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本文由半導體產業縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
8英寸碳化硅的通線和12英寸高端模擬集成電路產線的開工建設,將進一步完善士蘭在化合物半導體和高端模擬芯片領域的自主制造能力。
1月4日,杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線通線儀式暨12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產線項目開工典禮”。士蘭微電子董事長陳向東,副董事長、總裁鄭少波,副董事長、制造事業總部總裁范偉宏分別致辭,中國半導體行業協會執行秘書長王俊杰致辭祝賀。來自全國各地的客戶及嘉賓齊聚一堂,共同見證士蘭微電子在第三代半導體和高端模擬芯片領域的能級躍升。
此次通線的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線,是士蘭微電子自主研發且規模化量產的8英寸碳化硅芯片生產線,成功突破了8英寸碳化硅晶圓在制造過程中的多項核心工藝難題,標志著士蘭微電子在第三代半導體領域實現從技術突破到規模化交付的關鍵跨越。項目總投資120億元人民幣,分兩期建設,全部達產后將形成年產72萬片8英寸SiC芯片的生產能力。
此次通線的一期項目計劃于2026年至2028年逐步實現產能爬坡,達產后可形成年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。該產線將重點服務于新能源電動汽車、光伏、儲能、充電樁、大型白電、AI服務器電源、工業電源等應用場景,助力客戶提升系統能效與功率密度。
同步開工的12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產線項目,規劃投資100億元人民幣,聚焦汽車、大型算力服務器、機器人、風光儲、工業、通訊等高端應用,計劃于2027年四季度初步通線,并于2030年實現達產,屆時將形成年產24萬片12英寸模擬集成電路芯片的生產能力。項目的二期規劃將在一期基礎上再投資100億元人民幣,兩期建設全部完成后,將共同形成年產54萬片12英寸高端模擬集成電路芯片的生產能力。該項目的建設,將進一步強化士蘭微電子在特色工藝與高端模擬芯片領域的自主制造能力。
士蘭微電子董事長陳向東表示,兩條產線的推進,不僅是產能的擴充,更是我們與客戶構建技術協同、供應穩定、響應敏捷的合作體系的重要基礎。士蘭將持續投入研發,優化工藝,致力于成為客戶值得信賴的“芯片伙伴”。公司副董事長、制造事業總部總裁范偉宏在介紹項目進展時強調,8英寸碳化硅的通線和12英寸高端模擬集成電路產線的開工建設,是士蘭發展歷程中的重大里程碑,將進一步完善士蘭在化合物半導體和高端模擬芯片領域的自主制造能力,更好地為各位客戶在系統集成與性能優化方面提供堅實、靈活的解決方案。
中國SiC梯隊格局清晰,規模擴張加速
國內8英寸SiC襯底企業已形成“頭部引領、腰部跟進、尾部追趕”的明確產能梯隊。
第一梯隊以天岳先進、天科合達、三安光電為代表,具備大規模量產能力,產能規模超10萬片/年,且產品通過國際主流客戶驗證,占據主要市場份額。其中天岳先進2024年以8英寸為主的襯底產能達46萬片/年,2025年目標總產能提升至60萬片/年,上海臨港工廠2024年年中已提前達成年產30萬片導電型襯底產能,目前正推進二階段產能提升,濟南、濟寧基地與臨港基地形成協同供應;天科合達2024年已實現8英寸襯底大規模生產,2025年襯底總產能規劃達50-80萬片(含8英寸),外延片產能25萬片,北京、徐州基地為核心,深圳合資公司重投天科進一步補強6-8英寸襯底及外延產能,且8英寸產品已通過國內外主流器件廠商驗證并獲得多年LTA量產訂單;2025年上半年,三安光電湖南基地8英寸襯底產能達1000片/月,外延產能2000片/月,重慶基地與意法半導體合資布局,規劃8英寸襯底產能48萬片/年,2025年2月已通線并交付樣品驗證。
第二梯隊企業以爍科晶體、南砂晶圓、晶盛機電(子公司浙江晶瑞)為代表,已實現小批量或規模化生產,產能規模在5-10萬片/年。爍科晶體2024年10月二期項目投產后,新增6-8英寸襯底20萬片/年,4-8英寸總產能躍居全球前三,太原基地為核心生產陣地;南砂晶圓2024年濟南北方基地8英寸項目正式投產,當年產能達5萬片/年,2025年規劃將8英寸產能提升至50萬片/年,形成廣州、中山、濟南三地布局;晶盛機電2024年底8英寸襯底產能達3000片/月(約3.6萬片/年),2025年規劃提升至6萬片/年,寧夏創盛年產60萬片8英寸襯底配套項目于2025年7月開工,馬來西亞檳城基地一期還規劃24萬片/年8英寸產能,國際國內產能協同推進。
第三梯隊企業如科友半導體、天成半導體等,完成技術攻關后進入小批量試產或送樣階段,產能規模低于5萬片/年。科友半導體2025年8英寸產能為5000片/年,二期規劃擴至數萬片/年,2023年已通過“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發及產業化工藝研究”項目階段驗收,具備批量制備能力;天成半導體2025年一季度實現8英寸批量生產,一期規劃產能5萬片/年(含6/8英寸),太原基地自研8英寸加工工藝,產品質量達國內領先水平。
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