英特爾和聯電，世紀大合作？

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英特爾與聯電傳將進行「世紀大合作」，英特爾要把獨家用于下世代埃米級制程與先進封裝關鍵的獨家技術「Super MIM」超級電容授權聯電，聯電技術能力將大躍進，雙方并將攜手搶攻AI世代大商機，樹立臺美半導體合作新里程碑。

對于相關消息，聯電表示，目前與英特爾的合作重心仍放在12納米平臺，持續強化制程競爭力與客戶服務，但未來不排除擴大合作范圍，朝更多元技術領域發展。

消息人士透露，聯電內部已有專門團隊開始對此新合作「動起來」。英特爾則不評論。

業界指出，隨著晶體管尺寸持續微縮，芯片在高負載運算時會出現劇烈瞬時電流需求，傳統去耦電容面臨容量密度不足或漏電流過高等瓶頸，已難以支撐埃米級芯片運作穩定。

Super MIM是英特爾揮軍埃米級制程的關鍵技術，藉由該電容技術，解決先進制程下電源噪聲與瞬時功率波動問題，堪稱英特爾邁入下世代制程節點的秘密武器。

據了解，英特爾Super MIM超級電容采用鐵電鉿鋯氧化物（HZO）、氧化鈦（TiO）、鈦酸鍶（STO）等材料堆疊，可在相容既有后段制程（BEOL）的情況下，大幅提升單位面積電容密度，并顯著降低漏電水準。

該技術可在芯片內部即時提供瞬間電流支援、抑制電壓下陷與電源雜訊，被視為18A等埃米級制程能否順利量產的關鍵電力基礎模組之一。

消息人士透露，英特爾正規劃優先將Super MIM超級電容技術向下導入與聯電既有合作的12納米／14納米制程平臺，并延伸至先進封裝相關應用。

業界分析，透過取得英特爾相關授權，聯電在關鍵電力技術先行商品化與模組化再邁進大步，并建立其成熟先進制程與先進封裝領域差異化技術門檻。

若聯電成功導入英特爾Super MIM超級電容技術，將不僅是單一制程優化，而是取得「先進電力模組」這項跨世代關鍵能力，有助其切入AI加速器、高速運算、先進封裝電源層等高附加價值應用，對聯電整體技術平臺與客戶結構具指標意義。

什么是Super MIM？

要了解Super MIM，讓我們先從晶體管角度出發，接著再依據制造順序由小至大探討。 FinFET 鰭片式晶體管突出于矽基板，就像是矽基板上方長出許多片狀結構，SuperFin 技術強化源極、汲極等磊晶，進而提升應力、縮減電阻、通過更多電流。另一方面同時提供更寬的閘極選項、改善制程，以便提升通道的遷移率，提供更高的驅動電流，對于高效能芯片設計是不可或缺的改進。

在晶體管之上，首先碰觸到晶體管的數層電路，SuperFin 縮減緊鄰線路的阻障層（barrier）厚度，Intel 宣稱能夠減少通孔電阻達30％。再往上線徑較寬、線距較大的數層電路，內嵌采用metal-insulator-metal（金屬-絕緣體-金屬）結構的電容，Intel 更進一步采用新型Hi-K 介電材料，讓占據相同面積的MIM 電容，擁有5 倍的容值，降低電壓驟降（Vdroop）情況，稱之為Super MIM。

（來源：經濟日報）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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