DRAM短缺真相、臺積電與英特爾的反擊

我是芯片超人花姐，入行20年，有50W+芯片行業粉絲。有很多不方便公開發公眾號的，關于芯片買賣、關于資源鏈接等，我會分享在朋友圈。

掃碼加我本人微信

作者簡介：

大山聡，格羅斯伯格聯合公司代表，他擁有慶應大學研究生院管理工程碩士學位。1985年加入東京電子。他曾擔任銷售工程師，1992年加入數據探索（現為 Gartner），并在半導體行業分析部擔任高級行業分析師。 他于2004年加入富士通，擔任電子設備部、管理戰略部總經理和總經理，參與半導體部門的分拆工作。他于2010年加入iSupply（現為Omdia），負責半導體和二次電池的調查和分析。2017年，他創立了格羅斯伯格合辦公司，負責研究和咨詢。

此前筆者曾撰寫，獲得了大量讀者的反饋與評論。拙文能夠得到諸多讀者的關注與閱讀，深感榮幸，謹借此機會表示感謝。不過，由于一次性列舉了 10 個項目，整體上難以進行深入分析，不可否認有些部分只是略作介紹便草草收尾。本次將從這 10 個項目中，選取其后仍成為眾多人士討論焦點的 3 個問題，再次梳理 2026 年的關注點。

01

關于 DRAM 市場的前景

DRAM 市場的前景，或許是當前最受關注的話題。稍作回顧可以發現，在 2025 年 10 月時尚未成為熱點。如今看來，10 月初曾有報道稱“OpenAI 正與主要 DRAM 廠商就 DRAM 供應進行磋商”，或許正是從那時起出現了 DRAM 緊缺的征兆。然而，筆者本人當時并未意識到這一點。到了 2025 年 11 月，DDR5 現貨價格開始急劇上漲，市場突然熱議此事。原因如上次所述，是面向數據中心的 AI 需求增加。

進一步而言，主要原因包括：在 HBM（高帶寬存儲器）領域占據最高市場份額的 SK海力士減少了常規 DRAM 的量產份額，加速 HBM 擴產；三星與美光也以數據中心需求加速增長為由，將常規 DRAM 的出貨重點轉向數據中心。這一動向似乎不會只是暫時現象。幕后推動者是NVIDIA。

NVIDIA 與主要 DRAM 廠商共同開發了名為 SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）的新規格，為擴充數據中心 AI 功能，提出不僅使用 HBM，也利用常規 DRAM 的戰略。HBM 與常規 DRAM 在芯片結構上不同，且需與 GPU 同封裝，擴展性有限。相比之下，SOCAMM 雖然速度不及 HBM，但可使用常規 DRAM，且為模塊形式，具備擴展性。

對 DRAM 廠商而言，如果同樣的 DRAM 能以高于 PC 或智能手機用途的價格銷售，選擇配合 NVIDIA 顯然更為有利。SOCAMM 規格自 2025 年上半年已存在，但采用案例并不多。到 2025 年下半年，SOCAMM2 完成規格制定，預計將于 2026 年正式啟動需求。

這便是 2025 年底至 2026 年初 DRAM 市場發生的動向。

DRAM 單價在 2026 年 2 月仍持續上漲，其影響也帶動了 NAND 閃存需求增加與價格上升。主要原因包括：數據中心 SSD 需求與 DRAM 需求增長聯動；PC 與智能手機廠商為應對 DRAM 緊缺，試圖通過提高存儲容量（SSD）來彌補規格。

近期還有一個特點是，許多研究機構預測“2026 年 PC 與智能手機市場將呈負增長”。這并非由于需求減少，而是因為內存采購變得困難，即便勉強采購，零部件成本上升，也不得不限制生產數量。

那么，這種狀況將持續多久？DRAM 緊缺是否會長期持續？

世界存儲器市場規模與增長率走勢；出處：WSTS（世界半導體市場統計）

從過往模式來看，存儲市場增長率在 2017 年年中達到峰值，2019 年年中觸底；2021 年后半年達到峰值，2023 年年中觸底，呈現約 4 年周期。如果按此模式推算，則 2025 年為峰值、2027 年為谷底。然而復雜之處在于，僅看增長率的話，峰值已在 2024 年出現，2025 年上半年下降、下半年回升，呈現不同于以往的走勢。從圖表可以清楚看到兩點：本輪出貨規模遠高于前兩輪峰值，且截至目前尚未確認已見頂。

關于未來展望，較多觀點認為：“DRAM 緊缺幾乎可以確定持續至 2026 年底”、“DRAM 主要用戶已開始討論 2027 年的采購計劃”、“到 2028 年 DRAM 緊缺有望得到緩解”。

