快充、工業、車規全覆蓋，功率半導體行業13款新品解讀

前言

在全球功率半導體行業，技術創新與市場需求正以前所未有的速度發展。功率器件制造商正在加速產能擴張，持續突破關鍵工藝，新產品層出不窮，推動行業的全面升級和創新。隨著新能源汽車、人工智能、工業自動化等領域對功率半導體的需求日益增長，整個產業迎來了蓬勃發展的新機遇。為了幫助讀者快速了解行業動向，我們整理了近期發布的13款具有代表性的新品，從硅MOSFET到功率模塊，力求讓大家在一篇文章中全面了解功率半導體的最新技術進展和市場趨勢。

AOS萬國

萬國推出面向AI服務器48V熱插拔應用的100V MOSFET

萬國最近推出了新款AOLV66935 MOSFET，專為48V熱插拔應用中的AI服務器設計。該器件具有寬范圍的100V安全工作區（SOA）和極低的導通電阻，能夠應對AI系統中GPU/TPU性能提升帶來的挑戰，滿足高效能和高可靠性要求。AOLV66935采用了AOS自主研發的AlphaSGT MOSFET技術，確保在25°C至125°C的工作環境下，仍能提供低導通損耗和高可靠性，其SOA測試通過嚴格驗證。

該MOSFET采用LFPAK 8x8海鷗翼封裝，相比傳統TO-263（D2PAK）封裝，減少了60%的占位面積。結合先進的銅夾片封裝技術，可支持更高的脈沖電流能力，并優化熱散性能。AOLV66935的導通電阻在Vgs=10V時僅為1.86毫歐，顯著降低了功耗和發熱，適合高性能AI服務器對功率器件在效率與可靠性方面的雙重需求。此外，該產品符合IATF 16949認證，封裝設計也支持自動光學檢測（AOI）。

GaNext鎵未來

鎵未來推出9mΩ車規級氮化鎵

鎵未來近期推出的 G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET），以全球最小的 9mΩ 導通電阻成為行業新標桿，廣泛應用于新能源汽車及其他高效能電源系統。這款符合汽車 AEC-Q101 標準的氮化鎵器件，具有極低的導通電阻和超高的效率，能顯著減少開關損耗和導通損耗，提升約 3%~5% 的續航里程，同時具備高達20kW的功率輸出能力，適用于更多大功率場景。

G2E65R009 系列產品的優勢在于其革命性的低導通電阻和與傳統硅基器件的兼容性，支持無縫替換現有電路，減少開發周期。這使得其成為新能源汽車、工業電機、儲能系統等多個領域的技術突破點。鎵未來通過專注 GaN 半導體創新，推動行業性能提升和可靠性提升，已與多家車企和核心供應商展開合作，助力行業產品性能優化及技術升級。

Infineon英飛凌

英飛凌推出搭載2.2KV整流器的EconoPIM 3模塊

英飛凌FP75R17N3E4_B20是一款采用TRENCHSTOP IGBT4技術、發射極控制4代（EC4）二極管并集成NTC的EconoPIM? 3 IGBT模塊，適用于690V驅動系統。該模塊內置2.2kV整流器和制動斬波器，有效降低了系統成本。整流器的阻斷電壓提升至2.2kV，使其具備更強的電網擾動應對能力，適應高功率密度應用，且能滿足能效標準要求。通過采用銅基板提升熱擴散性能，并且焊接式接觸工藝提升了整體可靠性。具有低飽和壓降、低開關損耗以及2.5 kV交流耐壓能力，確保高可靠性與高功率密度。

該模塊主要應用于工業電機驅動與控制以及商用暖通空調（HVAC）系統。其低損耗和優化的電磁干擾(EMI)特性使其在能效與電磁兼容性之間取得平衡，進一步降低了系統的整體成本，并且符合RoHS標準，具有增強的可靠性。

英飛凌面相高壓牽引系統推出3.3kV SiC XHP2模塊

英飛凌推出了3.3kV CoolSiC MOSFET XHP2模塊，通過創新的“.XT互連技術”，在高壓牽引系統中提供了更高的性能和可靠性。與傳統硅基IGBT模塊相比，CoolSiC? MOSFET XHP2模塊具備更高的電流密度、低損耗、高頻開關能力和卓越的可靠性，適用于更為苛刻的高壓應用。

