柵極耐壓高達8V，羅姆推出兩款DFN5060封裝低壓氮化鎵

前言

近期，充電頭網(wǎng)了解到羅姆目前推出GNE1008TB與GNE1040TB兩款150V低壓氮化鎵功率器件，面向服務器電源、PD快充次級同步整流以及人形/四足機器人關節(jié)電機驅(qū)動等前沿應用，為電源系統(tǒng)工程師帶來更豐富的設計選擇。

羅姆推出的低壓GaN器件相比傳統(tǒng)硅MOSFET，具備更低導阻、更快的開關速度以及更優(yōu)的高頻特性，能夠在更高效率與更小體積之間取得平衡，特別適用于追求高效、高功率密度的場景。此外，上述兩款器件還采用DF5060封裝，可直接PIN TO PIN替換同封裝硅MOS，降低設計成本，具備更優(yōu)的適配性。

羅姆低壓GaN

充電頭網(wǎng)了解到，羅姆推出多款150V低壓氮化鎵，導阻分別為8.5mΩ和40mΩ，并均為DFN5060封裝。

羅姆GNE1008TB

羅姆GNE1008TB是一款柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT，屬于EcoGaN系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品的低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸；即使在1MHz的高頻段，電源效率也可達到96.5%以上。另外，通過采用DFN5060封裝，實現(xiàn)出色的散熱性能，并易于流水線自動化生產(chǎn)。

羅姆GNE1008TB這款低壓氮化鎵器件非常適合半橋拓撲、次級同步整流、D類音頻放大器、紅外LED以及激光二極管驅(qū)動等場景應用。

羅姆GNE1040TB

羅姆GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT，導阻僅為40mΩ，并無反向恢復電荷。該產(chǎn)品屬于EcoGaN系列，該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導通電阻和高速開關性能，助力應用產(chǎn)品更節(jié)能和小型化。GNE1040TB的電源效率在1MHz的高頻段也高達96.5%以上。另外，該產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的DFN5060封裝，便于流水線成產(chǎn)。

羅姆GNE1040TB這款低壓氮化鎵器件同樣非常適合半橋拓撲、次級同步整流、D類音頻放大器、紅外LED以及激光二極管驅(qū)動等場景應用。

充電頭網(wǎng)總結

隨著高頻、高效率和小型化電源設計的需求不斷提升，低壓GaN器件正在逐步取代傳統(tǒng)硅MOSFET，成為高性能電源系統(tǒng)的重要選擇。羅姆推出的GNE1008TB與GNE1040TB兩款150V低壓GaN HEMT，憑借低導通電阻、高速開關特性，為工程師在半橋拓撲、次級同步整流、電機驅(qū)動、D類音頻放大器、紅外LED及激光二極管驅(qū)動等應用場景提供了可靠的解決方案，為高效電源設計帶來了更多可能性。