這有一份超低導阻高壓氮化鎵名錄請查收，業界知名廠商均在列

前言

根據GaNFET.com的統計，當前市面上已有超過400款高壓氮化鎵功率器件，其中低于50mΩ導阻的氮化鎵器件因優異的性能引起廣泛關注。這些低導阻器件具備較低的導通損耗、更高的電流密度以及更小的封裝尺寸，適用于高頻、高效率的電源設計。

本文將分析目前各大廠商推出的低于50mΩ導阻的氮化鎵器件，重點關注其規格參數、應用場景以及優勢，為相關設計提供參考。

低導阻氮化鎵

充電頭網將GaNFET.com低導阻氮化鎵統計數據匯總至上表，可見萬國、GGD、氮矽、鎵未來、英飛凌、英諾賽科、納微、安世、瑞薩、德州儀器這些廠商均榜上有名。

AOS萬國

萬國AOTL035V65GA1

萬國AOTL035V65GA1是一顆650V耐壓，35mΩ導阻的增強型高壓氮化鎵，采用TOLL封裝，適用于AC-DC和DC-DC轉換、圖騰柱PFC、電池快充等各類需要高效電源轉換的場景應用。

CGD

CGDCGD65C025SP2

CGDCGD65C025SP2是一顆650V耐壓，25mΩ導阻的增強型高壓氮化鎵，采用BHDFN10x10封裝，適合工業、數據中心和通信電源以及工業電機驅動、光伏逆變、UPS、儲能等多場景應用。

CGDCGD65D025SP2

CGDCGD65D025SP2是一顆650V耐壓，25mΩ導阻的增強型高壓氮化鎵，采用BHDFN10x10封裝。

DX氮矽

DX氮矽DX65TA030

氮矽DX65TA030是一顆700V耐壓、30mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TOLL封裝，可應用于快充電池充電器、LED照明驅動、電源功率因數校正、LLC諧振變換器、無線電能傳輸以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源等場景。

DX氮矽DX65TA030S

DX65TA030S是一顆700V耐壓、30mΩ導阻的增強型GaN，采用TOLL封裝，可用于快充電池充電器、LED照明驅動、電源功率因數校正、LLC諧振變換器、無線電能傳輸以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源等應用場景。

DX氮矽DX65TC030

DX65TA030S是一顆700V耐壓、30mΩ導阻的增強型GaN，采用TOLL封裝。

GaNext鎵未來

GaNext鎵未來G1N65R035TB

G1N65R035TB是一顆650V耐壓、35mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TO-247封裝。器件具適用于高頻、高效率電源系統。典型應用包括半橋Buck/Boost拓撲、圖騰柱PFC電路、逆變器、以及高效率LLC或移相軟開關電源等場景，可顯著提升功率密度與熱性能，降低系統損耗與尺寸。

GaNext鎵未來G1N65R035TD

G1N65R035TL-H是一顆650V耐壓、33mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用帶TOLL封裝，可用于數據中心與通信電源、光伏微型逆變器、高壓DC/DC轉換器、車載OBC與DC-DC、電感式圖騰柱PFC以及高頻LLC等高功率密度、高效率電源應用場景。

GaNext鎵未來G1N65R035TQ

鎵未來G1N65R035TQ是一顆650V耐壓、33mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TO247封裝。

GaNext鎵未來G2N65R015TB

G2N65R015TB是一顆650V耐壓、15mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TO-247封裝，適用于半橋Buck/Boost、圖騰柱PFC、逆變器以及高效率、高頻LLC和移相軟開關等電源應用場景，可滿足高電流、高功率等級下對低導通損耗與高可靠性的需求。

GaNext鎵未來G2N65R035TB

鎵未來G2N65R035TB是一顆650V耐壓、35mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TO247封裝。

GaNext鎵未來G2N65R035TT

鎵未來G2N65R035TT是一顆650V耐壓、35mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TOLL封裝。

Infineon英飛凌

Infineon英飛凌IGLT65R025D2

IGLT65R025D2是一顆650V耐壓、30mΩ導阻的增強型氮化鎵功率器件，采用TOLT封裝，可應用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS、以及高功率密度工業級AC-DC/DC-DC電源轉換場景。

Infineon英飛凌IGLT65R035D2

IGLT65R035D2是一顆650V耐壓、42mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TOLT封裝，適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS、以及各類高功率密度工業級AC-DC/DC-DC電源轉換場景。

