氮化鎵再拓展新應用領域，雙木三林氮化鎵功率放大器拆解

前言

充電頭網采購到了雙木三林推出的一款氮化鎵功率放大器，這款功放型號為PA200，采用全鋁合金外殼，設有顯示屏和功能旋鈕，并附帶紅外線遙控器，便于調節音量。功放背面設有音頻輸入插座，喇叭輸出和電源輸入插座，正面干凈清爽。

雙木三林這款氮化鎵功率放大器內置大功率專用開關電源，內置英飛凌氮化鎵功率管，并設有過熱和過流保護電路，支持單聲道橋接模式和立體聲模式。單聲道模式下8Ω負載具備250Wrms功率，立體聲模式下8Ω負載具備85Wrms功率。

氮化鎵器件相比傳統硅器件提升開關速度，減小死區時間，提升數字功放的調制頻率。相比傳統的硅器件，氮化鎵數字功放可以獲得更低的失真度，更寬的頻率響應和更高的動態范圍。下面就帶來雙木山三林這款氮化鎵功放的拆解，一起看看內部的設計和用料。

雙木三林PA200氮化鎵功率放大器開箱

雙木三林氮化鎵功率放大器采用紙盒包裝，包裝印有品牌標識，型號和產品外觀圖。

配件包含電源線，說明書，保修卡和遙控器。

機身正面左側設有顯示屏，中間設有音量調節旋鈕。

背面設有線路輸入接口，XLR接口，功放輸出接線柱和電源輸入插座。

機身底部設有蓋板，通過螺絲固定。

機身底部腳墊采用橡膠材質，防止滑動。

雙木三林PA200氮化鎵功率放大器拆解

看完了雙木山三林這款氮化鎵功放的開箱，下面就進行拆解，一起看看內部的設計和用料。

擰下固定螺絲，拆下機身底部蓋板。機身內部通過殼體分為兩個部分，分別為開關電源模塊和功放模塊。

殼體整體通過CNC加工制成，內部設有隔板用于開關電源模塊和功放模塊隔離。

顯示屏幕通過小板連接。

電源插座通過膠水固定在殼體內部。

開關電源模塊設有麥拉片絕緣。

開關電源模塊正面一覽，上方為交流輸入端，設有保險絲，安規X2電容，共模電感，散熱片為初級開關管和整流橋散熱，內部設有高壓濾波電容。下方設有變壓器，整流管，濾波電容，濾波電感和輸出插座。

開關電源模塊背面設有主控芯片，二極管，反饋光耦和電阻電容元件。

輸入端保險絲來自功德，規格為6.3A 250V。

NTC熱敏電阻來自時恒電子，為MF72系列，絲印3D11，用于抑制上電的浪涌電流。

安規X2電容來自圣融達，規格為0.22μF。

共模電感采用漆包線繞制，散熱片下方設有安規X2電容。

散熱片下方設有整流橋，共模電感和高壓濾波電容。

另一顆共模電感同樣采用漆包線繞制。

整流橋型號KBJ6MA，規格為6A 1000V，采用KBJ封裝。

焊接取下高壓濾波電容。

高壓濾波電容為JML品牌。

規格為120μF400V。

初級主控芯片來自昂寶，型號OB2362D，是一顆高性能的反激開關電源控制器，芯片支持多模式運行，具備全面完善的保護功能，采用SOT23-6封裝，適用于電源適配器應用。

為主控芯片供電的濾波電容規格為10μF50V。

散熱片固定初級開關管。

初級開關管來自威谷，型號WGF65R190G，NMOS，耐壓650V，導阻165mΩ，采用TO-220F封裝。

變壓器采用PQ3220磁芯，纏繞膠帶絕緣。

藍色Y電容來自皓華電子。

億光 EL817 光耦用于輸出電壓反饋。

整流管來自華微電子，型號HBR20200，為肖特基二極管，規格為20A 200V，采用TO-220HF封裝。

輸出端設有濾波電容和濾波電感。

濾波電容來自承興。

規格為1000μF50V，使用兩顆濾波。

兩顆綠色LED燈用于電源指示。

功放模塊正面一覽，左上角設有音頻輸入插座，下方設有切換繼電器，運放，數字電位器和穩壓芯片。中間位置設有氮化鎵功放模塊，功放模塊中間和下方設有濾波電容。底部設有主控MCU和USB-C插座。

功放模塊右側上方設有輸出插座，輸出濾波電感，濾波電容和MOS管。右側中間位置設有電源連接插座，右側下方設有屏幕連接插座。

功放模塊背面設有鋁合金塊導熱，通過螺絲固定。

拆下氮化鎵功放模塊，在模塊背面設有鋁合金塊和導熱墊，通過螺絲固定，并通過插接件連接。

鋁合金塊涂有導熱硅脂連接到殼體導熱。

主控MCU來自靈動微，型號MM32F103VET6，芯片內置ARM Cortex-M3內核，主頻96MHz，內置512KB FLASH和128KB SRAM，支持2.0~5.5V工作電壓，具備8個UART接口，2個I2C接口，3個SPI接口，1個CAN接口，1個USB OTG接口和1個SDIO接口，采用LQFP100封裝。

