SK海力士，無錫工廠升級1a工藝

目前無錫工廠的DRAM月產能約為18萬至19萬片12英寸晶圓，其中約90%已完成向1a制程的轉換。

存儲巨頭SK海力士已順利完成其中國無錫工廠的制程升級，將DRAM生產節點從原有的1z工藝全面轉向更先進的1a工藝。目前，無錫工廠的DRAM月產能約為18萬至19萬片12英寸晶圓，其中約90%已完成向1a制程的轉換。在DRAM工藝中，1z代表10納米級別第三代制程，1a則屬于第四代。

更先進的制程意味著更高的性能、更低的功耗以及每片晶圓可產出更多芯片，此次升級使SK海力士在無錫得以生產性能顯著提升的DRAM產品。

無錫工廠的升級備受關注，主要因其在全球供應鏈中占據關鍵地位——該廠貢獻了SK海力士全球DRAM產量的30%至40%，是公司核心的生產基地。此前市場曾擔憂，美國半導體設備出口管制可能影響無錫廠獲取先進設備，進而阻礙其技術升級并沖擊全球供應。目前來看，這一風險已得到有效管控。

值得注意的是，1a DRAM制程需使用極紫外（EUV）光刻設備，而此類設備受美國管制無法直接對華出口。為此，SK海力士采取了“分段制造”策略：將EUV光刻這一關鍵步驟安排在韓國進行，隨后把晶圓運回無錫完成后續工序。盡管該方案增加了流程復雜性與成本，但鑒于無錫廠的戰略重要性，公司仍堅定推進了制程遷移。

自2006年投產以來，SK海力士在無錫工廠累計投入已達數十萬億韓元。與此同時，在韓國本土，公司正加速向更先進的1c（第六代10納米級）制程邁進，相關生產主要集中在利川的M14和M16工廠。

通過這一布局，無錫工廠承擔大規模、成熟制程的DRAM生產，韓國工廠則聚焦于最先進的DRAM及HBM等高端產品，從而在符合地緣政策要求的同時，保持技術領先地位。

據業內人士12月30日透露，美國商務部工業與安全局（BIS）已更改政策，取消韓國半導體公司中國工廠的“最終用戶認證（VEU）”資格，允許其每年出口設備。

回溯其歷史，美國商務部自2022年起對美制半導體設備出口中國實施嚴格管制，但當時給予三星、SK海力士及英特爾豁免，允許它們維持在華現有工廠的運作。根據最新規定，這些公司今后如要在中國采購相關設備，必須逐案申請出口許可證。

隨后在去年8月，美國商務部發布通知，宣布將撤銷韓國芯片制造商三星和SK海力士在其中國工廠使用美國設備的豁免，這將使兩家公司更難在中國生產芯片。限制措施將在120天后生效。美國商務部在一份聲明中稱，美國計劃向相關企業發放許可證，允許其繼續在華運營現有的設施，但不打算發放擴大產能或升級技術的許可，從而取消“只對外國生產商有利、卻沒有給美國制造商帶來類似好處的寬松做法”。

根據市場追蹤機構Gartner的數據，全球前五大半導體設備公司占整個市場的70%以上的設備，大多為美國制造。此舉將使韓國兩大存儲芯片制造商在中國的運營難度大增，限制措施也沖擊到美國半導體設備供應商，包括科磊（KLA Corp）、科林研發（Lam Research）和應用材料（Applied Materials）。

韓國《中央日報》報道稱，根據三星發布的公司治理報告，該公司去年向中國半導體工廠添加了總價值3400 萬美元的設備。其中包括2100萬美元用于其位于蘇州的封裝工廠和1300萬美元用于其位于西安的 NAND 閃存生產設施。同樣在中國生產 DRAM 芯片的SK 海力士的投資甚至更大。該公司去年將價值8300 萬美元的設備轉移到其位于無錫的 DRAM 工廠、位于重慶的封裝工廠以及從英特爾手中收購的位于大連的 NAND 閃存工廠。僅在3月份，就有價值3200萬美元的設備從韓國運往無錫晶圓廠。兩家公司都以“生產效率”為轉移設備的原因。

SK海力士在一份聲明中表示，“將與韓國和美國政府保持密切溝通，并采取必要措施，盡量減少對我們業務的影響”。

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