全球首只！純內(nèi)存芯片ETF上市

美東時間4月2日，由Roundhill Investments推出的全球首只純內(nèi)存芯片ETF——Roundhill Memory ETF（代碼"DRAM"）正式登陸美股，為投資者提供了直接布局AI基礎(chǔ)設(shè)施核心賽道的新途徑。

這只被定位為"純內(nèi)存ETF"的產(chǎn)品上市首日即引發(fā)市場關(guān)注，周一收報29.16美元，較發(fā)行價上漲5.04%，反映出當(dāng)前內(nèi)存市場的火爆程度。

關(guān)于Roundhill Investments

作為發(fā)行方的Roundhill Investments，成立于2018年，是一家在美國SEC注冊的投資顧問公司，專注于推出創(chuàng)新型交易所交易基金。

公司由Timothy J. Mazza創(chuàng)立，他此前曾擔(dān)任Direxion的董事總經(jīng)理兼產(chǎn)品主管，擁有豐富的ETF產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗。目前Roundhill運營著19只ETF，主要集中在科技前沿行業(yè)，包括與減肥藥相關(guān)的GLP-1 & Weight Loss ETF（OZEM）、元宇宙相關(guān)的Metaverse ETF（METV）和"中國龍"ETF（DRAG）等創(chuàng)新產(chǎn)品。

2023年推出的Magnificant Seven ETF（MAGS）更被ETF.com評為年度"最佳新ETF"，彰顯了公司在細分領(lǐng)域ETF開發(fā)的專業(yè)能力。

全球首款"純內(nèi)存ETF"

作為全球首款"純內(nèi)存ETF"，DRAM ETF有著明確的產(chǎn)品定位和核心技術(shù)參數(shù)。該基金全稱為Roundhill Memory ETF，交易代碼為DRAM，于2026年4月2日（美東時間）正式上市，屬于主動管理型ETF，管理費率為0.65%。

這次投資標(biāo)的嚴(yán)格限定為全球內(nèi)存和存儲產(chǎn)品制造商，明確要求入選企業(yè)50%以上的收入來自HBM、DRAM、NAND等內(nèi)存相關(guān)業(yè)務(wù)，目前僅持有9只股票，行業(yè)覆蓋DRAM、高帶寬內(nèi)存（HBM）、NAND閃存及固態(tài)存儲設(shè)備（SSD）等多個細分賽道，投資區(qū)域?qū)崿F(xiàn)全球化布局，覆蓋美國、韓國、日本、中國臺灣等主要存儲芯片生產(chǎn)地區(qū)。

與傳統(tǒng)被動跟蹤指數(shù)的ETF不同，它采用主動管理模式，基金經(jīng)理可根據(jù)市場變化動態(tài)調(diào)整持倉比例，以捕捉存儲芯片行業(yè)的投資機會，而0.65%的費率在主動管理型ETF中處于中等水平，低于行業(yè)平均的0.75%，具備一定的成本優(yōu)勢。

DRAM ETF的持倉高度集中，截至4月1日披露的數(shù)據(jù)，前三大持倉占比超過73%，分別是美光科技（24.99%）、三星電子（24.22%）和SK海力士（23.83%），這三家企業(yè)占據(jù)全球DRAM市場90%以上的份額。其余持倉包括閃迪、日本鎧俠、西部數(shù)據(jù)、希捷、南亞科和華邦電等內(nèi)存大廠，覆蓋了從內(nèi)存芯片設(shè)計制造到存儲設(shè)備生產(chǎn)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

這種高度集中的持倉策略旨在最大化獲取存儲芯片行業(yè)增長紅利，特別是HBM（高帶寬內(nèi)存）作為AI服務(wù)器核心組件的爆發(fā)式需求帶來的投資機會。