廣東
近日HBM（高帶寬內(nèi)存）新版本HBM4迎來漲價。根據(jù)英偉達供應(yīng)鏈最新完成的價格和數(shù)量談判，HBM4相較當(dāng)前約370美元的HBM3E漲價超50%，約為560美元，超出此前業(yè)內(nèi)500美元的預(yù)期。
自9月起，主流存儲漲價預(yù)期和持續(xù)性大幅加強。除了HBM，DRAM、NAND閃存、SSD和機械硬盤全系列存儲產(chǎn)品持續(xù)面臨缺貨漲價。近期多家存儲原廠暫停DDR5報價，短短一周內(nèi)，DDR5現(xiàn)貨價格飆升25%。
隨著國內(nèi)外廠商不斷加強AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)投入，存儲芯片在AI爆發(fā)性需求推動下也打開了上漲空間。
從需求端來看，英偉達近日在開發(fā)者大會上表示，2025-2026年周期的B系列和R系列芯片出貨量將超過2000萬，已經(jīng)收獲超5000億美金訂單。相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈2026年高利潤預(yù)期的置信度再次提高。
從供給端來看，因AI服務(wù)器需求好、利潤高，存儲的結(jié)構(gòu)性調(diào)整進一步加劇了供需失衡。全球存儲巨頭為追求更高利潤，正將產(chǎn)能向HBM和DDR5傾斜，逐步關(guān)停DDR4生產(chǎn)線，導(dǎo)致電腦端DDR4內(nèi)存供應(yīng)被嚴(yán)重擠壓。同時，由于擠占產(chǎn)能，傳統(tǒng)客戶恐慌備貨，進一步加強了漲價周期的強度。
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風(fēng)笛悠揚聲
