NAND雪上加霜，巨頭削減產(chǎn)能

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占據(jù)全球NAND閃存市場60%以上份額的三星電子和SK海力士預計將在今年減產(chǎn)。在英偉達等公司引領的推理人工智能（AI）領域競爭日益激烈的背景下，作為關鍵組件的NAND閃存供應緊張，增加了包括服務器、個人電腦和移動設備在內(nèi)的所有領域價格持續(xù)上漲的可能性。分析師預測，這將對三星電子和SK海力士的營業(yè)利潤率以及DRAM市場產(chǎn)生同樣積極的影響。

據(jù)市場研究公司Omdia于20日通過《朝鮮商業(yè)》獲得的數(shù)據(jù)顯示，三星電子小幅下調(diào)了其NAND閃存晶圓產(chǎn)量預期，從去年的490萬片降至今年的468萬片。這是繼去年因預計2024年NAND閃存盈利能力大幅下降而進行的減產(chǎn)之后的又一次下調(diào)。SK海力士的NAND閃存產(chǎn)量預計也將呈現(xiàn)類似趨勢，去年為190萬片，今年為170萬片。

鑒于今年人工智能（AI）的興起帶動了NAND閃存市場需求的激增，主要供應商三星電子和SK海力士的供貨調(diào)整可能會加劇供應短缺，不僅在AI服務器領域，而且在包括移動設備和個人電腦在內(nèi)的所有領域都將受到影響。據(jù)花旗證券稱，英偉達下一代AI加速器Vera Rubin的固態(tài)硬盤（SSD）容量為1152TB，是其現(xiàn)有產(chǎn)品Blackwell的10倍以上，該產(chǎn)品將于今年下半年量產(chǎn)。Vera Rubin預計今年出貨量為3萬臺，明年為10萬臺，這將分別在2026年和2027年創(chuàng)造3460萬TB和1.152億TB的新增需求。

普遍認為，三星電子和SK海力士NAND閃存產(chǎn)量下降是由于與盈利能力最強的DRAM相比，它們對NAND閃存的投資優(yōu)先級較低。此外，隨著人工智能數(shù)據(jù)中心對高容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求不斷增長，生產(chǎn)線向QLC（四層單元）技術轉(zhuǎn)換過程中不可避免的自然減產(chǎn)也是必然的。從現(xiàn)有的三層單元（TLC）技術過渡到更適合人工智能數(shù)據(jù)中心的QLC技術，涉及諸多因素，包括設備配置、穩(wěn)定期和初始良率。

據(jù)報道，三星電子和SK海力士的高管也認為沒有理由大幅提高NAND閃存的產(chǎn)量。由于盈利能力長期下滑，他們不得不專注于價格防御，而他們可以利用當前的存儲器市場繁榮來最大化利潤。一位半導體行業(yè)內(nèi)部人士解釋說：“三星電子和SK海力士削減NAND閃存產(chǎn)量是出于有意還是無奈，無論哪種情況，減產(chǎn)帶來的好處都將在今年達到頂峰。”

一些分析人士認為，這反映出人們越來越意識到中國通用型NAND閃存供應量的增長。與三星電子和SK海力士不同，中國長江存儲自去年以來一直在穩(wěn)步提高其NAND閃存產(chǎn)量，這表明其在市場上的地位日益穩(wěn)固。這表明，為了應對中國低價攻勢，長江存儲致力于調(diào)整其產(chǎn)品組合，減少用于移動和PC應用的NAND閃存供應以保障盈利，同時增加用于服務器和企業(yè)級應用的NAND閃存供應。

各大市場研究機構正密切關注主要供應商的生產(chǎn)調(diào)整，并預測NAND閃存價格將從今年第一季度開始全面上漲。TrendForce預測，第一季度NAND閃存合約價格將環(huán)比上漲33%至38%，并指出三星電子和SK海力士等公司正在采取較為保守的NAND生產(chǎn)策略。IDC也預測，今年NAND閃存供應量增速約為17%，低于近年來的平均水平。

三星和SK海力士大幅提升HBM產(chǎn)能

全球兩大存儲芯片制造商三星電子和SK海力士正在提高半導體產(chǎn)量，以滿足從HBM到DDR等更通用芯片以及基于NAND閃存的固態(tài)硬盤(SSD)等各種芯片的全面需求。

