全球首秀！英特爾亮出ZAM內(nèi)存原型：單芯 512GB、功耗砍半，正面硬剛HBM

英特爾與軟銀合作開發(fā)的下一代AI內(nèi)存技術(shù)Z-Angle Memory（ZAM）完成全球首次公開亮相，這項旨在挑戰(zhàn)高帶寬內(nèi)存（HBM）市場主導(dǎo)地位的新技術(shù)展示了顯著的性能優(yōu)勢。該產(chǎn)品采用垂直堆疊架構(gòu)，有望在降低功耗的同時大幅提升容量。

周三，根據(jù)Wccftech的報道，早期數(shù)據(jù)顯示ZAM可將功耗降低40%至50%，單芯片容量最高可達512GB，并通過Z-Angle互連技術(shù)簡化生產(chǎn)流程。這些特性使其成為應(yīng)對當(dāng)前AI應(yīng)用能耗瓶頸和供應(yīng)鏈緊張的潛在解決方案。

軟銀子公司SAIMEMORY于2月3日在Intel Connection Japan 2026活動上首次展示了ZAM原型產(chǎn)品。英特爾在博客文章中透露，原型產(chǎn)品計劃于2027年推出，全面商業(yè)化預(yù)計在2030年實現(xiàn)。

英特爾政府技術(shù)部門首席技術(shù)官、英特爾院士Joshua Fryman博士出席了此次活動。SAIMEMORY由軟銀、英特爾和東京大學(xué)于2024年12月共同創(chuàng)立，并于2025年6月正式啟動運營，現(xiàn)任總裁兼首席執(zhí)行官為Hideya Yamaguchi。

垂直堆疊突破散熱瓶頸

據(jù)PC Watch報道，傳統(tǒng)內(nèi)存采用平面堆疊結(jié)構(gòu)，但這一設(shè)計正因功耗和散熱限制接近極限。當(dāng)前設(shè)計已將16層堆疊推至接近最大值，20層被視為上限。

ZAM以Z軸命名，采用垂直堆疊芯片的設(shè)計。PC Watch指出，與傳統(tǒng)DRAM相比，這種設(shè)計承諾實現(xiàn)更低功耗、更高容量和更寬帶寬。通過垂直堆疊，每個芯片產(chǎn)生的熱量可均勻向上傳導(dǎo)，解決了長期困擾平面堆疊的散熱難題。

Wccftech援引英特爾的說法稱，這一架構(gòu)的主要優(yōu)勢在于其卓越的熱管理能力。

技術(shù)路徑瞄準(zhǔn)HBM與DDR之間空白

這款新內(nèi)存產(chǎn)品預(yù)計將采用英特爾的下一代DRAM鍵合（NGDB）技術(shù)。桑迪亞國家實驗室1月發(fā)布的信息顯示，當(dāng)前高帶寬內(nèi)存往往以犧牲容量等性能來換取更高帶寬。

NGDB技術(shù)旨在消除這種權(quán)衡，在HBM和傳統(tǒng)DDR DRAM之間架起橋梁，同時提供顯著更高的能效。

根據(jù)軟銀發(fā)布的新聞稿，ZAM項目的原型產(chǎn)品預(yù)計在截至2028年3月31日的財年內(nèi)完成，商業(yè)化目標(biāo)鎖定2029財年。英特爾院士Joshua Fryman博士在聲明中表示，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存架構(gòu)無法滿足AI需求，英特爾開發(fā)的新架構(gòu)和組裝方法在提升DRAM性能的同時降低了功耗和成本。

PC Watch報道稱，SAIMEMORY強調(diào)其強大的合作伙伴關(guān)系，包括與軟銀和英特爾的合作，以及由國內(nèi)外投資者和供應(yīng)鏈合作伙伴組成的網(wǎng)絡(luò)。這表明英特爾可能并非SAIMEMORY唯一的全球合作伙伴。

軟銀與英特爾的這一合作旨在在HBM主導(dǎo)的市場格局中開辟新路徑，直指當(dāng)前AI面臨的能耗瓶頸和供應(yīng)鏈緊張難題。