的時代，中科院院士陳小龍帶領團隊成功在碳化硅晶體生長、寬禁帶半導體材料創新、晶體材料開發等領域做出系統性貢獻，實現了多項科研突破，推動成果走向產業化，為我國半導體戰略材料自主可控奠定了堅實基礎。

陳小龍帶領團隊實現SiC制備“卡脖子”難題

碳化硅為第三代半導體材料的核心材料，長期面臨晶體生長難度高、設備依賴進口等瓶頸。為解決這些卡脖子問題，陳小龍帶領團隊在長期研究中取得了一系列原創突破。

陳小龍院士提出電場-磁場-熱場耦合晶體生長方法，改善了晶體的熱場分布與生長穩定性，突破了大尺寸SiC晶體擴徑難題，建立固-液界面能調控生長機制，通過助溶劑設計成功在異質籽晶上外延3C-SiC，解決立方相碳化硅難以大尺寸生長的技術壁壘。

他帶領團隊率先制備3C-SiC晶體，質量達到可實際應用水平，并在界面態密度等關鍵指標上取得進展，并高效推動碳化硅材料國產化進程，使我國在SiC襯底領域實現從無到有、從跟跑到突破。

這些成果提升了我國在第三代半導體材料方面的自主創新能力，為新能源汽車、儲能、功率器件等產業的發展提供了關鍵支撐。

陳小龍推動SiC材料產業化

于此同時，陳小龍不僅在基礎研究中取得突出成就，更積極推動材料成果產業化，主導建立國內領先的碳化硅晶體生產體系，提高國產SiC材料的質量與供應能力。通過“完善基礎研究——技術攻關——工藝驗證——產業落地”全鏈條，為我國半導體供應鏈提供支撐。

現如今，陳小龍在國際材料科學界具有廣泛影響力，累計在Nature Chemistry、Phys. Rev. Lett.、JACS等期刊發表論文470余篇，累計引用超過13,600次，單篇最高引用超過 1100 次。并擁有70余項發明專利，并參與制定3項國家標準。陳小龍在學術成果產出、人才培養以及推動學術方向發展等方面均做出了杰出貢獻。

充電頭網總結

近20余年來，陳小龍憑借“意義重大、組成產業發展“兩兼顧的理念，從帶領團隊零開始SiC單晶材料國產化研究，成功突破SiC外延片生長環節難題，最終實現8英寸SiC晶體的穩定生長，成功打破該領域“卡脖子”難題，加速我國寬禁帶半導體發展步伐，促進有關行業走線世界前列。本次陳小龍當選中科院院士可謂是實至名歸，值得行業銘記。