“存儲”即未來！吃透【存儲芯片】3大關鍵賽道（附核心競爭標的）

01 產業鏈全景圖

02 存儲行業

存儲芯片本質是半導體做的 “電子記憶倉庫”，專門用來存放數據和程序，不管是手機、電腦這類消費電子產品，還是企業數據中心、云計算平臺、高性能計算系統，要實現數據存儲功能都離不開它，是核心關鍵部件。

目前半導體存儲市場里，DRAM 和 NAND Flash 是絕對主力，其中 DRAM 占了約 55.9% 的市場份額，NAND Flash 占比大概 44.0%，兩者幾乎壟斷了整個存儲賽道。具體分類如下：

目前主流的DRAM 和 NAND Flash對比如下：

行業周期正值上行

存儲市場的周期屬性特別明顯，現在正處在往上走的上行期。

回頭看歷史數據，2020 到 2021 年全球存儲市場漲得很猛，核心是供需兩端一起發力：一方面存儲工藝越來越成熟，原廠能造更多芯片，另一方面終端需求也在擴大，雙重刺激下市場一路走高。尤其是 2021 年，半導體行業出現產能短缺，下游模組廠商為了保住市場份額，不停追加訂單囤貨，直接帶火了整個存儲芯片市場。

但到了 2022 年，受宏觀環境、俄烏沖突等影響，半導體存儲行業進入下行周期，消費電子需求和出貨量都跟著下滑。不過經過一段時間的調整，上游原廠減少產能、消化了庫存壓力，供給端慢慢收縮；再加上下游需求回暖，消費電子、AI 服務器這些市場都變得景氣起來。多因素疊加下，2024 年存儲行業市場規模明顯回升，正式開啟新一輪上行周期。

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03 行業競爭格局及標的梳理

03-1、DRAM：三足鼎立，國產突破

DARM從2025年初開始就原地起飛，價格一路飆升：

全球 DRAM 市場是典型的 “三巨頭說了算” 的寡頭壟斷格局，三星、SK 海力士、美光三家原廠牢牢占據主導地位，國內目前只有長鑫存儲實現了規模化突破，站穩了腳跟。

隨著 AI 需求爆發，原廠紛紛把產能和擴產重點轉向 DDR5、HBM 這類高毛利產品，逐漸退出 DDR4 等利潤較低的利基市場，這直接導致 DRAM 相關產品供給收緊，價格有望持續上漲。

從具體市場份額來看，根據 CFM 閃存數據，2025 年二季度 SK 海力士份額漲到 38.2%，登頂全球第一，還進一步拉開了和三星的差距；三星以 33.5% 位列第二；美光穩坐第三把交椅，份額 22.0%，對應營收達 71 億美元。

國內方面，Counterpoint 預測顯示，長鑫存儲今年 DRAM 出貨量將同比增長 50%，在全球 DRAM 市場的出貨份額預計突破 5%。這一突破不僅填補了國內高端存儲領域的空白，更在全球供應鏈中撐起了新的競爭支點。

新興方向-HBM

HBM 是采用 3D 堆疊 + 硅通孔（TSV）技術的高性能 DRAM，憑借高帶寬、低延遲的核心優勢降低傳輸損耗，直接打破芯片性能瓶頸。

HBM 作為 AI / 高性能計算核心存儲，市場集中度遠超傳統 DRAM，SK 海力士、三星、美光三巨頭主導格局：SK 海力士先發領跑 HBM3/HBM3E，三星技術迭代追趕，美光靠客戶合作擴份額；國內長鑫存儲實現技術突破，成潛在競爭者。

產品端三巨頭各有側重：三星全產業鏈布局，海力士聚焦 HBM；產能上三星規劃最大，海力士與美光相當，合肥長鑫加速追趕。

核心企業

全球來看，三星+美光+海力士的壟斷地位依舊穩健，最新情況如下：

國產企業以長鑫為代表，正在突破全球的壟斷。長鑫在 DRAM 領域走 DDR4 與 DDR5 “雙線并行” 路線，2019 年就實現 8GB DDR4 產品量產，成功撕開三星、SK 海力士、美光三巨頭的壟斷格局，成為國內首個規模化突破的企業。

長鑫 DRAM 實現 DDR4/DDR5 雙線布局：2023 年推出 LPDDR5 系列并獲小米等驗證。IPO 擬募資 345 億元用于技改、研發及擴產，上市后將加速國產份額提升，補齊行業短板并帶動產業鏈發展。

03-2、存儲：NAND Flash

全球 NAND Flash 市場是典型的 “四大巨頭主導” 格局，三星、SK 海力士、鎧俠、美光牢牢掌控市場，供給端整體穩定，頭部廠商擴產節奏偏謹慎；國內長江存儲實現技術突破后穩步提升份額，已成為全球市場中不可忽視的供給力量。