XHP2模塊的核心優勢體現在其高電流密度和低導通損耗，導通電阻低至1.9mΩ，支持高達4kHz的開關頻率，能有效減少變壓器和電機的損耗，提升系統效率。同時，.XT互連技術通過采用銅鍵合線、鋁氮陶瓷基板和銀燒結技術，大幅提升了模塊的可靠性和散熱能力。該模塊的浪涌電流耐受能力可達到10000A，短路耐受能力為2500A，并且在高溫高電流下仍能保持穩定運行。與傳統SiC模塊相比，XHP2模塊在功率循環壽命方面有顯著提升，能夠在嚴苛的環境下長時間穩定工作，成為高壓應用中的新標桿。

總之，英飛凌3.3kV CoolSiC? XHP2模塊通過.XT技術實現了在高電流、高頻率和高可靠性等方面的突破，為軌道交通、風電變流器及工業驅動等高壓應用提供了高效、可靠的解決方案。

英飛凌推出采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

英飛凌新推出的EasyPACK? 2C系列模塊采用第二代CoolSiC? MOSFET技術，集成NTC溫度傳感器和大電流PressFIT引腳，預涂2.0代導熱界面材料，適用于1200V、8mΩ三電平模塊、8mΩ四單元模塊和13mΩ四單元模塊。其產品型號包括F4-13MXTR12C1M2_H11、F3L8MXTR12C2M2_H11等。

該系列采用創新的封裝技術和.XT擴散焊技術，提供高可靠性和更長使用壽命，具備更高效率、耐高溫能力和更寬的柵源電壓窗口，適用于DC-DC變換器和電動汽車充電設施。模塊在功率循環能力、系統集成和高功率密度方面具有顯著競爭優勢。

英飛凌推出第二代CoolSiC MOSFET G2 1400V

英飛凌第二代1400V CoolSiC MOSFET G2 采用TO-247PLUS-4回流焊封裝，適用于電動汽車充電、儲能系統和工業變頻器等高功率輸出應用。其封裝支持回流焊工藝，耐高溫且能承受三次焊接循環，顯著提升熱管理、功率密度和系統可靠性。該器件具有極低的開關損耗、耐高溫、抗寄生導通能力強等特點，適合高峰值電流、過載及瞬態過載條件下的應用。

該產品廣泛應用于商用、工程和農用車輛、電動汽車充電設施、儲能系統、UPS、不間斷電源、逆變器和變頻驅動器等領域，提升系統功率密度和效率，簡化系統設計，并提供高可靠性和耐用性。

Navitas納微

納微推出3300V/2300V超高壓SiC全系產品組合

納微近日發布了全新的3300V與2300V超高壓（UHV）GeneSiC碳化硅功率半導體產品，基于其自主研發的溝槽輔助平面柵技術與先進封裝，旨在提升AI數據中心、電網、能源基礎設施及工業電氣化系統的效率與壽命。這些新型SiC MOSFET采用第四代GeneSiC?平臺，優化了電壓特性、耐壓能力及長期可靠性，并提供多種封裝形式，如SiCPAK? G+功率模塊和分立器件，以滿足不同應用需求。SiCPAK? G+模塊通過環氧樹脂灌封技術、氮化鋁基板與大電流壓接引腳，顯著提升了功率循環壽命與熱沖擊可靠性。

為了確保系統長期可靠性，納微還推出了行業首創的AEC-Plus*可靠性驗證基準，遠超AEC-Q101與JEDEC標準，包括擴展的動態與靜態測試、溫度循環和功率循環測試。新產品同時提供KGD（裸片）服務，采用嚴格的生產篩選流程，以確保高品質與可靠性。

ROHM羅姆

羅姆推出適用AI服務器領域的小尺寸MOSFET

羅姆推出的RS7P200BM是一款采用小型DFN5060-8S封裝的功率MOSFET，相比于DFN8080-8S封裝的RY7P250BM，該新產品實現了更高密度的安裝。它在VDS=48V的工作條件下，脈沖寬度為10ms時支持7.5A，1ms時支持25A，具有較寬的SOA范圍。此外，其低導通電阻（RDS(on)）為4.0mΩ，有助于抑制通電時的發熱，提高服務器電源的效率，減輕冷卻負荷，降低電力成本。

該產品自2025年9月起開始量產，樣品價格為800日元（不含稅），并通過電商平臺銷售。ROHM計劃繼續擴展其48V電源產品陣容，為AI服務器等應用提供高效且可靠的解決方案，助力節能和可持續ICT基礎設施建設。

應用場景包括48V系統AI服務器和數據中心電源、工業設備電源（如叉車、電動工具、機器人等）、AGV等電池驅動設備及UPS應急電源系統等。

SILICON MAGIC芯邁

芯脈面向AI服務器領域推出100V寬SOA MOSFET

芯邁半導體今日發布的100V N溝道功率MOSFET SDH10N1P8TA-AA，憑借其1.3mΩ超低導通電阻（RDS(on)）和60V/10ms工況下的8A安全工作區（SOA），為高效率電源設計提供了卓越性能，尤其適用于AI服務器熱插拔電路，確保系統在極端條件下的可靠性。

