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作者:相青,編輯:嘉辛
2016年,是朱一明的高光時刻。
他創辦的兆易創新成功登陸A股,打破了國外在NOR Flash領域的壟斷。
1972年出生的朱一明,17歲考入清華大學物理系,后留美獲得紐約州立大學石溪分校碩士學位,并曾在硅谷存儲公司任職。
然而,規模僅占存儲市場約1%的NOR Flash并非主戰場,真正被三星、SK海力士和美光科技壟斷超90%份額、年進口額高達數千億元的,是占據市場半壁江山的DRAM(動態隨機存取存儲器)。
朱一明計劃通過兆易創新來布局DRAM業務,卻被現實潑了一盆冷水,社會資本因“啟動資金一年至少100億元”紛紛退卻。
就在朱一明為資金發愁時,合肥這座被稱為“中國最強風投”的城市,也正急于擺脫“有屏無芯”的尷尬。于是,就在兆易創新上市的同一年,朱一明與合肥政府共同出資約180億元創立長鑫科技。
兩年后,朱一明又辭去總經理職務,出任長鑫科技CEO,全力推進 DRAM 業務。他甚至立下軍令狀:長鑫不盈利,自己不領一分錢工資。
這是一場極其殘酷的長跑。
為了追趕與國際巨頭的技術代差,長鑫在隨后幾年里開啟了燒錢模式,截至2025年6月30日,長鑫科技累計虧損超過400億元。
如今,存儲行業迎來上行周期,長鑫科技遞交的科創板IPO申請已于2025年12月30日獲受理。一座被譽為“最強風投城市”的地方政府,與一位懷揣“中國存儲夢”的硅谷歸國創業者,即將創造2026開年最大IPO。
一、二次創業
長鑫科技的IPO正踩在存儲產業上行周期。
根據TrendForce數據,2025年9月以來,DDR5的內存條價格上漲超300%,DDR4內存條漲幅也超150%。另外,部分高端內存條年內漲幅甚至超過 400%,價格漲勢遠超黃金。甚至有業內人士調侃,一盒高端DDR5內存條的價值,已經超過北京上海不少房產。
根據市場研究機構Counterpoint Research發布最新行業報告指出,內存市場已進入“超級牛市”階段,當前行情甚至超越了2018年的歷史高點,達到了近8年來新高。
長鑫科技的誕生背后,正是號稱最強風投城市的合肥,以及創業者朱一明。
2016 年,就在朱一明創立的兆易創新登陸 A 股之時,但他早已將目光轉向另一片戰場——DRAM (動態隨機存取存儲器)。
在全球半導體行業版圖里,NOR Flash只是邊緣,DRAM才是皇冠上的明珠。
多家行業機構數據顯示,在存儲器市場,DRAM 的占比長期超過 50%,而 NOR Flash 的占比僅約 1%。前者廣泛應用于服務器、PC、智能手機等算力密集型設備,決定了系統性能上限;后者更多用于嵌入式與啟動存儲,市場規模與戰略權重不可相提并論。
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而中國是全球最大的DRAM市場,占全球比例約為 43%,但幾乎完全依賴進口,自制率遠低于半導體全行業水平。
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一心做存儲芯片的朱一明,曾下過一個判斷,“誰在存儲器技術領域領先,誰就能主宰整個集成電路產業。”而想要贏得存儲器市場,就必須啃下DRAM這根硬骨頭。
但是,DRAM領域具有極高的技術和資金壁壘,市場高度集中,由三星、SK海力士和美光三分天下,是國產芯片供應鏈中“卡脖子”最嚴重的環節之一。
而且,要在巨頭的夾縫中成長起來,一年至少需要100億元的啟動資金,且可能面臨連續數年的顆粒無收。
就在朱一明為資金發愁時,合肥這座被稱為“中國最強風投”的城市,也正急于擺脫 “有屏無芯” 的尷尬。
