美國芯片封鎖失敗，但中國并沒有“贏麻了”

《南華早報》今日頭版援引工信部內部數據披露，經過三年的去美化進程，中國半導體設備國產化率已提前一年突破官方設定的“50%紅線”。數據顯示，截至2025年底，全國晶圓廠新建產線中的中國產裝備金額占比已達到55%，高出2024年預定目標5個百分點。其中，刻蝕、薄膜、清洗三大關鍵工藝的國產化率均超過60%，7nm驗證線的進展較原計劃提速一倍，為后續14nm全自主產線的落地奠定了堅實基礎。

7nm驗證提前撞線，三大件國產化率超60%

根據文件披露的具體數據，截至2025年12月，全國新建或擴建的12英寸晶圓產線累計招標設備金額約為430億元人民幣，其中國產設備中標金額達236億元，占比穩定在55%。在細分領域中，刻蝕機、清洗設備和薄膜沉積設備的國產化率分別達到65%、63%和61%，已占據主導地位；離子注入機也達到了35%的市場份額。盡管量測與光刻設備目前仍處“攻堅區”，國產化率分別為25%與18%，但這一數據較2022年已分別提升了10個和6個百分點，顯示出追趕態勢。

國產供應鏈在先進制程的驗證進度也快于預期。中芯國際南方廠的7nm試驗線原定于2026年第二季度完成工藝驗證，現已提前至2025年底實現通線。該產線核心的刻蝕、薄膜及清洗設備均已切換為國產型號，首批256 Mb SRAM的良率突破42%，比計劃目標高出8個百分點。據內部人士透露，國產14nm級High-k金屬柵全套設備也已通過可靠性考核，預計2026年第二季度即可導入量產，這標志著全自主產線建設邁出關鍵一步。

在細分技術領域，部分國產龍頭企業已開始在特定指標上實現反超。中微公司的CCP刻蝕機已進入5nm循環驗證階段，關鍵尺寸均勻性控制在1納米以內；北方華創的原子層沉積（ALD）設備成功拿下長江存儲400層3D NAND訂單，其單片鎢薄膜厚度誤差小于0.5埃；盛美的單片清洗設備則憑借超過90%的正常運行時間（uptime），獲得了華虹上海12英寸28nm產線的重復訂單。

光刻機短板待補，最后的攻堅戰

盡管成績顯著，光刻與量測環節仍是當前產業鏈的最大短板。上海微電子的28nm DUV光刻機雖然已通過工藝驗證，但在套刻精度與設備正常運行時間上與ASML仍存在差距；中科飛測的量測設備目前也尚處于14nm驗證階段。針對這一現狀，工信部內部路線圖規劃在2026至2027年間集中資源，重點突破High-NA光學系統、電子束量測及深紫外激光源等“卡脖子”環節，目標是在2028年實現14nm級DUV設備的全面國產化。

針對上述薄弱環節，政策層面的支持力度正在加碼。國家大基金二期已承諾，未來三年將向設備環節投入800億元，重點填補“高端光刻機、量測/檢測設備、先進封裝設備”三大領域的空白。大基金管理人指出，雖然設備環節僅占整個產業鏈價值的25%，但長期依賴進口，國產化率每提高1個百分點，即可釋放約50億元的市場空間。

這一趨勢也引發了國際觀察機構的關注。美方智庫CSIS評論稱，中國設備自給率提前越過紅線，顯示“美國的封鎖政策正在產生反作用”。但該機構同時也指出，在國產化率達到60%之后，每進一步都將變得“更艱難”，特別是邁向5nm及以下節點時，仍需全球供應鏈的協作。