AI 服務器需求爆發直接帶火企業級 SSD，這類高端應用對高良率 NAND 晶圓消耗極大，再加上先進制程產能爬坡速度有限，行業呈現出 “總量供給平穩、高端產能緊缺” 的核心特征。

2025 年二季度全球 NAND Flash 市場穩健增長，據 TrendForce 數據：三星以 32.9% 市占率穩居第一，SK 集團 21.1% 位列第二，鎧俠（13.5%）、美光（13.3%）、閃迪（12%）分列三至五位。當前競爭格局已明確：韓系廠商通過減產穩定價格，國內頭部存儲企業則憑借技術突破與產能擴張加速追趕，全球市場正迎來新的競爭平衡。

產能方面，截至 2025 年三季度，全球 NAND 月產能約 170 萬片（12 英寸晶圓）：三星 60 萬片、SK 海力士 30.8-36.8 萬片、美光 23 萬片、鎧俠 / 西部數據合計 40 萬片，長江存儲快速追趕。

技術端：三星量產 286 層（后續規劃 400 層 +），SK 海力士量產 321 層（計劃 400 層），美光量產 276 層，鎧俠 / 西部數據量產 218 層；國產長江存儲量產 232 層，旺宏量產 192 層。

核心企業

03-3、NOR Flash（非易失性閃存）

NOR Flash 是一種 “小而快” 的非易失性閃存，就像電子設備里的 “隨身記事本”—— 容量不大（通常以 MB 為單位），但讀取速度快、穩定性強，斷電后數據也能長期保留。

它的核心優勢是 “讀得快、用得穩”，適合存儲需要快速啟動、頻繁讀取的小體量數據，比如手機、路由器的啟動程序（BIOS）、物聯網傳感器的固件、汽車電子的控制程序等。和 NAND Flash（“大容量硬盤”）不同，NOR Flash 不用先整片擦除就能讀取單個數據，啟動效率更高，但寫入 / 擦除速度較慢、單位容量成本高，所以不適合存海量文件。

簡單說，NOR Flash 的定位是“嵌入式設備的啟動與控制存儲”，靠 “快、穩、小” 的特點，成為各類電子設備里不可或缺的 “小核心”。

核心格局

全球 NOR Flash 市場呈現 “國際巨頭穩守核心、國內企業快速追趕” 的格局：國際巨頭曾靠技術與產能優勢占據核心份額，后來逐步退出，華邦、旺宏、兆易創新憑借成熟工藝和全品類覆蓋站穩領先位置。

這個市場看似分散，但頭部集中度不低，前四大廠商華邦、旺宏、兆易創新、賽普拉斯合計占據 74.6% 份額，話語權集中。

國內除兆易創新外，普冉股份等企業也實現技術突破與規模化量產，在消費電子、物聯網等中低端細分領域形成強競爭力，國產化替代進程持續提速。

核心企業

04 下游需求旺盛

存儲芯片下游應用廣泛，手機是最大需求端，占比 38.7%，服務器、電腦、消費電子、顯卡依次以 15.0%、12.9%、9.4%、7.4% 的占比緊隨其后。

5G 落地與數字經濟發展催生海量數據存儲需求，全球數據總量呈爆發式增長，如同蓄水池水量持續涌入，需要更大容量的存儲載體承接。

存儲芯片直接決定手機、電腦等終端設備的存儲容量、運行速度與軟件流暢度，也是數據中心和服務器承載海量數據、支撐互聯網服務與云計算的核心組件。

隨著移動智能終端與數據中心服務器需求攀升，全球存儲器市場規模隨之擴大。

AI端側爆發

在 AI 端側領域，AI 智能手機、AIPC、AI 眼鏡及智能駕駛等新場景正加速落地，帶動 AI 端側應用對存儲產品的需求進入爆發式增長階段。

據弗若斯特沙利文數據，2024 年 AI 端側存儲市場規模已達 179 億美元，2025 至 2029 年期間該市場增速將達到 36.4%，這一增速如同賽道中的領跑者，在存儲芯片所有下游應用領域中位居首位。

人工智能服務器、智能駕駛、物聯網等多元場景需求，如同多臺引擎驅動各類存儲產品差異化增長，共同推動市場擴容。據機構數據：

LPDDR：2025-2029 年復合年增長率（CAGR）達 15.7%，是存儲賽道的領跑者，較 2020-2022 年 3.1% 的增速大幅躍升，主要因服務器和 AI 端側對高帶寬、低功耗存儲的需求激增。

內存模塊：同期 CAGR 為 14.8%，由數據中心和汽車電子對 DDR5 等新一代內存的需求推動，在 AI 服務器、智能駕駛域控制器中表現突出。

嵌入式存儲：同期 CAGR 為 7.2%，受智能汽車、移動設備和端側 AI 對高集成度存儲的需求拉動。

固態硬盤（SSD）：同期 CAGR 為 6.0%，受益于數據中心、端側及工業應用的持續存儲需求。

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