合肥市國資委總經濟師項飆曾回憶說,當時合肥正苦于顯示產業遭遇“缺芯之痛”,為突破這一“卡脖子”元器件,在深入調研后,決定與兆易創新合作建設長鑫存儲項目研發線。
于是,在兆易創新上市的同一年,合肥市政府旗下投資平臺與兆易創新共同籌建長鑫存儲項目。2017年3月,一期工廠開工;同年10月,兆易創新宣布斥資180億元,與合肥合作推進DRAM項目。
2018年,就在DRAM芯片量產的關鍵節點,46歲的朱一明做出了一個外界看來并不理性的決定,在兆易創新市值不斷攀升、個人聲望達到頂峰之際,他辭去總經理職務,僅保留董事長一職,同時出任長鑫存儲CEO及長鑫科技CEO,全力聚焦DRAM業務推進。
他立下軍令狀:在長鑫存儲盈利前,不領一分錢工資、一分錢獎金。
二、沖破壟斷
在長鑫科技之前,中國對 DRAM 的探索已經持續了30多年。
從上世紀 90 年代的無錫華晶,到 2000 年代的上海華虹NEC、中芯國際,均在DRAM領域,嘗試過突破。但在很長一個階段里,這些公司受限于市場、技術、產業鏈不完整等因素,大多以代工或技術引進合作為主,沒能成功建立自己的研發-生產-銷售體系,無法與國外廠商正面競爭。
在 DRAM 這樣的成熟產業中,后來者真正的門檻不僅在資金和工藝,更在專利。過去三十年,三星、SK 海力士和美光建立了高度交織的知識產權網絡,新入局者稍有觸碰,就可能陷入法律糾紛。
與長鑫科技同一時期成立的福建晉華的遭遇便是例證,其產品尚未量產,研發計劃便因專利問題被迫中止,項目一度被叫停。
長鑫科技在技術上采取了引進消化吸收再創新與自主研發相結合的策略。項目初期,為了快速起步并規避專利風險,長鑫科技收購了德國奇夢達大量內存專利,并融入了自身研發體系。
奇夢達是曾經的DRAM巨頭,雖已破產,但其留下的技術專利為長鑫的起步提供了寶貴參考。2019年5月,朱一明在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上第一次披露了公司的專利情況,他表示長鑫從已經破產的奇夢達處獲得了大量專利,并且在這個基礎上進行了創新,專利申請數量達到了16000個,還有1000多萬份、約2.8TB有關DRAM的技術文件。
2019年底,長鑫又宣布其與WiLANInc.合資子公司PolarisInnovationsLimited有關達成專利許可協議和專利采購協議。
在獲得奇夢達技術支持后,合肥長鑫花費25億美元的研發費用,在重新設計芯片架構后,迅速將奇夢達遺留的46nm技術,提升到10nm級的水平。
2019年9月,長鑫科技正式宣布其采用19nm工藝的8Gb DDR4產品投產,產能初步達到2萬片/月。這標志著中國企業首次掌握了主流DRAM產品的量產能力,打破了該領域長期被國外壟斷的局面。
這是長鑫科技乃至中國半導體產業史上里程碑式的一年。而技術突破,則迅速吸引了資本追隨。
2020年,國家大基金二期、小米產投、君聯資本等入場。2021年,融資盛況空前,220家機構排隊參與三輪反向路演,原本坐在臺下聽路演的投資人,不得不走上臺前來告訴長鑫存儲:公司估值應該多少?在什么條件下愿意投?投多少?最終長鑫存儲再從中選擇10多家投資方納入考察范圍,長鑫科技估值飆升至超390億元,成為“超級獨角獸”。
去年6月,在上市前最后一輪融資中,阿里云以61億元認購其3.85%新增注冊資本,將長鑫科技的Pre-IPO估值推升至1584億元。
在資金支持下,長鑫科技的技術布局也加速落地。2021年成功研發并投產 17nm (1ynm) 工藝;2023年11月,推出首款國產 LPDDR5 產品,隨后進入小米、傳音等品牌手機的供應鏈,實現了國產內存從PC端向高端移動終端的跨越。
