
LED廠富采(3714)今天表示,為了加速Micro LED于擴增實境(AR)等更多高整合型顯示器應用領域的發展,公司拍板攜手德商ALLOS Semiconductors締結策略合作,共同推動8吋硅基氮化鎵LED磊芯片(GaN-on-Si LED epitaxial wafer)量產, 也是替后續邁向12寸硅基氮化鎵LED磊晶技術鋪路。
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富采表示,公司目前擁有全球領先的高階LED磊晶制造技術與產能,ALLOS則具備業界頂尖的硅基氮化鎵磊晶技術,此次合作象征Micro LED產業供應鏈邁向更加成熟的重要里程碑。 結合富采在LED結構上的深厚技術,以及ALLOS硅基氮化鎵緩沖結構技術,新品亮度與能效可媲美傳統藍寶石基板成長的氮化鎵LED(GaN-on-sapphire)。
此外,富采更看好雙方打造的Micro LED更有利于擴大至8寸以上,大幅提升單片產出面積與制程效率,其超小像素間距可滿足近眼顯示的高解析需求,并具備高度硅晶圓制程兼容性與量產可行性。 未來目標推展至12寸產品,以因應市場對更大尺寸晶圓的需求、加速Micro LED普及化。
富采光電元件事業本部總經理唐修穆說,這項合作將提供具高度競爭力的硅基氮化鎵Micro LED解決方案,并建立可擴展、與硅晶圓廠制程高度兼容的量產途徑。 公司藉由與ALLOS形成戰略聯盟,得以同步布局8寸 硅基氮化鎵Micro LED磊晶技術,為快速成長的Micro LED產業提供更完整的價值鏈與解決方案。
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