近日HBM(高帶寬內(nèi)存)新版本HBM4迎來漲價。根據(jù)英偉達供應(yīng)鏈最新完成的價格和數(shù)量談判,HBM4相較當(dāng)前約370美元的HBM3E漲價超50%,約為560美元,超出此前業(yè)內(nèi)500美元的預(yù)期。
自9月起,主流存儲漲價預(yù)期和持續(xù)性大幅加強。除了HBM,DRAM、NAND閃存、SSD和機械硬盤全系列存儲產(chǎn)品持續(xù)面臨缺貨漲價。近期多家存儲原廠暫停DDR5報價,短短一周內(nèi),DDR5現(xiàn)貨價格飆升25%。
隨著國內(nèi)外廠商不斷加強AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)投入,存儲芯片在AI爆發(fā)性需求推動下也打開了上漲空間。
從需求端來看,英偉達近日在開發(fā)者大會上表示,2025-2026年周期的B系列和R系列芯片出貨量將超過2000萬,已經(jīng)收獲超5000億美金訂單。相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈2026年高利潤預(yù)期的置信度再次提高。
從供給端來看,因AI服務(wù)器需求好、利潤高,存儲的結(jié)構(gòu)性調(diào)整進一步加劇了供需失衡。全球存儲巨頭為追求更高利潤,正將產(chǎn)能向HBM和DDR5傾斜,逐步關(guān)停DDR4生產(chǎn)線,導(dǎo)致電腦端DDR4內(nèi)存供應(yīng)被嚴(yán)重擠壓。同時,由于擠占產(chǎn)能,傳統(tǒng)客戶恐慌備貨,進一步加強了漲價周期的強度。
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