突然，飆漲90%！芯片，利好突襲！

存儲的漲價潮仍在持續！

2月9日，市場研究公司Counterpoint表示，截至2026年第一季度，內存價格環比上漲80%—90%，迎來前所未有的創紀錄暴漲。

另外，高盛大幅上調了DRAM供應短缺預期，并發出警告稱，市場正處于過去15年來最嚴重的存儲芯片供應短缺前夜。而在幾天之前，TrendForce集邦咨詢全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產品價格季度增長幅度，預估整體Conventional DRAM合約價將從1月初公布的季增55%—60%，改為上漲90%—95%。

今日，在韓國證券市場上，存儲芯片概念股集體大漲，SK海力士漲近6%，三星電子漲近5%。在A股市場上，存儲芯片概念股也集體走強，炬光科技漲超17%，國芯科技漲超12%，復旦微電漲近10%，兆易創新、長電科技等漲超6%。

一季度內存價格飆升90%

Counterpoint發布的《2月內存價格追蹤報告》顯示，截至2026年第一季度，內存價格環比上漲80%—90%，本輪上漲的主要推手是通用服務器DRAM價格大幅攀升。此外，去年第四季度表現相對平穩的NAND閃存，在第一季度也同步上漲80%—90%。疊加部分HBM3e產品價格走高，市場正呈現全品類、全板塊全面加速上漲態勢。

以服務器級內存為例，64GB RDIMM合約價已從去年第四季度的450美元，飆升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元關口。高級分析師Jeongku Choi指出：“存儲器行業盈利水平預計將達到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM營業利潤率已達到60%區間，這是通用DRAM利潤率首次超過HBM。2026年第一季度，DRAM利潤率將首次突破歷史峰值。盡管如此，這一水平要么成為新的常態，要么形成極高的基準——當前看似穩固，但一旦進入下一輪下行周期（若發生），市場表現可能會更加慘淡。”

此外，TrendForce集邦咨詢最新數據顯示，受惠于AI浪潮的推升，存儲器與晶圓代工產值均將在2026年同步創下新高。存儲器產業受供給吃緊與價格飆升影響，產值規模大幅擴張至5516億美元。盡管晶圓代工產值同步創下2187億美元的新高紀錄，但存儲器產值規模已攀升至晶圓代工的2倍以上。

上一次存儲器超級循環落在2017—2019年，主要由云端數據中心建置需求所驅動，存儲器產值當時也與晶圓代工拉開了顯著差距。然而，此次由AI需求驅動的循環與前一次相比，缺貨的狀況更為全面。AI產業重心由模型訓練轉向大規模推理應用，更強調實時響應能力與數據存取效率，帶動服務器端對高容量、高帶寬DRAM的需求持續擴大，單機搭載容量亦同步提升。除此之外，英偉達在Vera Rubin平臺的推廣中，強化了對高效能存儲的需求，提升Enterprise（企業級）SSD的重要性。為了在Token生成效能與成本之間取得平衡，業者正加速采用大容量QLC SSD以應對海量數據存取。

另一方面，客戶的需求也已顯著改變，不同于過去以終端客戶為主，此次搶貨潮由CSP（云端服務供應商）拉動，不僅采購量呈指數級成長，對價格的敏感度相對較低，使得價格漲幅同樣超越前一次超級循環，并創下新紀錄。

此前，TrendForce集邦咨詢全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產品價格季成長幅度，預估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公布的季增55%—60%，改為上漲90%—95%，NAND Flash合約價則從季增33%—38%上調至55%—60%，并且不排除仍有進一步上修空間。

高盛大幅上調存儲芯片供需缺口預期

據追風交易臺，知名投行高盛在2月8日的報告中表示，2026—2027年全球存儲器市場將經歷歷史上最嚴重的供應短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大。

高盛最新預測顯示，2026年和2027年DRAM供不應求幅度將達到4.9%和2.5%，遠超此前預期的3.3%和1.1%。其中，2026年的供應短缺將是過去15年以來最嚴重的一次。

驅動這一緊張局面的核心因素在于服務器需求的爆發式增長。高盛將2026年/2027年服務器DRAM（不含HBM）需求預期上調6%/10%，預計這兩年的增長率將分別達到39%和22%。如果將HBM計算在內，服務器相關DRAM需求將占全球總需求的53%和57%，服務器已成為DRAM需求最重要的驅動力。不過，高盛下調了PC和智能手機的DRAM需求預期。

NAND市場的供需格局同樣大幅收緊。高盛預計2026年/2027年NAND供不應求幅度為4.2%/2.1%，高于此前預期的2.5%/1.2%，這將是NAND行業歷史上最大規模的短缺之一。其中，企業級SSD需求的強勁增長是主要推動力。高盛將2026年/2027年企業級SSD需求預期上調14%/14%，預計增長率將達到58%/23%，在全球NAND需求中的占比將升至36%/39%。

銀河證券指出，1月份，存儲市場延續2025年四季度以來的強勢上漲態勢，DRAM和NAND閃存價格漲幅持續超預期。三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價大幅上調，其中NAND閃存供應價格上調超100%，DRAM價格漲幅達60%—70%。漲價核心驅動因素包括：AI服務器對HBM需求爆發、數據中心資本開支加碼、產能結構性調整等，供需缺口持續擴大，預計本輪漲價周期將延續至2026年年中。當前時點，是存儲芯片賽道下一輪周期的新起點，在AI服務器需求高速增長疊加國產替代，看好國內存儲產業鏈相關上市公司的投資機遇。

招商證券表示，2026年一季度以來各類存儲產品價格環比急劇上漲，目前在能見度范圍內今年存儲價格持續上漲可期，同時2026年全球新增供給有限，預計存儲緊缺趨勢將延續至2027年。在價格與需求共振情況下，今年海內外存儲將迎來業績釋放大年，后續市場價格趨勢和各環節公司業績增長持續性是核心關注點，建議關注存儲+設備+產業鏈三大核心環節相關公司。

責編：楊喻程

排版：汪云鵬

校對：李凌鋒