SK海力士半導體歷史沿革與產能復盤 （更新至2025年）

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SK hynix Inc.是世界領先的半導體存儲器制造商。公司在DRAM和NAND閃存領域占據全球領先地位，并通過戰略性擴張，正成功地從專業的存儲器公司轉型為涵蓋存儲器、系統半導體和先進封裝等領域的綜合半導體解決方案提供商。公司以技術研發為驅動，積極布局人工智能（AI）、大數據和云計算等高增長市場，致（力于成為未來數字生態的核心基石。

里程碑 (1983-2025)

• 1983-02 ：現代電子工業有限公司（HEI）成立。

• 1984年 ：生產16kB SRAM。

• 1985-10 ：量產256kB DRAM。

• 1988-01 ：開發1MB DRAM。

• 1989-09 ：開發4MB DRAM。

• 1991-03 ：開發4MB DRAM。

• 1992-11 ：開發16MB DRAM。

• 1995-10 ：全球首個開發256MB DRAM。

• 1996-12 ：公司上市。

• 1997-05 ：全球首個開發1GB SRAM。

• 1998-09 ：開發64MB DRAM。

• 1999-03 ：出售封測公司金朋科技（CHIPPAC）。

• 1999-10 ：合并LG半導體有限公司。

• 2001年 ：開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。

• 2001-08 ：Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. 更名為 Hynix Semiconductor Inc.。

• 2002-08 ：在世界上首次開發高密度大寬帶256MB的DDR SDRAM。

• 2002-11 ：出售TFT-LCD業務子公司HYDIS給京東方。

• 2003-08 ：宣布發表行業第一個1GB DDR2。

• 2004-10 ：將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器制造商。

• 2007-11 ：業界最先開發1GB GDDR5 DRAM。

• 2012-02 ：韓國SK集團收購海力士21.05%的股份入主。

• 2012-03-23 ：更名為SK hynix Inc.。

• 2013-08 ：收購臺灣銀燦科技（Innostor）的eMMC控制器部門。

• 2014-05 ：收購美國閃存陣列供應商Violin Memory的PCle card部門。

• 2014-06 ：收購白俄羅斯Softeq Development FLLC的固件業務。

• 2016年 ：量產18nm DRAM。

• 2017年 ：開始量產72層3D NAND閃存。

• 2018年 ：量產1Ynm DRAM；宣布投資韓國龍仁半導體集群。

• 2019年 ：量產1Znm DRAM；開始量產128層4D NAND閃存。

• 2020-10 ：以90億美元收購英特爾NAND閃存及固態硬盤業務。

• 2021年 ：量產1αnm DRAM；開始量產176層4D NAND閃存。

• 2022年 ：開始量產HBM3高帶寬內存；宣布在韓國建設M15X晶圓廠和先進封裝集群。

• 2023年 ：量產1βnm DRAM；開始量產238層4D NAND閃存；宣布投資美國印第安納州先進封裝基地。

• 2024年 ：量產HBM3E高帶寬內存；量產1γnm DRAM；完成收購英特爾NAND業務后的整合，成立獨立運營的閃存子公司“Solidigm”。

• 2025年 ：開始量產HBM4技術驗證樣品；宣布下一代300層以上NAND技術路線圖。

• [收購] 1993年 ：收購美國HDD生產公司Maxtor公司。

• [出售] 1999年3月 ：出售封測公司金朋科技CHIPPAC。

• [收購] 1999年10月 ：收購LG半導體有限公司。

• [出售] 2002年11月 ：出售TFT-LCD業務子公司HYDIS給京東方。

• [出售] 2004年10月 ：將系統IC業務出售給花旗集團，專注于存儲器。

• [收購] 2012年6月 ：收購意大利Ideaflash S.r.l.，并于歐洲建立閃存研發中心；收購Link_A_Media Devices，推出自有品牌固態硬盤主控。