筆者則在本連載中提出“2026 年下半年情況可能會發生變化”的看法。這一觀點屬于少數派，常被問及理由。筆者認為原因在于：當前緊缺與爭搶狀況已顯過熱，用戶之間為避免在爭搶中落敗，可能下達超出實際需求的訂單，導致虛假需求膨脹。數年前車用半導體短缺演變為社會問題時，也曾因用戶爭搶而推高虛假需求，最終引發大量庫存問題。目前 DRAM 的虛假需求膨脹幾乎可以確定。問題在于，這種狀況何時顯現，爭搶何時終止。正因為無法判斷這一時間點，各方看法才出現分歧。

02

臺積電熊本廠改為量產 3nm 的計劃變更

據稱，臺積電在熊本縣建設的第一工廠稼動率低迷在 50% 左右。在這種情況下，關于正在建設中的熊本第二工廠，相關人士之間開始出現擔憂——“是否應該按原計劃作為對應 6nm至40nm 制程的半導體工廠投入運營”、“如果繼續維持這種傳統制程，是否會像第一工廠一樣稼動率低迷”。一度甚至傳出“施工現場多臺運轉中的起重機不見了”、“接下來該怎么辦”等議論。到了 2025 年底，又流傳出“是否會上馬 4nm”、“甚至可能是 2nm”等引入最先進制程的傳聞。2026 年 2 月 5 日，TSMC 正式宣布“將在熊本第二工廠啟動 3nm 生產線”。

筆者也聽到“日本沒有 3nm 客戶”、“這是高市內閣為選舉鋪路的策略”等說法，但筆者并不這么認為。傳統制程因需求低迷而產線空閑，最先進制程卻因需求過剩而產線滿載。既然如此，在第二工廠導入最先進制程應是必然的判斷。正如筆者在上一篇文章中所述，“臺積電似乎樂于在建設成本和工廠運營成本低于美國的日本量產最先進制程”，問題并不在于“日本是否有客戶”，而是在于“在哪里更容易生產”。似乎更被重視的是“在更容易生產的地方生產”。

筆者也希望，不僅是晶圓前段工序，包括 CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）這樣的最先進封裝工序也能在日本實現。實際上，臺積電已在茨城縣筑波市設立了相關研究所。如今，CoWoS 的生產能力甚至被稱為“AI 處理器生產的瓶頸”，已成為極為關鍵的環節。本來希望日系廠商能夠運用這樣的先進技術，在半導體產業中奮力拼搏。但遺憾的是，曾在全球半導體產業中爭奪領先地位的日本大型電機廠商似乎完全沒有這樣的想法?；蛟S他們并不愿意參與日本政府提出的半導體戰略。關于這一點，在此不再深入。

03

英特爾復活的關鍵是“EMIB-T”嗎？

無論好壞，近來英特爾本身成為話題的機會減少，市場更多集中在“NVIDIA 會增長到何種程度”、“是否只有臺積電才能制造”、“DRAM 價格會上漲到哪里”等議題。這些全部都與 AI 有關——推動 AI 的 NVIDIA、負責制造的臺積電、被 AI 大量消耗的 DRAM，形成了緊密關聯。也就是說，如今的半導體行業幾乎只圍繞 AI 展開，其他領域被排在次要甚至更次要的位置。

未能搭上 AI 浪潮的英特爾也不例外。不過，英特爾的最先進封裝技術“EMIB-T”開始受到關注。原因在于臺積電的 CoWoS 成為瓶頸，作為替代技術，英特爾的 EMIB-T 被看好。有未經確認的信息稱，Apple、Qualcomm、Broadcom、Google 等公司正在考慮采用 EMIB-T。Broadcom 和 Google 可能用于數據中心領域，而 Apple 和 Qualcomm 則可能考慮用于智能手機。以 Apple 為例，或許是前段制造在臺積電進行，后段采用英特爾的 EMIB-T，再搭載于 iPhone。

“EMIB-T”概述；出處：Intel

目前尚未決定采用與否，未來如何仍未可知。但如果英特爾的制造功能能夠以代工形式被利用，即便是后段工序，也可能成為復活的契機。英特爾宣布制造部門分拆是在 2024 年 9 月，但此后并未具體推進。

順便提及，截至2025年12月末，英特爾的有形固定資產為 1054 億美元，其中大部分被認為屬于制造部門資產。要為約 1000 億美元的工廠資產出資并運營，而且限定為美國企業，候選者并不多。此前筆者也如此認為，但有人提出“是否存在 Tesla 收購的可能性？Tesla 似乎希望擁有自有半導體工廠（TeraFab）”。從常識來看難以想象，但 Tesla 的 CEO 似乎并非按照常識行事?；蛟S像筆者這樣的凡人，不應輕易斷言“絕無可能”。

以上選取三點進行深入討論。今后的動向仍值得關注。

我是芯片超人花姐，入行20年，經手10億+RMB芯片采購。

原創寫了9年文章，有50W+芯片行業粉絲。

有很多不方便公開發公眾號的

關于芯片買賣、關于資源鏈接等

我會分享在朋友圈

掃碼加我本人微信

來源：內容由芯世相（ID：xinpianlaosiji）編譯自「EE Times Japan」，作者：大山聡

點擊查看往期內容