中國對(duì)EUV光刻機(jī)布局早于西方預(yù)期，光刻機(jī)的進(jìn)展可能超乎預(yù)期

外媒在分析全球光刻機(jī)專利的時(shí)候發(fā)現(xiàn)，中國研發(fā)EUV光刻機(jī)的時(shí)間遠(yuǎn)超過西方的預(yù)估，早在2018年就已開始申請(qǐng)EUV光刻專利，凸顯出中國對(duì)芯片技術(shù)自主研發(fā)的執(zhí)著和堅(jiān)持，而那時(shí)候中國還在推進(jìn)14納米的量產(chǎn)。

促使中國關(guān)注EUV光刻技術(shù)，在于2018年中國一家芯片企業(yè)下單采購EUV光刻機(jī)遇阻，由此中國芯片行業(yè)開始認(rèn)識(shí)到發(fā)展先進(jìn)芯片技術(shù)恐怕不會(huì)那么容易，西方可能會(huì)在先進(jìn)設(shè)備方面予以阻撓，只是沒想到西方這么多年過去放行EUV光刻機(jī)。

從2018年開始研發(fā)EUV光刻機(jī)至今已有7年時(shí)間了，這7年時(shí)間里中國諸多企業(yè)陸續(xù)提交了更多的專利申請(qǐng)，在技術(shù)上也不斷取得進(jìn)展，諸如雙工作臺(tái)、激光對(duì)準(zhǔn)技術(shù)等都陸續(xù)取得了突破。

只不過EUV光刻機(jī)的技術(shù)難度實(shí)在太高，而且光刻機(jī)本身就是一個(gè)龐大的產(chǎn)業(yè)鏈，DUV光刻機(jī)的零件高達(dá)10萬個(gè)，而EUV光刻機(jī)的零件更是高達(dá)45萬個(gè)之多，據(jù)悉EUV光刻機(jī)需要全球數(shù)十個(gè)國家的5000家企業(yè)配合才能完成，生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的ASML僅是生產(chǎn)了其中15%的零件。

這就導(dǎo)致中國的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈即使在部分技術(shù)方面取得突破，但是仍然有太多關(guān)鍵技術(shù)需要突破，真正將EUV光刻機(jī)生產(chǎn)出來恐怕仍然需要不短的時(shí)間。

在光刻機(jī)技術(shù)方面繼續(xù)努力之余，中國也在基于現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)先進(jìn)工藝，普遍認(rèn)為中國已在利用DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米工藝，這是全球繼臺(tái)積電之后第二家利用DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米工藝。

西方推測(cè)中國可能也在推進(jìn)以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米工藝，而浸潤(rùn)式光刻機(jī)之父林本堅(jiān)認(rèn)為中國以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米的可行性是有的，只是5納米工藝大概率就是DUV光刻機(jī)的極限了，而且即使可以生產(chǎn)5納米，成本可能也遠(yuǎn)超經(jīng)濟(jì)成本。

除了基于現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)繼續(xù)推進(jìn)之外，西方更擔(dān)憂的則是在先進(jìn)的量子芯片、光子芯片技術(shù)方面，這些先進(jìn)芯片技術(shù)，目前全球僅有中國和美國有能力推進(jìn)并已取得了進(jìn)展，如果這些先進(jìn)芯片技術(shù)成功商用，普遍預(yù)計(jì)中國將與美國居于同一技術(shù)水平。

在量子芯片、光子芯片技術(shù)方面，中國則與美國一樣，從產(chǎn)業(yè)鏈到技術(shù)都完全自主化，因?yàn)檫@些先進(jìn)技術(shù)全球都沒有先例，只能各自摸索，這些先進(jìn)芯片技術(shù)將再無卡脖子之憂。

從EUV光刻技術(shù)到量子芯片、光子芯片技術(shù)，可以看出中國作為全球大國向來是從來未雨綢繆，這恰恰是西方所擔(dān)憂的，也難以評(píng)估中國在先進(jìn)芯片技術(shù)方面的進(jìn)展，相比之下如今的美國在先進(jìn)芯片技術(shù)已失去了銳氣，以至于美國最大的芯片企業(yè)Intel如今竟然傳出從臺(tái)積電竊取2納米技術(shù)，更讓人質(zhì)疑在更先進(jìn)的量子芯片、光子芯片等技術(shù)方面是否真的如預(yù)期般取得進(jìn)展。