日媒：如果中國遲遲造不出EUV，跟日本合作，是他們唯一可以突破的機會

在當今世界半導體產業鏈中，極紫外光刻（EUV）技術是制造最先進芯片（如2 nm、3 nm制程）的核心裝備。然而，這項技術長久以來被荷蘭ASML壟斷，美國與歐洲持續通過出口管制限制中國獲取先進光刻機，使得中國在高端制程上遭遇重重阻力。最新日媒與產業分析指出：若中國在EUV設備上長期受制于人，與日本企業合作、采用佳能納米壓印技術（NIL）或許是中國突破封鎖的一條“務實且可操作”的路徑。

全球最先進的芯片制造離不開EUV光刻機，這種設備能夠將極其微小的電路圖案刻畫在硅片上，是實現7 nm、5 nm甚至更先進制程的必備裝備。目前全球唯一能產出量產級EUV設備的公司是荷蘭的ASML，而其設備售價極高、制造極其復雜。受美國主導的技術出口管制影響，ASML已被限制向中國出售最新的EUV光刻機與相關核心組件，這直接阻礙了中國企業獲取頂尖光刻裝備的渠道。

有國外報道指出，即便中國擁有光刻機設計圖，也要經歷長期的技術積累才能自主制造EUV光刻機，否則在高端芯片領域將落后10年以上。

EUV技術的難點遠不止光源系統本身，而是包括：高精度光源與光學系統制造：需要極高的鏡面拋光與光學對準技術。極端真空與超精密控制：設備內部必須維持極其穩定環境。核心材料與光阻配套：包括先進光阻材料等關鍵供應鏈目前仍受制于全球供應商。

中國固然在納米級設備、光刻機制造等領域取得顯著進展，并在DUV（深紫外）等傳統光刻機上取得商業級成果，甚至已有國產DUV可用于制造8 nm晶片等進展。但在EUV領域仍面臨技術壁壘與時間差。

面對EUV技術的封鎖，日本企業并未放棄在光刻領域的競爭探索，而是投資發展與傳統光刻完全不同的替代路線——納米壓印光刻（NIL）技術。

什么是納米壓印？納米壓印光刻并不使用傳統的光源照射成像，而是通過“機械壓印”的方式，將已雕刻好的模板直接壓印到晶圓表面的光刻膠上，再經過蝕刻和加工實現電路圖案的復制。其核心特點是：理論上可以達到與EUV同等甚至更細的圖形分辨率。 成本較EUV光刻機低很多，設備結構相對簡單。不受傳統光學光刻技術的根本限制。

日本佳能公司是納米壓印技術商業化探索的核心參與者之一。該公司推出的NIL設備能支持14 nm甚至更先進的線寬級別，據報道已用于部分閃存制造，并與日本本土存儲芯片廠合作。

與ASML的EUV機器不同，這種設備不屬于現階段美國出口管制的核心控制對象，因此具有相對較寬松的出口政策空間。這意味著：面對EUV設備禁運，中國企業與日本企業合作引入納米壓印設備，或許可以繞開部分技術封鎖。對于無法直接獲取EUV設備的中國制造業，這種替代路線具有現實意義。

納米壓印的優勢與局限：能否真的“突圍”？優勢：成本低、設備規模較小；理論分辨率高、適合特定芯片制造；出口限制相對寬松。局限和現實挑戰：模板壽命短、良品率難以保證；多層電路圖案對齊精度要求極高；制造邏輯芯片的效率和產量仍不如光學光刻機；NIL目前更適合存儲芯片等結構重復性高的產品，而不是復雜邏輯芯片的主流制造路線。

簡單來說，納米壓印是一個“不錯的備份方案”，但要完全取代EUV技術，還需要大量產業配套創新與系統性提升。

值得注意的是，中國在光刻及相關技術路線上的布局并不僅限于納米壓印：國內企業已經開始量產線寬低于10 nm的納米壓印設備并交付使用。中國團隊還在探索電子束光刻等其他創新光刻路徑。政府和產業界繼續加強本土光刻機、材料與配套產業研發。

因此，與日本合作引進NIL設備，并不是中國半導體的唯一一條路，但在短期內，它確實是一條“現實可行、有利于快速應用的選項”。

日媒與行業分析給出了這樣一種觀點：如果中國在EUV設備領域遲遲無法突破，而全球科技競爭又日益加劇，那么與日本企業合作——通過引進納米壓印技術作為一種補充路徑——或許是當前唯一能夠在高端芯片制造上快速實現突破的現實機會之一。

但從更長遠看，中國的半導體產業要走自己的路，還需要在EUV、自主光刻機、材料與配套生態鏈上持續投入與創新，讓被卡脖子的局面不再重復。

中國芯，我的心，點個關注支持一下唄！

關注我獲得

聲明：本文素材引自官方媒體和網絡新聞資料，如有錯誤，請以最新資料為準。本文絕不構成任何投資建議、引導或承諾，請審慎閱讀。

喜歡就 關注 哦

動動小手點個 贊

點 在看 最好看