觀點 | 砸7600億盧比豪賭芯片，印度最終能突圍嗎？

本文共3022字

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作者|林文智

編輯|姜心宇

審核 |陳玨可 江怡

圖源：“印度通”微信公眾號
在全球科技競爭白熱化的今天，半導體作為“工業(yè)糧食”已成為國家戰(zhàn)略博弈的核心戰(zhàn)場
印度莫迪政府推出的7600億盧比“印度半導體使命”（India Semiconductor Mission, ISM），以私營部門為核心推動芯片制造自主化，這場豪賭不僅承載著印度擺脫95%芯片進口依賴的迫切訴求，更折射出新興經(jīng)濟體在全球科技產(chǎn)業(yè)鏈中尋求話語權(quán)的野心。

從薩南德（Sanand）工業(yè)區(qū)崛起的芯片工廠到跨國企業(yè)的紛紛入局，印度半導體產(chǎn)業(yè)正站在歷史轉(zhuǎn)折點，但這條突圍之路注定布滿荊棘。

一、歷史回溯：六十年折戟與教訓沉淀

印度的半導體之夢并非今日啟航，而是歷經(jīng)了長達六十年的反復試錯與沉疴積累。

上世紀60年代，集成電路發(fā)明者羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）計劃在印設(shè)廠，卻因繁瑣的官僚程序轉(zhuǎn)而扎根香港，成為印度錯失的第一次歷史機遇。

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1983年，英迪拉·甘地（Indira Gandhi）政府主導建立的半導體實驗室（SemiConductor Laboratory, SCL）本應是產(chǎn)業(yè)起點，卻在1989年的一場大火后一蹶不振，未能形成任何實質(zhì)性產(chǎn)能。

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進入21世紀，曼莫漢·辛格（Manmohan Singh）政府的兩次嘗試同樣鎩羽而歸。

2005年英特爾（Intel）10億美元建廠計劃因設(shè)備進口限制轉(zhuǎn)投中國，2012年重啟的3.9萬億盧比晶圓廠補貼計劃，最終因市場環(huán)境爭議導致IBM與華虹半導體（HSMC）相繼退出。

復盤這些失敗不難發(fā)現(xiàn)，印度半導體產(chǎn)業(yè)長期陷入“急于求成”與“生態(tài)缺失”的雙重陷阱——盲目沖擊高端晶圓制造環(huán)節(jié)，卻忽視了封裝測試、材料供應、人才儲備等基礎(chǔ)生態(tài)的構(gòu)建，疊加官僚體系的效率低下，使得每一次嘗試都淪為曇花一現(xiàn)。

二、現(xiàn)狀解析：政策紅利下的產(chǎn)業(yè)圖景

如今的印度半導體產(chǎn)業(yè)，正借助“印度制造”戰(zhàn)略東風迎來前所未有的政策窗口期。

莫迪政府汲取歷史教訓，摒棄了以往單一聚焦晶圓廠的激進策略，轉(zhuǎn)而構(gòu)建“設(shè)計-制造-封裝-測試”全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，推出的“對等出資”補貼模式（中央承擔50%項目成本，各邦疊加20%-30%補貼）與自由出口政策，成功吸引了全球資本的目光。

截至2025年8月，10個半導體項目已在6個邦落地，累計投資達1.6萬億盧比，形成了多點開花的產(chǎn)業(yè)布局。

在核心項目中，塔塔集團（Tata）與中國臺積電（PSMC）合作的9.1萬億盧比晶圓廠項目堪稱標桿，其50%的政府補貼比例彰顯了印度的決心；美國美光科技（Micron）投資2.2516萬億盧比的存儲芯片工廠，投產(chǎn)后年產(chǎn)能將達13.5億顆，填補了印度高端存儲芯片制造的空白；CG半導體公司（CG Semi）與日泰企業(yè)合作的OSAT工廠，已實現(xiàn)首批“印度制造”芯片下線，成為產(chǎn)業(yè)突破的具象化標志。

這些項目的推進，不僅讓薩南德（Sanand）、多萊拉（Dholera）等小鎮(zhèn)躍升為全球半導體產(chǎn)業(yè)新熱點，更驗證了“先易后難、生態(tài)先行”策略的可行性。

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當前印度半導體市場規(guī)模已達450-500億美元，預計2030年將翻倍至1000-1100億美元，龐大的內(nèi)需市場與全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢形成共振，為印度提供了難得的發(fā)展契機。

但光鮮數(shù)據(jù)背后，1.71萬億盧比的年度進口賬單（堪比2.5倍“賈爾吉萬使命”預算）仍在警示：印度距離真正的產(chǎn)業(yè)自主尚有漫長距離。

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三、核心困境：

生態(tài)、人才與技術(shù)的三重枷鎖

盡管政策紅利顯著，印度半導體產(chǎn)業(yè)仍面臨三大結(jié)構(gòu)性困境，成為制約其發(fā)展的核心枷鎖。

首先是產(chǎn)業(yè)生態(tài)的碎片化，半導體制造涉及500多種化學、氣體和電氣工藝，而印度目前在高純度硅材料、特種氣體、光刻膠等關(guān)鍵耗材領(lǐng)域幾乎完全依賴進口，供應鏈的脆弱性可能導致生產(chǎn)中斷風險。

