韓國雖稱霸HBM市場，但核心專利在Adeia/臺積電/長江存儲手中！

近日，據韓國媒體Thelec報道，韓國智慧財產振興院（KIPRO）研究員Kim In-soo 接受其采訪時表示，雖然韓國存儲芯片廠商在制造與堆疊HBM方面表現優異，并占據大半HBM市場，但原物料與設備卻過度依賴海外公司，加上韓國企業缺乏與HBM相關的混合鍵合核心專利，可能讓他們在未來面臨專利訴訟風險。

根據市場研究機構Counterpoint Research公布的數據顯示，在今年二季度全球HBM市場，韓國SK海力士以高達62%的份額穩居第一，韓國三星電子份額為17%，美光的份額為21%。也就是說，韓國SK海力士和三星電子共同占據了全球79%的市場份額。

但是，根據KIPRO分析，美國的Adeia和臺積電是HBM制造所需的混合鍵合技術的領導者。此外，中國大陸長江存儲也是其中之一。

Kim In-soo 表示，其研究團隊利用AI 技術審查2003年到2022年之間，在韓國、美國、日本、歐洲與中國公開的超過10000件相關專利，發現從專利質量與市場價值來看，Adeia 擁有最具價值的專利。

Adeia 擁有從Ziptronix 取得的直接鍵合互連與低溫直接鍵合等核心技術專利，并通過旗下Invensas 與Tessera 等公司，也已取得大量混合鍵合專利組合。

另根據K-PEG 評級，臺積電擁有A3 等級以上的高品質專利數量中排名第一，三星則排名第二，美光和IBM 緊追在后。報導還稱，臺積電的SoIC 技術具高價值。

目前中國也在存儲領域的專利也在快速增長，例如長江存儲也掌握包括Xtacking 在內的核心技術。這些專利橫跨韓國、美國、日本、歐洲與中國注冊，意味著韓國企業可能隨時卷入專利訴訟。

值得一提的是，今年2月，三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。

而三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。并且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影響。

目前混合鍵合技術主要有兩類，晶圓到晶圓（Wafer-to-Wafer, W2W）和裸片到晶圓（Die-to-Wafer, D2W）。CBA架構的NAND正是基于W2W的混合鍵合技術，省去了傳統芯片連接中所需的“凸點”（Bump），形成間距為10μm 及以下的互連，使得電路路徑變得更短、I/O密度大幅提升，從而顯著提高了傳輸速率，并降低了功耗，同時還減少芯片內部的機械應力，提高產品的整體可靠性。

同時，由于堆疊層數越來越高，未來NAND Flash前端的集成也由原來的NAND陣列（Array）+CMOS電路層堆疊，轉向NAND陣列+NAND陣列+CMOS電路層堆疊，因此也帶來更多的“混合鍵合”需求。

可以說，對于3D NAND廠商來說，要想發展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合技術已經成為了一項核心技術。

Kim In-soo 指出，雖然韓國持有第二大規模HBM 相關專利，但其質量與影響力“低于平均水平”，因為韓國在核心設備與材料上仰賴進口，對國內企業構成風險。相關公司目前可能仍傾向通過不公開的協商方式簽訂授權協議，但從2026年混合鍵合開始商業化后，這些問題可能最終演變成訴訟。

編輯：芯智訊-浪客劍

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