中國(guó)這類芯片超越日本，美國(guó)也將被超越，想不到趕超如此之快

市調(diào)機(jī)構(gòu)counterpoint公布了今年三季度全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)顯示中國(guó)在存儲(chǔ)芯片方面占有的份額已超過日本，僅次于美國(guó)，并且與美國(guó)的份額快速縮短， 趕超美國(guó)就在旦夕之間，凸顯出中國(guó)存儲(chǔ)芯片的飛速進(jìn)展。

數(shù)據(jù)指出中國(guó)占有DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)大約8%的份額，而在NAND flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)則更占有13%的份額，總計(jì)在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有的份額已超過一成，相比起兩三年前的5%份額翻倍，而這兩家存儲(chǔ)芯片企業(yè)成立于2016年，那時(shí)候從零起步，可見成長(zhǎng)之迅速。

全球前三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)分別是韓國(guó)的三星和SK海力士，第三名則是美國(guó)的美光，不過近幾年美光在存儲(chǔ)芯片行業(yè)幾乎已淪為陪跑的對(duì)象，占有的份額比韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片少得多，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片企業(yè)合計(jì)占有全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)大約七成的份額。

這兩年韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片企業(yè)更依托于AI芯片巨頭NVIDIA帶起的HBM芯片大賺特賺，他們也以更先進(jìn)的技術(shù)、更周到的服務(wù)與美國(guó)企業(yè)NVIDIA合作無間，相反同為美國(guó)企業(yè)的美光與NVIDIA的合作則似乎總是差了點(diǎn)意思，這就導(dǎo)致美光與韓國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的差距越拉越大。

與美韓存儲(chǔ)芯片相比，中國(guó)存儲(chǔ)芯片則主要依托于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，中國(guó)是全球最大的存儲(chǔ)芯片采購(gòu)國(guó)，每年大約采購(gòu)全球存儲(chǔ)芯片大約三成左右的份額，在以往由于受制于美日韓存儲(chǔ)芯片，他們動(dòng)輒漲價(jià)的時(shí)候，中國(guó)的企業(yè)只能忍受。

那時(shí)候韓國(guó)存儲(chǔ)芯片一會(huì)是洪水，一會(huì)是火災(zāi)，總之就是各種借口不斷漲價(jià)，而好多年前韓國(guó)存儲(chǔ)芯片就曾被美國(guó)指出操縱存儲(chǔ)芯片價(jià)格而被重罰，凸顯出韓國(guó)存儲(chǔ)芯片本來就有操縱存儲(chǔ)芯片價(jià)格的惡習(xí)，借此大賺特賺，而中國(guó)的制造業(yè)就是他們賺大錢的對(duì)象。

此外存儲(chǔ)芯片還涉及到信息安全，隨著數(shù)據(jù)的迸發(fā)，對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求量日益擴(kuò)大，而事關(guān)信息安全的行業(yè)采用美日韓存儲(chǔ)芯片自然難以讓人放心，因此中國(guó)在成立集成電路產(chǎn)業(yè)基金之后，扶持的芯片行業(yè)之一就是存儲(chǔ)芯片。

大約2016年中國(guó)有三家存儲(chǔ)芯片成立，不過后來其中一家存儲(chǔ)芯片企業(yè)因?yàn)橐恍┰蚨硗鈨杉掖鎯?chǔ)芯片企業(yè)則分別發(fā)展DRAM、NAND flash存儲(chǔ)芯片，也正是基于另一家存儲(chǔ)芯片的遭遇，中國(guó)這兩家存儲(chǔ)芯片選擇從零做起，發(fā)展自己的存儲(chǔ)芯片技術(shù)，避免受制于人。

NAND flash存儲(chǔ)芯片就是從最基礎(chǔ)的32層 NAND flash存儲(chǔ)芯片發(fā)展，到64層NAND flash存儲(chǔ)芯片研發(fā)成功的時(shí)候都只是小規(guī)模試產(chǎn)，積累技術(shù)，直到128層NAND flash才開始大規(guī)模生產(chǎn)，到量產(chǎn)232層NAND flash存儲(chǔ)芯片的時(shí)候已成功反超美日韓存儲(chǔ)芯片，卻也在那時(shí)候遭遇芯片設(shè)備的限制。

不過中國(guó)的存儲(chǔ)芯片沒有因此停下腳步，一方面是積極利用國(guó)產(chǎn)設(shè)備替代，據(jù)悉今年下半年已建成全國(guó)產(chǎn)化的生產(chǎn)線，這方面在于存儲(chǔ)芯片為了確保可靠性還在使用10納米以上工藝，對(duì)芯片設(shè)備的要求沒有邏輯芯片那么高；另一方面仍然堅(jiān)持技術(shù)研發(fā)，據(jù)稱已研發(fā)300層NAND flash存儲(chǔ)芯片，技術(shù)基本與美日韓同步。

如今國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的崛起已給中國(guó)制造業(yè)帶來了積極的意義，美日韓存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)被抑制，在當(dāng)下正迅速發(fā)展的AI芯片行業(yè)，國(guó)產(chǎn)HBM芯片也已量產(chǎn)成功，先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的量產(chǎn)凸顯出國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)的飛速進(jìn)展，獲得更多利潤(rùn)后又反哺國(guó)產(chǎn)芯片供應(yīng)鏈，推動(dòng)技術(shù)研發(fā)，形成良性循環(huán)，在芯片和芯片產(chǎn)業(yè)鏈方面都降低了對(duì)海外的依賴性。