Infineon英飛凌IGLT65R045D2

IGLT65R045D2是一顆650V耐壓、54mΩ導阻的增強型氮化鎵功率器件，采用TOLT封裝，可應用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS以及高功率密度工業級AC-DC/DC-DC電源轉換場景。

Infineon英飛凌IGOT65R025D2

IGOT65R025D2是一顆650V耐壓、30mΩ導阻的增強型氮化鎵功率器件，采用PG-DSO-20封裝，適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉換場景。

Infineon英飛凌IGOT65R035D2

IGOT65R035D2是一顆650V耐壓、42mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用PG-DSO-20封裝，適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS以及高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉換場景。

Infineon英飛凌IGOT65R045D2

IGOT65R045D2是一顆650V耐壓、54mΩ導阻的增強型氮化鎵功率器件，采用PG-DSO-20封裝，可應用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉換場景。

Infineon英飛凌IGT65R025D2

IGT65R025D2是一顆650V耐壓、30mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TOLL封裝，可用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS，以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉換場景。

Infineon英飛凌IGT65R035D2

IGT65R035D2是一顆650V耐壓、42mΩ導阻的增強型（E-mode）氮化鎵功率器件，采用TOLL封裝，適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS以及高功率密度AC-DC/DC-DC電源轉換等應用場景。

Infineon英飛凌IGT65R045D2

IGT65R045D2是一顆650V耐壓、54mΩ導阻的增強型氮化鎵功率器件，采用TOLL封裝，適用于圖騰柱PFC、高頻LLC諧振電源、數據中心與通信SMPS以及各類高功率密度AC-DC/DC-DC電源應用場景。

Innoscience英諾賽科

Innoscience英諾賽科INN650TA030AH

INN650TA030AH是一顆650V耐壓、34mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TOLL封裝，具備適用于AC-DC電源、DC-DC變換器、圖騰柱PFC、快充電源以及高功率密度、高效率電源轉換系統等應用場景。

Innoscience英諾賽科INN650TA030CS

INN650TA030CS是一顆650V耐壓、35mΩ導阻的增強型氮化鎵功率晶體管，采用TOLL封裝，適用于AC-DC與DC-DC電源、服務器/電源模塊、高功率密度DC-DC、圖騰柱PFC以及諧振與軟開關電源轉換場景。

Innoscience英諾賽科INN650TA050AH

INN650TA050AH是一顆650V耐壓、50mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TOLL封裝適用于AC-DC電源、DC-DC變換器、DC-AC逆變器以及各類高功率密度、高效率電源轉換應用場景。

Innoscience英諾賽科INN650TA050C

INN650TA050C是一顆650V耐壓、50mΩ導阻的增強型，采用TOLL封裝，具備低柵電荷（Qg≈9.4nC@400V）、零反向恢復電荷、脈沖電流能力77A等特性，可應用于AC-DC與DC-DC電源、高功率密度DC-DC模塊、圖騰柱PFC以及諧振與軟開關電源轉換等場景。

Navitas納微

Navitas納微NV6169

NV6169是一顆650V耐壓、45mΩ導阻的增強型GaN功率器件，可應用于AC-DC電源、PFC電路、LLC諧振電源、服務器與電信電源以及高功率密度快充適配器等場景。

Navitas納微NV6512C

NV6512C是一顆650V耐壓、55mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，可應用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、CCM/CRM-PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6513

NV6513是一顆650V耐壓、45mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，可應用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度應用場景。

Navitas納微NV6514C

NV6514C是一顆650V耐壓、25mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，可應用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6515

NV6515是一顆650V耐壓、35mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，可應用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度應用場景。

Navitas納微NV6522

NV6522是一顆650V耐壓、55mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，可應用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6523

NV6523是一顆650V耐壓、45mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，可應用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6524

NV6524是一顆650V耐壓、25mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，可應用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度場景。

Navitas納微NV6525

NV6525是一顆650V耐壓、35mΩ導阻的增強型GaNSafe氮化鎵功率IC，適用于AC-DC與DC-DC電源、圖騰柱PFC、服務器與數據中心電源、光伏逆變與儲能（ESS）、車載OBC及電機驅動等高功率密度應用場景。

Nexperia安世

Nexperia安世GAN039-650NBB

GAN039-650NBB是一顆650V耐壓、33mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用CCPAK1212封裝，可應用于工業與數據中心電源的硬開關/軟開關變換器、無橋PFC、光伏與UPS逆變器以及伺服電機驅動等場景。