CG半導體工廠對無塵環(huán)境的極致要求，從側(cè)面反映出印度在高端制造業(yè)配套設(shè)施上的短板。

其次是人才缺口的剛性約束。半導體產(chǎn)業(yè)對中層技術(shù)管理人員和精密制造工人的需求極為迫切，但印度高校相關(guān)專業(yè)覆蓋率不足，現(xiàn)有勞動力中具備芯片制造經(jīng)驗的人才僅占全球總量的2%。

盡管“設(shè)計相關(guān)激勵計劃”（DLI）已支持278家學術(shù)機構(gòu)接入EDA工具，但人才培養(yǎng)的周期效應遠滯后于產(chǎn)業(yè)擴張速度，波士頓咨詢集團（BCG）提出的“印日人才走廊”構(gòu)想，短期內(nèi)難以緩解燃眉之急。

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最后是技術(shù)壁壘的難以逾越。全球頂尖芯片制造已進入Nano3·0時代，而印度即將投產(chǎn)的項目多聚焦于成熟制程，在Extreme Ultraviolet（EUV）光刻等核心技術(shù)上仍依賴進口設(shè)備。

前印度儲備銀行行長拉古拉姆·拉詹（Raghuram Rajan）的擔憂并非空穴來風——芯片制造的資本密集特性（單座晶圓廠投資超萬億盧比）與技術(shù)迭代速度，可能讓印度陷入“補貼依賴-產(chǎn)能落后”的惡性循環(huán)。

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四、未來規(guī)劃：

ISM 2.0的破局路徑與挑戰(zhàn)

面對多重困境，印度已開始布局“印度半導體使命2.0”（ISM 2.0），試圖通過三大方向?qū)崿F(xiàn)突圍。

一是構(gòu)建自主化輸入生態(tài)，重點扶持本土企業(yè)在化學品、氣體、基板等耗材領(lǐng)域的研發(fā)生產(chǎn)，減少對外部供應鏈的依賴；二是拓展化合物半導體晶圓廠布局，聚焦汽車、國防等優(yōu)勢終端市場，避免在通用芯片領(lǐng)域與臺積電（TSMC）等巨頭正面競爭；三是強化本土研發(fā)能力，計劃建立先進晶圓廠與高校、科研機構(gòu)聯(lián)動機制，逐步突破技術(shù)代差。

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企業(yè)層面的戰(zhàn)略聚焦也值得關(guān)注。塔塔集團（Tata）深耕汽車芯片領(lǐng)域，CDIL公司專注于電動汽車用SiC器件，這種“細分市場突圍”策略有助于印度在特定領(lǐng)域形成差異化優(yōu)勢。

德勤南亞（Deloitte South Asia）合伙人卡蒂爾·坦達瓦拉揚（Kathir Thandavarayan）提出的“借力印度裔設(shè)計人才優(yōu)勢”，若能轉(zhuǎn)化為全球企業(yè)研發(fā)中心的落地，將為產(chǎn)業(yè)升級注入新動能。

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但這些規(guī)劃的落地仍面臨多重挑戰(zhàn)：持續(xù)的政府補貼能否抵御財政壓力？跨國企業(yè)的技術(shù)轉(zhuǎn)移是否會受全球科技競爭限制？官僚體系的效率能否匹配產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度？

這些問題的答案，將決定印度能否在2035年成為10萬億美元經(jīng)濟體的同時，真正實現(xiàn)“每臺設(shè)備都有印度芯片”的愿景。

五、野心與現(xiàn)實之間的平衡術(shù)

印度的半導體突圍，本質(zhì)上是一場關(guān)于“戰(zhàn)略耐心”與“發(fā)展速度”的平衡術(shù)。六十年的失敗歷史教會印度摒棄急功近利，而當前的政策設(shè)計也體現(xiàn)了“循序漸進”的智慧——從封裝測試等低門檻環(huán)節(jié)切入，逐步向晶圓制造、芯片設(shè)計升級，這種路徑選擇符合新興經(jīng)濟體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律。

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在全球芯片供應鏈重構(gòu)的背景下，印度擁有龐大的內(nèi)需市場、充足的勞動力資源和持續(xù)的政策支持，具備成為全球半導體制造第三極的潛力。

但要實現(xiàn)這一目標，印度不僅需要破解生態(tài)、人才、技術(shù)的三重困境，更需要打破官僚主義的沉疴，建立與產(chǎn)業(yè)發(fā)展相匹配的高效治理體系。

十年為期，印度能否將7600億盧比的戰(zhàn)略賭注轉(zhuǎn)化為實實在在的產(chǎn)業(yè)競爭力，不僅關(guān)乎其自身的科技主權(quán)，更將重塑全球半導體產(chǎn)業(yè)的競爭格局。這場芯片突圍戰(zhàn)，印度輸不起，也必須在野心與現(xiàn)實之間找到精準的平衡點。

本文轉(zhuǎn)載自“印度通”微信公眾號2025年12月30日文章，原標題為《芯片突圍，印度半導體產(chǎn)業(yè)觀察》

編輯：姜心宇

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