該產品在能效上取得突破，RDS(on)僅為1.3mΩ，相較行業平均水平降低了13%，有效降低穩態導通損耗，提高電源轉換效率，助力數據中心優化電源使用效率（PUE）并減輕散熱負擔。其寬SOA設計進一步提升了在熱插拔場景下的安全性，能夠承受8A電流，避免熱擊穿風險。采用通用TOLL封裝，具備良好的兼容性，客戶無需修改PCB即可直接替換，加快產品落地速度。同時，產品已進入試樣階段，具有大規模供貨能力，滿足云服務商對供應鏈高韌性的需求。

SK時科

時科推出SOD-323G肖特基二極管

時科推出的 B5819WS 肖特基二極管，采用 SOD-323G 超小封裝設計，專為小型高效電路打造。其低正向壓降（VF）、低功耗、高頻特性和優異的可靠性使其成為便攜式電子設備、電源模塊、以及高速切換電路的理想選擇。B5819WS 的超低 VF、快速恢復特性和高穩定性，特別適合在消費類電子和工業控制設備中的高頻開關電源應用。

B5819WS 在低電壓和高頻工作下，提供極低的能量損耗，并有效提高電池續航與系統效率。它的最大反向電壓為40V，最大正向電流為1A，且具有20A峰值浪涌電流能力。其低反向漏電流（≤5μA）和小尺寸（2.6 × 1.6mm）使其能夠在高密度PCB布局中廣泛應用。高溫反偏、溫度循環等可靠性測試驗證了其在嚴苛環境中的穩定性。

B5819WS 可廣泛應用于 DC-DC 轉換器、USB電源管理、電池保護系統、LED驅動電路、家電與工業控制等多個領域，。

Toshiba東芝

東芝推出高速體二極管技術加持的新型功率MOSFET

東芝推出的新一代DTMOSVI（HSD）系列650V功率MOSFET通過高速二極管與先進超結結構的結合，優化了反向恢復特性，顯著降低了開關損耗。這一創新技術使得MOSFET具備低損耗、高穩定性和快速開關三大核心優勢，突破了傳統功率MOSFET的性能極限。在與現有標準器件對比時，特別在反向恢復特性、靜態功耗和綜合表現上，DTMOSVI系列展現了更優的效率和功率密度。

該系列包括TK042N65Z5和TK095N65Z5兩款產品，前者在低導通電阻上表現出色，后者則以更快的反向恢復時間和更低的柵極-漏極電荷，在高頻開關應用中表現卓越。兩款產品均采用TO-247封裝，適用于高頻應用，廣泛應用于工業電源、開關電源、電動汽車充電站、光伏發電系統等領域。東芝未來將進一步擴展產品線，提供更多封裝選項，推動高效電力電子設備的發展。

東芝的新型MOSFET產品憑借其高速體二極管技術和優化設計，解決了傳統功率MOSFET在電源系統中的效率瓶頸，成為高效率、可靠性和功率密度要求高的電力電子設計的理想選擇。

Vishay威世

威世推出兩款MAACPAK PressFit封裝1200V SiC MOSFET功率模塊

Vishay推出了兩款新型1200V SiC MOSFET功率模塊，分別為VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，適用于汽車、能源、工業和通信系統中的高頻應用。VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲，導通電阻為38mΩ，連續漏極電流為35A；VS-MPX075P120采用三相逆變器拓撲，導通電阻為75mΩ，連續漏極電流為18A。

上述模塊集成了新一代SiC MOSFET、NTC熱敏電阻和SiC二極管，能有效降低開關損耗、提高效率，適合光伏逆變器、電動汽車充電器等應用。兩款模塊采用薄型MAACPAK PressFit封裝，具備低寄生電感和EMI，增強可靠性，符合RoHS標準，適應高溫環境，工作結溫可達+175°C。

充電頭網總結

功率半導體行業正不斷邁向新的高度，各大廠商通過技術創新和工藝突破，推動著產品的高效能與高可靠性。這些新品在各自應用領域的表現也為行業的未來發展提供了新的方向，無論是在AI服務器、電動汽車、還是工業電力系統中，它們都發揮著關鍵作用。隨著更多先進技術的投入使用，未來的功率半導體將在節能、效能、壽命等方面實現更大的突破，為全球能源管理和智能化發展提供更強的支持。

本文內容基于各品牌公開新品信息進行整理，如有疏漏，敬請諒解。