中國芯片制造能否復制中國光伏的成功經驗？

光伏是中國制造的一張靚麗的名片。中國光伏制造全球市場份額超過90%，相比之下，中國大陸本土企業芯片制造的全球市場份額不足10%（加上在華外資企業可達20%）。芯片制造被稱為最后一個沒有實現國產替代的大產業。那么，中國光伏制造為什么能夠成功？中國芯片制造又能否復制中國光伏的成功經驗？

讀懂中國光伏，就讀懂了中國制造。我們來簡單回顧一下中國光伏的崛起過程。

2001年，無錫尚德成立，為中國光伏產業的啟動拉開了序幕。2004年，德國修訂《可再生能源法》，歐洲對光伏的需求爆發，中國利用“進口原料+進口設備+國內低成本制造”快速擴產，但面臨原料、設備、市場“三頭在外”的風險。2008金融危機使光伏市場需求暴減，疊加光伏產能過剩，讓中國光伏行業遭遇重大危機。2011-2012年歐美聯合“雙反”關稅，歐美市場關上大門，中國幾百家光伏電池組件廠倒閉，行業第一次大洗牌。光伏廠家通過原料和設備的國產化大幅降本，自身技術升級提高效率，加上中國政府通過補貼啟動國內光伏市場，讓光伏行業度過危機。中國光伏廠家還通過海外建廠規避歐美關稅壁壘，重啟海外市場，此后一騎絕塵，通過“原料設備國產化降低成本+技術迭代取得效率領先”，從而成就全球霸主地位。

我們看到，中國光伏崛起的模式是先利用國內的低人工成本，從海外進口原料和設備，占據中低端市場。然后，通過在國內采購原料和設備實現國產替代，進一步降低成本。穩定中低端市場后，通過大量研發投入，挺進高端市場。在市場競爭上，一方面依托國內市場兜底，另一方面通過海外建廠拓展國際銷售渠道，從而實現中國光伏產業的逆襲。

實際上，不僅是光伏，中國其它產業的崛起過程或多或少用的都類似于這個模式。需要注意的是，這個模式僅適用于大產業，不適用于細分領域的高精尖的小產業。細分市場由于市場容量很小，能容納的玩家很有限。比較典型的如圓珠筆芯上的那粒鋼珠，中國仍全部從日本進口。之所以沒有國產化，不是中國企業做不出來，而是因為市場太小。筆尖鋼和鋼珠的用量極小，全球市場也就幾千萬人民幣規模，中國鋼廠不愿為這種小眾、高精度材料頻繁調試、小批量生產。生產筆頭要在2.3毫米的球座體上加工出微米級溝槽，調試復雜、設備昂貴，需要用瑞士米克朗的高精度機床，國內的設備廠商也沒有興趣生產同類機床。很多高精尖的實驗室設備，甚至是光刻機，情形都與圓珠筆鋼珠相似。非不能也，實不欲為。

然而，先用低價占據市場，再通過原料、設備的國產化進一步降本，積累資金投入研發，挺進高端市場，這個模式在半導體產業卻失效了。為什么中國大陸企業不能通過這個模式占領芯片市場，最主要的原因在于芯片的技術迭代太快，兩年時間就將產品性能提高一倍，產品價格下降一半。在這種速度下，中國大陸企業首先就連芯片的低端市場都占據不了，沒有市場就沒有能力扶持國內的原料和設備廠商，原料和設備無法國產化，就不可能進一步降低成本，企業就缺乏利潤支持研發投入，如此惡性循環，中國大陸企業在芯片市場就始終處于落后追趕的局面。

以28納米成熟工藝為例。28納米工藝的芯片由于性價比高，目前仍處在黃金生命周期，被廣泛應用于消費電子、汽車、工業與網絡設備、通信、物聯網和智能設備、安全與專用芯片等多個領域。28納米芯片的市場，臺積電占據45%的市場份額一家獨大，三星占據20%緊隨其后，格芯和聯電各占13%和12%據第三、第四位。中國大陸企業有中芯國際、華虹半導體和晶合集成，市場份額合計約在10%（依據MRA報告）。

中國大陸企業之所以在28納米工藝上直到現在還處于落后地位，首先在于最初技術迭代時間的落后。臺積電、格芯等企業早在2010年左右就實現了28納米工藝的規模化量產，中國大陸最早量產28納米的中芯國際2015年才實現該工藝量產。半導體企業的生產成本在設備上占大頭，普遍實行5年折舊。中國大陸企業在28納米工藝上落后了5年時間，意味著剛啟動市場時，海外競爭對手已經把設備的折舊都提完了，可將產品價格大幅降低，中國大陸企業根本連低端市場都難以占領。

中國大陸企業在28納米芯片上只能靠低價甚至虧損來維持市場競爭，市場份額小、企業利潤低，自然沒有實力扶持國內半導體設備廠商的國產化替代。加上海外對28納米光刻機不禁售，也打擊中國大陸芯片廠采購國產光刻機的意愿。

直到2023年底，上海微電子（SMEE）才宣布首臺28納米浸沒式DUV樣機（SSA800/10W）研制完成，通過工廠內部工藝驗證。2024年，該設備進入中芯國際北京線做晶圓級驗證，良率從85%提到90%，達到可量產門檻。2025年5 月，上海微電子完成首臺商業28納米光刻機交付，宣布開始“小批量量產”。9月，中芯國際開始測試相關設備，進一步推進產線兼容性驗證。10月，華虹半導體無錫廠接收了首批驗證機，測試結果顯示良率穩定在95%以上，性能指標已能滿足28納米芯片生產的核心需求。這款28納米光刻機的國產化率已突破70%，核心的雙工件臺、投影物鏡等部件均實現國產供應。預計要到2026年完成更多客戶驗證后，才會正式宣布商業化。

連28納米光刻機都要到2026年才能國產化，更不要說能生產14納米、7納米、5納米、3納米和2納米等先進工藝芯片的DUV甚至是EUV光刻機了。以光刻機為代表的半導體設備遲遲未能國產化，以硅晶圓為代表的半導體原料才剛部分國產化，中國大陸芯片廠也就無法通過國內的設備和原料采購來降低成本，不能通過低價競爭來占領低端芯片市場。連28納米這樣相對低端的芯片市場都占領不了，自然就在研發投入無法與海外大廠相比，難以追趕14納米及以下先進工藝。如此惡性循環，半導體產業也就成為最后一個未實現國產替代的大產業了。

好消息是，摩爾定律快要到頭，芯片先進工藝到1納米（10埃）后就將難以為繼，英偉達GPU的耗電量越來越大就是明證。這就意味著，中國大陸企業，無論是芯片制造廠還是半導體設備供應商，與海外的技術差距一定是在不斷縮小的。只要海外大廠的技術不再迭代，再先進的技術，如EUV光刻機，遲早也會變成落后技術，中國大陸企業取得技術突破指日可待。一旦半導體產業的關鍵設備（如EUV光刻機）和關鍵原料（如硅晶圓）實現國產替代，光伏產業通過降本增效實現逆襲的歷史就可在半導體產業上重演，芯片國產替代也將隨之成為現實。

（作者簡介：余盛，硬科技財經作家、荷蘭商學院行業導師，著有《中國光伏突圍戰》《芯片戰爭》《芯片浪潮》《手機戰爭》《金龍魚背后的糧油帝國》等作品。歡迎關注公眾號“余盛”，第一時間閱讀余盛本人的原創科技、財經和歷史類深度評論文章。）

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