英特爾否認(rèn)臺積電機密泄露指控 高管跳槽引發(fā)芯片行業(yè)糾紛

英特爾公司正式回應(yīng)臺積電此前提出的商業(yè)機密泄露指控，明確否認(rèn)近期跳槽至該公司的前臺積電高管羅唯仁存在相關(guān)違規(guī)行為。這場涉及芯片行業(yè)兩大巨頭的糾紛，引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。

此次爭議的核心人物羅唯仁曾擔(dān)任臺積電資深副總經(jīng)理，在芯片先進(jìn)制程研發(fā)與業(yè)務(wù)布局中手握重要職權(quán)，其任職期間深度參與了 2 納米以下先進(jìn)制程的相關(guān)工作，而這一領(lǐng)域正是全球芯片企業(yè)競爭的核心賽道。根據(jù)臺積電方面披露的信息，羅唯仁在職期間已與公司簽訂嚴(yán)格的保密條款及離職后的競業(yè)禁止協(xié)議，明確約定不得在離職后短期內(nèi)加入競爭對手企業(yè)，且需對在職期間接觸的商業(yè)機密承擔(dān)永久保密義務(wù)。

然而，羅唯仁離職后并未遵守競業(yè)禁止約定，隨即加盟臺積電的直接競爭對手英特爾，并出任執(zhí)行副總裁一職，負(fù)責(zé)相關(guān)核心業(yè)務(wù)板塊。這一行為引發(fā)臺積電強烈不滿，臺媒此前更是曝出關(guān)鍵信息，稱羅唯仁疑似在離職時帶走了 2 納米以下先進(jìn)制程的相關(guān)核心機密，這一消息進(jìn)一步加劇了雙方的矛盾。

基于上述情況，臺積電于 2025 年 11 月 25 日（周二）正式在中國臺灣地區(qū)知識產(chǎn)權(quán)及商業(yè)法院對羅唯仁提起訴訟，指控其違反保密條款與競業(yè)禁止協(xié)議，涉嫌泄露公司商業(yè)機密，要求其承擔(dān)相應(yīng)法律責(zé)任。

面對臺積電的訴訟指控，英特爾于 11 月 27 日（周四）通過電郵聲明作出正式回應(yīng)。英特爾在聲明中強調(diào)，公司始終堅持實行嚴(yán)格的內(nèi)部政策與管控措施，明確禁止任何員工使用或轉(zhuǎn)移第三方的機密信息及知識產(chǎn)權(quán)，且公司對這一原則有著高度的重視與堅定的承諾。

同時，英特爾明確表示，“根據(jù)目前掌握的所有信息，我們沒有理由相信有關(guān)羅唯仁的指控具有任何依據(jù)”，直接否認(rèn)了臺積電的核心訴求。

而臺積電方面則堅持自身的訴訟立場，認(rèn)為羅唯仁的行為已嚴(yán)重違反雙方此前簽訂的協(xié)議，其攜帶核心機密跳槽至競爭對手的行為，可能對公司的技術(shù)優(yōu)勢與市場競爭力造成實質(zhì)性損害，因此通過法律途徑維權(quán)是必要的舉措。

此次糾紛的背后，是全球芯片行業(yè)在先進(jìn)制程領(lǐng)域的激烈競爭。2 納米以下先進(jìn)制程技術(shù)直接關(guān)系到芯片性能的突破與市場話語權(quán)的爭奪，臺積電在該領(lǐng)域一直保持著領(lǐng)先優(yōu)勢，而英特爾近年來正加大在先進(jìn)制程領(lǐng)域的投入，試圖追趕競爭對手。

羅唯仁作為具備豐富先進(jìn)制程經(jīng)驗的核心高管，其跳槽引發(fā)的機密泄露爭議，不僅涉及兩家企業(yè)的切身利益，也折射出芯片行業(yè)人才流動與商業(yè)機密保護(hù)之間的普遍矛盾。對于科技企業(yè)而言，核心技術(shù)與人才是立足之本，如何在鼓勵人才流動的同時，有效保護(hù)商業(yè)機密與知識產(chǎn)權(quán)，避免類似糾紛的發(fā)生，成為行業(yè)共同面臨的課題。

目前，該案件已進(jìn)入法律審理程序，后續(xù)的判決結(jié)果將對雙方的權(quán)益劃分與行業(yè)規(guī)則產(chǎn)生重要影響，業(yè)界也將持續(xù)關(guān)注事件的進(jìn)展。