90%都被日本壟斷，如果斷供該怎么辦？這是為何？

日本在全球光刻膠市場占據90%的絕對主導地位，其供應中斷將對全球半導體產業鏈造成系統性沖擊。作為芯片制造過程中不可或缺的核心化學材料，光刻膠具有極高的技術壁壘和嚴格的質量標準，即便是具備先進工業基礎的韓國也曾面臨供應危機。

中國作為全球第二大半導體消費市場，在光刻膠領域長期依賴進口，存在顯著的供應鏈安全隱患。這一技術壟斷格局的形成，源于日本長達半個世紀的戰略性布局和持續投入。早在二十世紀五十年代，日本就前瞻性地啟動了半導體材料的基礎研究，隨后通過國家主導的"超大規模集成電路計劃"實現了關鍵材料的產業化突破。

經過數十年持續的技術積累，日本企業構建了涵蓋原材料供應、配方研發、精密制造和封裝測試的完整產業鏈。東京應化、JSR等專業材料供應商通過嚴格的技術保密措施，建立了近乎壟斷的市場地位。2019年日韓貿易爭端期間，日本對韓國的材料出口限制充分暴露了供應鏈的脆弱性，促使韓國加速推進國產化進程，但實現技術自主需要付出巨大的研發成本和時間代價。

韓國政府在過去兩年間整合了國家財政、企業資源及科研體系，集中力量推進關鍵材料的國產化替代進程。盡管取得了一定成效，但在極紫外光刻膠等高端材料領域仍無法擺脫對日本的技術依賴。材料領域的突破不僅面臨工藝技術壁壘，還需克服產品驗證周期長和市場認可度低等系統性挑戰。

相較而言，中國在半導體材料領域的起步更晚，面臨的產業環境更為復雜。長期以來，國內半導體產業更側重于設備制造、芯片設計和封裝測試環節，對上游材料的研發投入相對不足。光刻膠作為核心光刻耗材，其技術難點在于需要與光刻設備形成精密匹配，同時對生產環境的純凈度要求極為嚴苛。

市場層面的結構性矛盾尤為突出。晶圓制造商出于質量風險考慮，對采用未經市場驗證的國產光刻膠持謹慎態度；而材料供應商若無法獲得量產訂單，則難以攤薄研發成本，形成可持續發展的商業閉環。這種產業協同困境是后發國家實現材料自主化必須突破的瓶頸。

2024年，中國在光刻膠領域取得重要技術突破。武漢光電國家研究中心成功開發出具有完全自主知識產權的KrF光刻膠，其120nm分辨率指標達到國際先進水平，部分性能參數實現超越。該產品已完成全流程量產驗證，標志著我國首次構建了從基礎研發到產業化應用的全鏈條能力。

為破解驗證難題，中國政府正通過擴大成熟制程產能建設，為國產材料提供應用場景。采取"以市場培育技術"的發展路徑，從成熟工藝逐步向高端領域延伸。同時借鑒國際經驗，推動產業鏈上下游協同創新，構建完整的產業生態體系。

當前全球光刻膠市場仍由日本企業主導，尤其在極紫外光刻膠領域，日本企業持有90%的全球專利。這種技術優勢源于日本政府將半導體材料定位為國家戰略資源，通過長期政策支持形成的產業壁壘。即便在全球化供應鏈體系中，日本在關鍵材料領域仍保持著不可替代的技術制高點。

中國半導體產業的發展路徑具有鮮明的本土特色，既不同于日本依靠長期技術積累形成的產業優勢，也區別于韓國通過供應鏈緊急突圍的發展模式。中國采取的是"量變引發質變"的戰略路徑，即以市場需求為導向推動技術創新，通過政策調控促進產業鏈協同發展。這一發展模式要求產業界保持戰略定力，在材料科學等基礎領域持續投入，同時具備應對長期技術攻關的韌性。

在半導體材料領域，光刻膠等關鍵材料的研發突破具有重要的戰略意義。當前全球半導體材料產業格局顯示，這類基礎材料的競爭直接關系到國家產業安全和技術自主權。中國在半導體產業鏈各環節的技術進步，包括KrF光刻膠等關鍵材料的突破，都體現了產學研各界的協同努力。這些突破不僅獲得了資本市場的認可，也得到了政策層面的持續支持，推動中國逐步向全球半導體供應鏈的核心位置邁進。

在全球科技競爭背景下，掌握核心材料技術已成為產業自主可控的關鍵。與日本依靠技術壁壘維持優勢、韓國通過供應鏈壓力倒逼創新的模式不同，中國必須建立完整的產業鏈協同創新體系，實現技術自主可控。這一戰略不僅對半導體產業至關重要，更將深刻影響國家未來科技發展和產業安全格局。