MCU外置8.000MHz時鐘晶振特寫。

串口轉換芯片來自沁恒，型號CH340E，用于USB轉換串口或USB轉換打印口，具備全速USB設備接口，兼容USB V2.0，支持5V和3.3V電源電壓，采用MSOP10封裝。

穩壓芯片來自微盟，絲印VAUD，采用SOT23封裝。

主板上設有USB-C母座，過孔焊接固定。

降壓芯片來自顧邦半導體，型號GBI1600，是一顆4-60V輸入電壓的非同步降壓轉換器，芯片內置開關管，支持1A輸出電流，開關頻率為600kHz，具備欠壓保護，過熱保護，逐周期電流保護，采用TSOT23-6L封裝。

100μH降壓電感特寫。

濾波電容規格為100μF16V。

另一顆降壓芯片同樣為顧邦半導體GBI1600。

100μH降壓電感特寫。

兩顆穩壓芯片來自長晶科技，型號CJ78L12，支持35V輸入電壓，輸出電壓12V，輸出電流100mA，采用SOT-89-3L封裝。

升壓芯片來自首鼎，型號SDB628，芯片內部集成80mΩ開關管，支持2-24V輸入電壓，開關頻率為1.2MHz，輸出電壓可調，最高輸出電壓為28V，采用SOT23-6封裝。

10μH升壓電感特寫。

濾波電容規格為220μF16V。

兩顆穩壓芯片型號被打磨。

濾波電容規格為470μF10V。

運放來自日清紡，型號NJM2068D，為低噪聲雙運放，支持±4~±18V工作電壓，采用DIP8封裝。

電解電容來自紅寶石，規格為35V47μF，共計4顆。

切換繼電器來自宏發，型號HFD4/3-S，為超小型第四代信號繼電器，觸點切換能力為2A 30VDC，為標準表面貼裝型。

另一顆繼電器型號相同。

數字電位器芯片來自德州儀器，型號PGA2311，是一顆高性能立體聲音量控制芯片，內部采用高性能運算放大器，可直接驅動660Ω負載，具備三線串行控制接口，采用SOIC-16封裝。

濾波電容來自紅寶石，規格為50V470μF，共使用8顆。

氮化鎵功放模塊正面設有運放，驅動器和氮化鎵功率管。

背面焊接連接排針，并設有電解電容濾波。氮化鎵開關管設有過孔焊盤散熱。

運放來自亞德諾，型號AD825，是一顆通用高速JFET放大器，支持±5~15V供電電壓，壓擺率為125V/μs，具備高輸出驅動能力，采用SOIC8封裝。

微調電位器特寫。

濾波電容規格為50V10μF。

驅動器來自英飛凌，型號IRS20957S，是一顆高壓，高速MOS驅動器，具備浮動PWM輸入，開關頻率可達800kHz，支持±100V供電電壓，具備高抗噪性，具備雙重過流和直通保護，以及偏置電源欠壓閉鎖保護，采用SOIC16封裝。

MLCC電容用于供電濾波。

氮化鎵開關管來自英飛凌，型號IGT60R070D1，為增強型氮化鎵開關管，耐壓600V，導阻70mΩ，采用HSOF-8-3封裝。

對應氮化鎵功放模塊下方設有導熱墊和散熱塊，并通過螺絲固定。

濾波電感來自相模，采用無氧銅線繞制，規格為22μH。

薄膜電容規格為0.22μF63V。

薄膜電容來自飛爾可，規格為0.22μF。

用于輸出控制的MOS管來自微碩，型號WSP6946，為雙NMOS，耐壓60V，導阻33mΩ，采用SOP-8封裝。

絲印K4N的雙三極管特寫。

濾波電容規格分別為220μF16V和330μF10V。

用于工作指示的貼片LED特寫。

XLR輸入接口特寫。

全部拆解一覽，來張全家福。

充電頭網拆解總結

最后附上雙木三林PA200氮化鎵功放的核心器件清單，方便大家查閱。

雙木三林氮化鎵功率放大器采用一體式鋁合金外殼，前面板設有顯示屏和功能旋鈕，機身背面設有音頻輸入插座，揚聲器輸出接口和電源輸入插座?？膳c家族產品垂直擺放，具備良好的一致性。功放支持100-240V寬電壓輸入，具備單聲道橋接模式和立體聲模式。

充電頭網通過拆解了解到，這款氮化鎵功率放大器內部采用開關電源模塊和氮化鎵功放模塊組成，開關電源使用兩路昂寶OB2362D電源芯片，搭配威谷WGF65R190G開關管和華微電子HBR20200整流管，組成正負供電的電源模塊為氮化鎵功放模塊供電。

氮化鎵功放模塊使用英飛凌IGT60R070D1氮化鎵開關管，搭配使用英飛凌IRS20957S驅動器，使用亞德諾半導體AD825運放進行放大。主控MCU采用靈動微MM32F103VET6，數字電位器采用德州儀器PGA2311，并使用日清紡NJM2068D運放進行前置放大。

雙木三林功放內部對應氮化鎵功放小板底部，設有導熱墊和鋁合金塊導熱到殼體被動散熱，內部電源模塊與功放模塊設有隔板抑制干擾，并設有宏發繼電器用于音頻信號切換，功放整體做工扎實，用料可靠。