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最新消息,美國政府已經(jīng)放寬了美國制造的半導(dǎo)體設(shè)備出口至三星電子和SK海力士中國工廠的限制。
根據(jù)最新報道,美國商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)已經(jīng)放寬了對韓國芯片巨頭三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)向中國工廠出口美國制造的半導(dǎo)體設(shè)備的限制。
這一變化標(biāo)志著從嚴(yán)格的“逐次審批”轉(zhuǎn)向“年度批量審批”制度,旨在平衡國家安全考量與企業(yè)運營需求。該政策于 2025 年 12 月底正式生效。
這兩家公司據(jù)稱都已獲得美國方面對其 2026 年設(shè)備進(jìn)口計劃的批準(zhǔn)。
●三星電子:已獲得2026年年度許可,允許向中國西安工廠(主要生產(chǎn)DRAM)進(jìn)口指定設(shè)備。該許可覆蓋維護(hù)性進(jìn)口,但不包括產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。
●SK海力士:同樣獲得2026年批準(zhǔn),針對無錫和重慶工廠(NAND閃存生產(chǎn))。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,兩家公司均已提交詳細(xì)進(jìn)口清單,并獲BIS初步通過。
有效期:許可直至 2026 年底,可根據(jù)企業(yè)需求申請續(xù)期,但需重新審查。
這是中美科技戰(zhàn)中的“精準(zhǔn)松綁”,針對盟友企業(yè)而非中國本土廠商(如中芯國際)。
此舉為三星和SK海力士提供了運營緩沖,避免了2026年初的設(shè)備短缺風(fēng)險。韓國媒體稱,這讓韓企“松了一口氣”,有助于維持中國工廠的全球市場份額(三星中國產(chǎn)能占其總DRAM的約20%,SK海力士NAND占15%)。
政策回顧:
??原有VEU制度:自2023年起,三星電子和SK海力士的中國子公司(如三星中國半導(dǎo)體有限公司和SK海力士中國工廠)享有“經(jīng)核準(zhǔn)最終用戶”(Validated End-User, VEU)資格。這允許它們無時間限制、無需單獨許可地從美國進(jìn)口半導(dǎo)體制造設(shè)備(包括光刻機(jī)、蝕刻設(shè)備等),以支持在華工廠的成熟節(jié)點生產(chǎn)。
??2025年收緊措施:2025年8月底至9月,美國BIS突然撤銷了包括三星、SK海力士及英特爾(Intel)在內(nèi)的多家企業(yè)的VEU資格,計劃于2025年12月31日起生效。這要求企業(yè)為每一筆設(shè)備進(jìn)口單獨申請出口許可,審查周期可能長達(dá)數(shù)月,導(dǎo)致潛在的運營中斷和成本增加。原因是美國加強(qiáng)了對華先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的出口管制,以防止技術(shù)擴(kuò)散至中國本土企業(yè)。
??政策轉(zhuǎn)折:在企業(yè)強(qiáng)烈反對和政府協(xié)商后,BIS于 12 月下旬部分松綁,推出過渡性年度審批機(jī)制。這被視為“折衷方案”,但仍禁止用于中國工廠的擴(kuò)產(chǎn)或技術(shù)升級,僅限維持現(xiàn)有產(chǎn)能。
??操作流程:企業(yè)需提前提交年度設(shè)備進(jìn)口計劃(包括型號、數(shù)量、用途),經(jīng)BIS審查后獲得配額批準(zhǔn)。批準(zhǔn)后,當(dāng)年內(nèi)設(shè)備進(jìn)口無需額外許可,但必須嚴(yán)格遵守用途申報(如僅用于DRAM/NAND閃存的成熟制程生產(chǎn))。
??受限設(shè)備:主要針對美國產(chǎn)或含美國技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備,如應(yīng)用于蝕刻、沉積、測試的工具。先進(jìn)節(jié)點(7nm以下)設(shè)備仍受全面禁令。
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