據(jù)多家韓國媒體報道，為滿足其最大客戶英偉達的大量訂單，三星的HBM產(chǎn)能預計在2026年比上一年增長50% 。

這家總部位于京畿道水原市的芯片制造商在去年10月的最新一次電話會議上預測，其產(chǎn)能和制造設施的建設可能會有所提升。

三星電子存儲器業(yè)務副總裁金在俊表示：“我們正在內(nèi)部審查擴大 HBM 生產(chǎn)的可能性。”

為了實現(xiàn)規(guī)模化擴張，三星在去年11月與韓國總統(tǒng)李在明及各大財閥領導人會面后，宣布計劃在京畿道平澤市新建一座名為P5的工廠，投資額達60萬億韓元（約合415億美元）。這項投資額約為三星此前在平澤市各工廠投資額的兩倍。

三星證實，P5工廠已于去年11月破土動工，預計將于2028年投產(chǎn)。另有消息稱，平澤芯片集群的最后一座芯片工廠P6的建設項目也在推進中。不過，三星發(fā)言人表示，P6的計劃仍“尚未最終確定”。

一位了解內(nèi)情的平澤市官員表示，三星正獲得積極的行政支持，以加快P5項目的建設進程。

“由于P系列工廠位于指定的工業(yè)園區(qū)內(nèi)，任何與建設相關的修改或新增要求通常都需要漫長的審批流程，往往需要三到四個月的時間，”該官員說。“我們正在努力通過協(xié)調(diào)相關部門并與京畿道政府磋商，盡可能縮短審批時間。”

位于平澤的三星電子園區(qū)目前運營著四座晶圓廠，編號分別為P1至P4。據(jù)KB證券預測，到2026年第二季度，三星預計將在P4晶圓廠每月新增約6萬片DRAM晶圓產(chǎn)能。

報道稱，三星第六代HBM（HBM4）在英偉達內(nèi)部測試中表現(xiàn)出色，其性能超越了SK海力士和美光等競爭對手。HBM4將用于英偉達的下一代Rubin處理器。

三星HBM4的單引腳數(shù)據(jù)傳輸速度達到了11Gbps，超過了英偉達Rubin平臺10Gbps的標準要求。

一位三星電子內(nèi)部人士表示：“公司內(nèi)部彌漫著興奮的氣氛，我相信大家普遍認為這款產(chǎn)品極具競爭力。”

單引腳數(shù)據(jù)傳輸速度衡量的是內(nèi)存芯片與處理器之間每個連接傳輸數(shù)據(jù)的速度。在HBM技術中，即使單引腳性能的微小提升也能轉(zhuǎn)化為顯著的性能提升。英偉達一直致力于提升這一指標，以應對AMD即將推出的MI450處理器的競爭，后者預計也將在今年下半年發(fā)布。

到2026年底，HBM晶圓的月產(chǎn)量預計將達到25萬片，比目前的17萬片增長超過47%。KB

證券分析師金東元表示：“預計三星2026年的HBM出貨量將同比增長三倍，達到112億Gb，其中HBM4將約占總出貨量的一半。”金東元補充道，預計三星的HBM市場份額明年將飆升至35%，比2025年預計的16%增長一倍以上。

對于SK海力士而言，投資超過20萬億韓元的M15X工廠將運營兩個潔凈室，潔凈室是指用于芯片生產(chǎn)的嚴格控制的制造空間。第一個潔凈室已于去年10月開始設備安裝，并計劃于今年2月進行試生產(chǎn)，隨后投入量產(chǎn)；第二個潔凈室預計將于年底前完工。該工廠預計將于2027年中期全面投入使用，月產(chǎn)量預計約為5萬片晶圓。SK

海力士去年10月還預測將增加基礎設施投資，這反映了其為龍仁芯片集群和印第安納州HBM封裝工廠所做的準備。SK集團董事長崔泰元去年11月曾表示，僅龍仁園區(qū)的投資額就可能達到600萬億韓元，是該公司最初設定的128萬億韓元目標的四倍多。

https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/01/20/KO66OHRDJJHGPLQBCFBASNU3NQ/

（來源：編譯自chosun）

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