美東時間4月2日,由Roundhill Investments推出的全球首只純內(nèi)存芯片ETF——Roundhill Memory ETF(代碼"DRAM")正式登陸美股,為投資者提供了直接布局AI基礎(chǔ)設(shè)施核心賽道的新途徑。
這只被定位為"純內(nèi)存ETF"的產(chǎn)品上市首日即引發(fā)市場關(guān)注,周一收報29.16美元,較發(fā)行價上漲5.04%,反映出當(dāng)前內(nèi)存市場的火爆程度。
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關(guān)于Roundhill Investments
作為發(fā)行方的Roundhill Investments,成立于2018年,是一家在美國SEC注冊的投資顧問公司,專注于推出創(chuàng)新型交易所交易基金。
公司由Timothy J. Mazza創(chuàng)立,他此前曾擔(dān)任Direxion的董事總經(jīng)理兼產(chǎn)品主管,擁有豐富的ETF產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗。目前Roundhill運營著19只ETF,主要集中在科技前沿行業(yè),包括與減肥藥相關(guān)的GLP-1 & Weight Loss ETF(OZEM)、元宇宙相關(guān)的Metaverse ETF(METV)和"中國龍"ETF(DRAG)等創(chuàng)新產(chǎn)品。
2023年推出的Magnificant Seven ETF(MAGS)更被ETF.com評為年度"最佳新ETF",彰顯了公司在細分領(lǐng)域ETF開發(fā)的專業(yè)能力。
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全球首款"純內(nèi)存ETF"
作為全球首款"純內(nèi)存ETF",DRAM ETF有著明確的產(chǎn)品定位和核心技術(shù)參數(shù)。該基金全稱為Roundhill Memory ETF,交易代碼為DRAM,于2026年4月2日(美東時間)正式上市,屬于主動管理型ETF,管理費率為0.65%。
這次投資標(biāo)的嚴(yán)格限定為全球內(nèi)存和存儲產(chǎn)品制造商,明確要求入選企業(yè)50%以上的收入來自HBM、DRAM、NAND等內(nèi)存相關(guān)業(yè)務(wù),目前僅持有9只股票,行業(yè)覆蓋DRAM、高帶寬內(nèi)存(HBM)、NAND閃存及固態(tài)存儲設(shè)備(SSD)等多個細分賽道,投資區(qū)域?qū)崿F(xiàn)全球化布局,覆蓋美國、韓國、日本、中國臺灣等主要存儲芯片生產(chǎn)地區(qū)。
與傳統(tǒng)被動跟蹤指數(shù)的ETF不同,它采用主動管理模式,基金經(jīng)理可根據(jù)市場變化動態(tài)調(diào)整持倉比例,以捕捉存儲芯片行業(yè)的投資機會,而0.65%的費率在主動管理型ETF中處于中等水平,低于行業(yè)平均的0.75%,具備一定的成本優(yōu)勢。
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DRAM ETF的持倉高度集中,截至4月1日披露的數(shù)據(jù),前三大持倉占比超過73%,分別是美光科技(24.99%)、三星電子(24.22%)和SK海力士(23.83%),這三家企業(yè)占據(jù)全球DRAM市場90%以上的份額。其余持倉包括閃迪、日本鎧俠、西部數(shù)據(jù)、希捷、南亞科和華邦電等內(nèi)存大廠,覆蓋了從內(nèi)存芯片設(shè)計制造到存儲設(shè)備生產(chǎn)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
這種高度集中的持倉策略旨在最大化獲取存儲芯片行業(yè)增長紅利,特別是HBM(高帶寬內(nèi)存)作為AI服務(wù)器核心組件的爆發(fā)式需求帶來的投資機會。
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