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12月30日消息，臺積電已經開啟了N2 2nm工藝的大規模量產，不過非常低調，沒有任何官宣，但和此前制定的進度計劃完全相符。
臺積電官網的2nm工藝專業題頁面有這么一句：“臺積電2nm技術已按計劃于2025年第四季度投入量產。”
明年，臺積電N2的產能將快速爬坡，迎接各家產品，包括NVIDIA、AMD、蘋果、高通、聯發科都會用它。N2是臺積電首個應用GAA(環繞柵極納米片晶體管)的制程節點，有些類似Intel RibbonFET。
該技術通過柵極完全包裹由水平堆疊納米片構成的導電溝道，優化了靜電控制效果，降低了漏電率，從而在不犧牲性能與能效的前提下進一步縮小晶體管尺寸，實現密度提升。
臺積電N2工藝是該公司首款采用納米片Nanosheet技術的GAA（環繞柵極）晶體管工藝，被視為半導體制造技術的又一次革命性飛躍。臺積電官方宣稱，N2將成為業界在密度和能源效率上最先進的半導體技術，為全制程節點提供顯著的性能及功耗進步。
對比前代N3E工藝，N2工藝在多個關鍵指標上實現突破：晶體管密度提升1.15倍，功耗可降低24%-35%，性能提升15%。此外，N2工藝的SRAM密度達到37.9Mb/mm2，創下業界新紀錄，為高性能計算和人工智能應用提供了更強有力的硬件支持。作為臺積電目前最先進的工藝，N2的代工價格也相當可觀。據行業消息人士透露，N2工藝初期晶圓代工價格將達到每片3萬美元，折合人民幣超過20萬元。這一高昂的價格意味著只有財力雄厚的大廠才能負擔得起，進一步鞏固了臺積電在高端制程市場的領先地位。
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