• [收購] 2014年5-6月 ：收購美國Violin Memory的PCle card部門及白俄羅斯Softeq的固件業務，加強NAND競爭力。

• [收購] 2020年10月 ：戰略性收購英特爾NAND閃存及固態硬盤業務，極大增強公司在NAND市場的規模與技術組合。后續成立獨立子公司 Solidigm 進行運營。

• [合資/剝離] 2021年 ：將部分8英寸晶圓代工業務剝離，與Key Foundry等公司進行戰略合作，使自身更專注于12英寸先進制程。

• [投資/合作] 2022-2024年 ：與臺積電等公司加強合作，共同開發HBM3/HBM3E與先進邏輯芯片的封裝技術（如CoWoS）。

• [投資] 2023年 ：投資美國AI芯片初創公司 Sapeon ，布局AI算力生態。

• [收購] 2024年 ：收購韓國AI芯片解決方案公司 Lynx Lab ，強化系統半導體（如AI加速器）設計能力。

自2014年業務重組后，SK海力士持續深化多元化戰略。目前，公司業務核心已從DRAM、NAND、CIS三大事業部，演進為以 AI存儲器 為增長引擎， 傳統存儲器 為穩定基礎，并積極拓展 系統半導體 和 定制化解決方案 的多元格局。

• 存儲器業務 ：

• • DRAM ：產品線涵蓋DDR5/LPDDR5、LPDDR5X、GDDR6/GDDR7、HBM3/HBM3E等，重點滿足服務器、AI、高端PC和顯卡需求。2024年，高附加值DRAM產品（如HBM）營收占比顯著提升。

  • NAND Flash ：通過子公司 Solidigm 運營，提供包括企業級/消費級SSD、eMMC、UFS等在內的全系列解決方案。重點發展高層數3D NAND技術。

• 系統半導體與代工業務 ：CMOS圖像傳感器（CIS）持續為智能手機、汽車提供解決方案。同時，公司大力發展基于8英寸和12英寸的晶圓代工服務，專注于DDI、PMIC以及MCU等特色工藝。

• 先進封裝 ：將TSV（硅通孔）等封裝技術視為核心競爭力，大規模投資HBM和Chiplet（小芯片）相關的高端封裝產能。

SK海力士通過持續的巨額投資和工藝微縮，維持技術領先地位。目前生產設施主要集中在韓國利川、清州和中國無錫，并正積極在韓國龍仁和美國印第安納州建設新基地。

• 韓國利川集群 ：

• • M10 ：早期12英寸DRAM產線。現已轉型為特種存儲器和CIS的研發與生產線。廠房很小

    
    

  • M14 ：12英寸晶圓廠，主要生產先進制程（1αnm, 1βnm）DRAM。

  • M15 ：2018年投產的12英寸晶圓廠，是先進DRAM和HBM的核心生產基地。

  • M15X (極速擴建線) ：2022年宣布建設，專注于AI存儲器（如HBM）的產能擴張，中間層推遲擴產，預計11月份完工

• 韓國清州集群 ：

• • M8 ：8英寸晶圓廠，專注于CIS、DDI、PMIC等系統半導體產品。2022年設備完成搬遷（無錫海辰）；目前擬改造為HBM封裝產線

  • M11/M12 ：12英寸晶圓廠，主要生產100層以上（如176層、238層）的4D NAND閃存。

• 中國無錫集群 ：

• • HC1&2 ：SK海力士海外最重要的DRAM生產基地，經過多次擴產和技術升級，目前主要生產1Znm、1αnm等先進制程的移動DRAM和服務器DRAM，月產能超過19萬片，是全球DRAM供應鏈的關鍵環節。

• 新投資與未來規劃 ：

• • 龍仁半導體集群 ：自2018年啟動，正在進行大規模分期建設，將是公司未來最先進的存儲器研發和制造中心。

  • 美國印第安納州先進封裝基地 ：2023年宣布投資建設，計劃于2028年投產，主要服務于北美市場的AI存儲器高端封裝需求。