從財報來看,長鑫科技研發投入強度極高,2022年至2025年上半年累計研發投入188.67億元,占累計營收的33.11%;截至2025年6月30日,長鑫科技共擁有境內專利3116件(其中發明專利2348件)、境外專利2473件,應用于公司主營業務并能夠產業化的發明專利超過7項。
但正是在這種高強度研發投入下,長鑫科技產品才實現了突破,營收實現了穩步增長,2022年至2024年營收分別為82.87億元、90.87億元、241.78億元。
三、拐點已至
如果從市場份額來看,今天的長鑫科技,在全球DRAM的牌桌上,還只是一個剛剛獲得入場券的新玩家。
據統計,長鑫科技在全球DRAM市場中占據3.97%的份額,按產能、出貨量及銷售額綜合衡量,穩居全球第四位,同時也是中國大陸排名第一的DRAM廠商。
但與行業頭部玩家相比,這一體量仍然十分有限。2024年三星電子、SK海力士、美光科技的市場占有率分別為40.35%、33.19%和20.73%,這三家公司合計占據全球90%以上的市場份額。
在 DRAM 這樣的行業里,市場份額意味著強議價權和周期承受力。尤其在價格下行周期,巨頭可以通過規模和成本優勢對沖沖擊,而新玩家,往往只能被動承受周期沖擊。
這也直接反映在長鑫科技的財務表現上。
2022年~2024年及2025年上半年,長鑫科技分別虧損83.28億元、163.4億元、71.45億元、23.32億元,截至2025年6月30日,長鑫科技累計虧損408.57億元。
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其中,2023年是長鑫科技最艱難的一年,虧損額(163.4 億元)較其他年份翻倍,正是受行業周期影響。
2022年至2023年期間,受上游DRAM產品庫存水平較高、下游市場需求低迷的影響,DRAM行業經歷了深度下行周期,DRAM產品的銷售價格大幅下滑,直到2023年下半年市場開始逐步回暖。
2023年,雖然長鑫科技銷量實現大幅增長,但由于DRAM產品銷售單價同比下滑43.54%,因此收入增速受到較大影響,并導致公司存貨減值損失計提增加,對公司利潤產生沖擊。
除了周期因素,另一層挑戰來自技術與產品結構本身。
在制程工藝上,長鑫目前工藝在密度與功耗上與三星、海力士仍有 1-2 代的代差。在產品層面,盡管長鑫已攻克DDR5的良率關卡,但在算力時代的核心抓手HBM 領域,長鑫仍處于從0到1的突破階段。
相比之下,三星、SK 海力士和美光不僅在 DDR5 的量產節奏上更快,更重要的是,已經在 HBM2、HBM3 等高端 DRAM 產品上實現規模出貨,并與 GPU、CPU 廠商形成高度綁定的供貨關系,牢牢卡住了 AI 算力產業鏈中最具溢價能力的關鍵節點。
這也意味著,當前長鑫科技的產品仍以通用型 DRAM 為主,在 AI 核心應用中的滲透率有限。即便公司已明確向 HBM 等高端產品推進,但從研發驗證、良率爬坡到規模化商業落地,仍是一條周期長、投入重的追趕之路。
不過,從行業周期的角度看,長鑫科技也并非沒有窗口期。
AI 算力浪潮的到來,正在重塑 DRAM 的需求結構。AI 服務器、數據中心和高性能計算,對內存容量和帶寬的需求提升,為 DRAM 行業打開了新一輪成長空間。
受益于內存價格回升及銷量增長,長鑫科技預計2025年度實現營業收入550億元至580億元,同比增長127.48%至139.89%;預計凈利潤將實現扭虧為盈,達到20億元至35億元。
關鍵拐點已經來臨。對長鑫科技而言,真正的挑戰不僅在于是否能迎來盈利,更在于能否在技術與產品結構上完成躍遷,這將最終決定它在全球 DRAM 產業中,最終能搏得多大市場份額。
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