存儲芯片，將缺貨到2028

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半導體行業觀察人士表示，存儲器市場已進入長期上升周期，DRAM 和 NAND 的供應短缺狀況可能至少持續到 2028 年。

歷史上，內存供應商的供應一直處于供過于求和供不應求的狀態，時而需求旺盛，時而供不應求，時而庫存積壓，利潤暴漲暴跌，供應過剩后又會陷入斷供。然而，這一次，人工智能訓練和推理工作負載驅動的需求正在重塑這一周期。內存需求的激增如此強勁，以至于制造商需要數年時間才能擴大產能以滿足需求。

從美光半導體內存產品的收入和利潤來看，就可以看出傳統的從供過于求到供過于求的模式：

2016年至2018年需求急劇上升，2019年和2020年跌至谷底，2021年和2022年再次攀升，然后在2023年再次下滑。此后，需求在2024年和2025年持續增長，進入2026年后仍未見放緩跡象。

美光科技在去年12月發布2026財年第一季度業績報告時表示，持續的行業需求加上供應限制，導致市場供應緊張，預計這種情況將持續到2026年以后。這意味著市場上行周期至少會持續三年，甚至可能更久。

推動這一趨勢的主要因素是用于人工智能訓練和推理的GPU中的高帶寬內存（HBM）。超大規模GPU計算供應商正在消耗越來越多的HBM，美光預測，到2028年，HBM總潛在市場將以約40%的復合年增長率增長，從2025年的約350億美元增長到2028年的約1000億美元。

AI 工作負載對 NAND 的需求往往跟隨 HBM 的增長，這表明當前的上升周期可能會從 2024 年持續到 2028 年。

美光并非唯一一家觀察到這種模式的公司。SK海力士自2016年以來的季度營收數據顯示，經歷了兩個相對溫和的需求周期后，近年來出現了更為強勁的增長。

布魯姆斯伯里情報與安全研究所指出：“全球內存市場正經歷一場結構性危機，其原因是制造商將晶圓產能從通用動態隨機存取存儲器（DRAM）重新分配到用于人工智能（AI）應用的高帶寬內存（HBM）上。因此，DRAM價格同比上漲了171%，而DDR5現貨價格自2025年9月以來已經翻了兩番。”

這種情況會持續多久？“存儲器價格可能在2027-2028年期間保持高位，只有當新的制造設施實現量產時，價格才有可能部分恢復正常；如果隨著產能的擴張，人工智能需求放緩，那么2028-2029年出現供應過剩的情況仍然很有可能。”

行業分析公司 IDC 也將這種情況描述為半導體超級周期，并表示：“在經歷了 2023 年的調整和 2024 年的復蘇之后，2024 年至 2028 年的長期半導體收入增長仍有望實現兩位數的復合年增長率。”

對于存儲行業而言，這意味著更高的NAND閃存成本和更長的交付周期。廠商們已經開始采取應對策略，例如VAST的閃存回收方案和VDURA強調將數據從固態硬盤分層存儲到機械硬盤以降低對固態硬盤需求的策略。

我們預計混合閃存和磁盤存儲供應商會傳遞類似的信息，同時數據管理供應商也會推廣將非關鍵數據從固態硬盤 (SSD) 遷移出去并應用數據縮減技術，以便在更少的 NAND 閃存中存儲更多信息。根本性的供應限制問題沒有簡單的解決辦法；業界充其量只能致力于改善現狀。

https://blocksandfiles.com/2026/01/21/the-memory-supercycle/

（來源：編譯自blocksandfiles）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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