SK海力士完成中國工廠升級，加速擴產

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SK海力士已對其位于無錫的工廠進行了升級改造，該工廠是中國重要的DRAM生產基地。由于該公司在美國對中國半導體實施制裁的情況下完成了工藝轉換，此次升級被視為其生產基地的一次重大擴張。

據業內人士14日透露，SK海力士已將無錫工廠的現有1z工藝升級為1a工藝。目前，無錫工廠基于12英寸晶圓的DRAM月產能為18萬至19萬片，其中約90%的產能由1a工藝占據。該公司在2024年1月的財報電話會議上宣布了無錫工廠的改造計劃，而此次改造僅用了兩年時間就已完成。DRAM

根據其微加工工藝的不同分為不同的代。1z代表第三代10nm DRAM，而1a代表第四代。代數越高，性能越好。 SK海力士目前已能在無錫工廠生產性能更優的DRAM。

由于無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其工藝改造備受關注。無錫工廠的產量占公司DRAM總產量的30%至40%。

如果由于美國對半導體設備的監管規定而導致工藝改造未能完成，很可能會擾亂生產和業務運營。然而，這些擔憂似乎已經消除。

1a DRAM 需要極紫外 (EUV) 光刻技術。然而，由于美國的出口限制，EUV 設備無法進口到中國。

作為替代方案，SK 海力士采用了一種在韓國完成精細電路實現所需的 EUV 工藝，并在無錫完成剩余工序的方法。

盡管工藝復雜且物流成本高昂，但無錫工廠轉型為 1a 工藝生產線被視為對其至關重要的體現。這不僅是 SK 海力士滿足中國乃至全球市場需求的關鍵基礎。

在去年第二季度財報發布會上，SK 海力士總裁宋鉉鐘表示：“中國工廠不僅對 SK 海力士至關重要，對全球存儲器半導體的供需也同樣重要。為確保其持續運營，我們將密切關注美國的監管動態，并與世界各國政府保持密切溝通。” 自

2006 年投產以來，SK 海力士已在無錫工廠投資數萬億韓元。

與此同時，SK海力士預計將加快其國內DRAM晶圓廠向相當于第六代1c工藝的升級改造。1c升級的投資將集中在位于利川的M14和M16晶圓廠。未來的生產結構將是：通用DRAM產品在中國生產，而尖端DRAM產品在韓國生產。

SK海力士加速擴產

SK 海力士一位高管表示，由于內存需求激增給全球供應帶來壓力，該公司計劃將一家新工廠的開業時間提前三個月，并將于2月份開始運營另一家新工廠。

這家韓國芯片制造商做出這一決定之際，全球內存芯片短缺推高了手機和個人電腦等消費電子產品的價格，并減緩了人工智能所需的數據中心的建設。

SK海力士美國公司首席執行官柳成洙在接受路透社采訪時表示：“我們必須支持人工智能基礎設施的內存消耗。”

Ryu表示，他的公司是英偉達的關鍵合作伙伴。該供應商將于 2027 年 2 月提前三個月在其位于韓國龍仁的新芯片工廠開設第一家工廠。此外，該公司還計劃下個月開始向位于韓國清州的新晶圓廠 M15X 部署硅晶圓，以生產高帶寬存儲器 (HBM) 芯片。

路透社報道稱，SK海力士決定提前其位于龍仁工廠的生產計劃，這尚屬首次。此前，一家當地媒體援引匿名業內人士的消息報道了該公司的HBM生產計劃。

位于首爾以南 40 公里（25 英里）的龍仁的這家晶圓廠，是該公司計劃投資 600 萬億韓元（4070 億美元）建設“半導體集群”的一部分，該集群最終將容納四座晶圓廠。

柳先生拒絕透露龍仁工廠一期工程的生產能力詳情，但他表示，新增產能將“非常有助于”滿足客戶需求。

分析師估計，龍仁第一座晶圓廠目前的產能將與該公司位于利川的綜合設施相當，該設施擁有多家工廠。

Ryu表示，包括超大規模數據中心在內的客戶越來越多地尋求多年供應協議——這與過去更常見的一年期合同有所不同——因為他們都在爭相鎖定長期供應。

據市場追蹤機構 TrendForce 的數據顯示，全球存儲芯片市場正經歷前所未有的繁榮，僅第四季度，部分產品的價格就比上年同期上漲了 300% 以上，原因是人工智能基礎設施的激增需求導致產能緊張。

Ryu表示，SK海力士每月都會審查其產品的生產計劃，以確保能夠為客戶提供支持。

Ryu表示：“（內存芯片市場）正在發生結構性變化”，并補充說，他還沒有看到需求放緩的跡象。

他說：“我們看到了巨大的需求。”

SK海力士是僅次于三星電子的全球第二大存儲芯片制造商，該公司在過去一年中上漲了 280%。

（來源：編譯自路透社等）

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