Nexperia安世GAN039-650NTB

GAN039-650NTB是一顆650V耐壓、33mΩ導阻的增強型（E-mode）氮化鎵FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，適用于工業與數據中心電源的硬開關/軟開關變換器、無橋圖騰柱PFC、光伏與UPS逆變器以及伺服電機驅動等應用場景。

Nexperia安世GAN041-650WSB

GAN039-650NTB是一顆650V耐壓、33mΩ導阻的增強型氮化鎵FET，采用CCPAK1212i封裝，適用于工業與數據中心電源的硬開關/軟開關變換器、無橋圖騰柱PFC、光伏與UPS逆變器以及伺服電機驅動等應用場景。

Renesas瑞薩

Renesas瑞薩TP65H015G5WS

TP65H015G5WS是一顆650V耐壓、18mΩ導阻的增強型氮化鎵，采用TO-247封裝，可應用于無橋圖騰柱PFC、數據中心電源、工業電源、光伏逆變器及伺服電機驅動等高功率密度電源場景。

Renesas瑞薩TP65H030G4PRS

TP65H030G4PRS是一顆650V耐壓、41mΩ導阻的增強型氮化鎵FET，可應用于AI數據中心與通信電源、UPS、電動出行充電、光伏逆變器以及儲能等高功率密度電源場景。

Renesas瑞薩TP65H030G4PWS

TP65H030G4PWS是一顆650V耐壓、41mΩ導阻的增強型氮化鎵，可應用于AI數據中心與通信電源、電動出行充電、光伏逆變器、UPS以及儲能等高功率密度電源場景。

TI德州儀器

TI德州儀器LMG3422R030

LMG3422R030是一顆600V耐壓、30mΩ導阻的增強型氮化鎵，適用于數據中心電源、5G通信電源、服務器與通信PSU、高功率密度AC-DC/DC-DC變換器等應用場景。

TI德州儀器LMG3425R030

LMG3425R030是一顆600V耐壓、30mΩ導阻的增強型氮化鎵，集成驅動、電流保護和溫度監測功能，適用于高效開關電源、數據中心電源、電商網絡與服務器電源、光伏逆變器、UPS以及不間斷電源系統等場景。

TI德州儀器LMG3426R030

TI德州儀器LMG3522R030

LMG3522R030是一顆600V耐壓、30mΩ導阻的增強型氮化鎵，集成驅動、過流保護和溫度監測，適用于高效開關電源、數據中心電源、電商網絡與服務器電源、光伏逆變器、UPS以及不間斷電源系統等應用場景。

TI德州儀器LMG3522R030-Q1

LMG3522R030-Q1是一顆650V耐壓、30mΩ導阻的氮化鎵，集成驅動和保護功能，適用于高效開關電源。其應用場景包括電源系統、數據中心電源、服務器電源、UPS、光伏逆變器等。

TI德州儀器LMG3526R030

LMG3526R030是一款650V、30mΩ導阻的氮化鎵，集成了驅動和保護功能，適用于高效開關電源。可在應用于AC-DC轉換器、電動汽車OBC、UPS系統、光伏逆變器等領域，特別適合需要高頻和高效能的電力轉換場景應用。

TI德州儀器LMG3527R030

LMG3522R030是一款650V、30mΩ導阻的氮化鎵，集成了驅動和保護功能。它可以在應用于AC-DC轉換器、電動汽車OBC、UPS系統和光伏逆變器等領域。

TI德州儀器LMG3650R025

LMG3650R025是一款650V、25mΩ導阻的氮化鎵，集成了驅動和保護功能。適合高效率、高功率密度的電力轉換應用，廣泛應用于商用網絡和服務器電源、PFC、光伏逆變器和不間斷電源系統等領域。

TI德州儀器LMG3650R035

LMG3650R035是一款650V、35mΩ導阻的GaN，集成了驅動和保護功能，適用于高效開關電源，非常適合用于PFC、太陽能逆變器、商用網絡和服務器電源等應用。

充電頭網總結

通過對當前市場上低導阻高壓氮化鎵器件的分析，可以看出，眾多廠商紛紛推出了不同規格、封裝形式和應用場景的氮化鎵器件。這些器件廣泛應用于快充、數據中心電源、太陽能逆變、儲能等領域，可充分發揮低導阻氮化鎵在提升功率密度、以及系統效率方面的優勢。