光刻膠相關常見術語

一、光刻膠基礎屬性術語

• PR (Photoresist)：光刻膠的簡稱，分為正膠 (Positive PR) 和負膠 (Negative PR)。正膠曝光區溶解，負膠曝光區固化。

• Sensitivity (靈敏度)：光刻膠對光能量的響應度，通常以 mJ/cm2 表示。靈敏度越高，所需曝光劑量越低。

• Contrast (對比度)：光刻膠在曝光與未曝光區域溶解速率的比值，決定圖形邊界的陡峭程度。高對比度有利于獲得清晰的CD（臨界尺寸）。

• Resolution (分辨率)：光刻膠能分辨的最小線寬或空間特征。

• Soft Bake (前烘，SB)：旋涂后低溫烘烤，去除溶劑，改善膜層均勻性。

• PEB (Post Exposure Bake，后烘)：曝光后熱處理，促進化學反應（尤其是化學放大膠 Chemically Amplified Resist）。對CD和Line Edge Roughness (LER) 有重要影響。

• Developer (顯影液)：常用 TMAH (四甲基氫氧化銨) 水溶液，用于選擇性溶解曝光/未曝光區域。

• Dissolution Rate (溶解速率)：光刻膠在顯影液中的去除速率，影響顯影窗口。

• Film Thickness (膜厚)：旋涂后的光刻膠厚度，一般 100nm~1μm。厚度會影響抗刻蝕能力與分辨率。

• DOF (Depth of Focus，景深)：曝光時焦距允許的變化范圍。光刻膠厚度與景深匹配是工藝窗口設計的關鍵。

• Etch Resistance (抗刻蝕性)：光刻膠在刻蝕（如氧等離子體、氟基氣體）中保持圖形的能力。

• Footing / T-Topping：光刻膠剖面異常形貌，底部或頂部過寬，通常由工藝不匹配引起。

• Scumming (殘膠)：顯影后在溝槽中殘留薄膜，影響刻蝕均勻性。

• Standing Wave Effect (駐波效應)：曝光光在光刻膠中形成干涉條紋，導致CD擺動。常用 BARC (底部抗反射涂層) 緩解。

• LER (Line Edge Roughness，線邊粗糙度)：光刻圖形邊界的抖動幅度，影響器件性能。

• CAR (Chemically Amplified Resist，化學放大光刻膠)：EUV/DUV光刻常用材料，依賴酸催化反應，靈敏度高，但對PEB敏感。

• EUV Resist (EUV光刻膠)：針對13.5 nm波長開發的光刻膠，面臨低吸收率與隨機噪聲挑戰。

• Outgassing (析氣)：光刻膠在EUV曝光時釋放小分子氣體，可能污染鏡頭。

• Stochastic Effect (隨機效應)：EUV光刻中，由于光子數有限而導致的隨機CD偏差與缺陷。

? 總結建議：
對于工作3年的工程師，應重點掌握光刻膠基礎屬性、工藝步驟相關術語和常見缺陷，并逐步熟悉先進節點特有的 EUV光刻膠術語。這些術語不僅要理解定義，更要能聯系到日常的工藝問題，例如 CD偏移、顯影窗口收窄、殘膠問題、抗刻蝕不足 等。

歡迎加入行業交流群，備注崗位+公司，請聯系老虎說芯