2nm工藝太燒錢(qián)，高通下一代Pro版驍龍芯價(jià)格創(chuàng)新高！三星重啟自研計(jì)劃

繼蘋(píng)果和華為給旗艦芯片劃分標(biāo)準(zhǔn)版和Pro版之后，高通終于也加入了這個(gè)行列，而且這個(gè)全新的Pro版本價(jià)格將會(huì)大漲。

迫于高通旗艦芯的漲價(jià)壓力，三星也重啟了自研CPU計(jì)劃。

至于漲價(jià)原因也很簡(jiǎn)單，臺(tái)積電2nm工藝是其首個(gè)采用GAA的制程節(jié)點(diǎn)，并已如期量產(chǎn)，所以其初期成本有多高可想而知。

其中 GAA 代表著“全環(huán)繞柵極”納米片晶體管，這種全新結(jié)構(gòu)可通過(guò)柵極完全包裹的水平堆疊納米片形成之溝道，極大增強(qiáng)靜電控制并減少泄漏電流，從而在不犧牲性能或能效的前提下實(shí)現(xiàn)更小晶體管尺寸。

此外，N2工藝還在電源傳輸網(wǎng)絡(luò)中集成了超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM）電容器，其電容密度比前代產(chǎn)品高出一倍，同時(shí)將片電阻（Rs）和過(guò)孔電阻（Rc）分別降低了50%。

臺(tái)積電宣稱N2工藝相較于N3E工藝在相同功耗下性能提升了10%-15%，功耗降低了25%-30%，晶體管密度提升了15%（適用于包含邏輯、模擬和SRAM的混合設(shè)計(jì)），純邏輯電路晶體管密度提升則高達(dá)20%。

當(dāng)然N2工藝還只是個(gè)開(kāi)頭，臺(tái)積電還表示N2P計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn)，性能再提升5%-10%，功耗再降低5%-10%；而A16則將于2026年下半年投產(chǎn)，采用 Super Power Rail 背面供電技術(shù)，專為復(fù)雜的AI和HPC處理器設(shè)計(jì)。

其中N2P工藝正是高通驍龍8 Elite Gen6系列處理器所基于的制程，到時(shí)Pro版價(jià)格會(huì)大漲到多少就拭目以待了。

至于標(biāo)準(zhǔn)版和Pro版的規(guī)格差異，站哥已經(jīng)給出了大概，那就是標(biāo)準(zhǔn)版不支持LPDDR6規(guī)格運(yùn)存，同時(shí)在GPU規(guī)模方面會(huì)有一定閹割。按照這架勢(shì)，明年如果高通還更新驍龍8 Gen6的話，那驍龍8系的型號(hào)辨認(rèn)難度將進(jìn)一步增加。