CES2026芯觀察：2納米爭霸、AI博弈與內存漲價應對戰

每年開年之際舉行的CES 國際消費電子展不僅是消費電子廠商的展示舞臺，也是芯片大廠之間的競技場。去年，英特爾、AMD、英偉達、高通、Arm這幾大芯片巨頭就輪番上場，吸足了目光。今年在內存價格暴漲、2 納米工藝量產、AI軍備大戰延續等熱點話題催動下，芯片領域的動態依然占據著CES舞臺的中心。

AI芯片博弈，從云端走向邊緣

如果說2025年的AI芯片競爭聚焦于數據中心的算力比拼，2026年的CES則呈現“云端深耕+邊緣爆發”的雙重格局。英特爾、AMD、英偉達、高通等巨頭紛紛瞄準AI PC、AI座艙、物理AI（機器人、AR眼鏡）等落地場景，通過新品發布與生態協同，爭奪全場景AI算力主導權。

英偉達雖未占據CES官方核心演講位，卻依然是焦點所在。黃仁勛在密集的行程中，重點強調了人工智能的新趨勢，發展重心正從純粹的“數字智能”邁向與物理世界交互的“物理AI”。演講中，黃仁勛詳細闡述了AI能力演進的下一個關鍵階段：從大語言模型的“記憶與生成”邁向智能體（Agent）的“推理與行動”。他解釋，早期模型會產生“幻覺”，是因為它們缺乏在回答前進行“基礎研究”的能力。而現代智能體框架能夠進行思維鏈推理，主動規劃步驟、調用工具，從而解決從未被明確訓練過的新問題。

AMD董事會主席兼CEO蘇姿豐發表了本屆CES的開幕主題演講。她表示，全球計算基礎設施的需求從2022年的月1 ZettaFLOPS增長到2025年的超100 ZettaFLOPS。未來需要將全球計算能力再增加100倍，也就是到YottaFLOPS級別，這也意味著每秒可完成10的24次方次浮點運算。

技術新品依然是CES的重點。英偉達在CES2026期間正式推出了最新的Rubin平臺。Rubin平臺由六款全新芯片組成，通過Vera CPU、Rubin GPU、NVLink 6交換器、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU與Spectrum-6以太網絡交換器的協同設計，整合成一臺AI超級計算機，可大幅縮短AI訓練時間并降低推理Token生成成本。黃仁勛表示這些產品“已經全面投產”。

英特爾發布了首款基于Intel 18A制程（2nm級）的計算平臺——第三代酷睿Ultra系列處理器（代號Panther Lake）。其旗艦型號最高配備16個CPU核心、12個Xe核心和50TOPSNPU算力，帶來高達60%的多線程性能提升。

AMD同樣發布多款新品，包括新一代AI芯片MI455X GPU、Ryzen AI 400系列處理器、Ryzen AI Max+系列新款處理器、AI開發平臺Ryzen AI Halo等。蘇姿豐還透露了AMD未來兩年芯片路線圖：下一代MI500系列有望在2027年推出，基于CDNA 6架構、搭載HBM4e、采用2nm工藝。

高通宣布推出面向主流商務本和輕薄本市場的X2 Plus平臺，搭載第三代 Oryon CPU（最高主頻4.0GHz），分為10核和6核兩個版本，并配備新一代Adreno GPU與Hexagon NPU。10核版本 CPU單核性能較前代平臺提升35%、多核性能提升17%，GPU性能提升29%，NPU性能提升78%。

量產啟動，2納米開啟爭霸賽

2026年的CES標志著半導體行業正式邁入“2納米時代”的量產競速戰。18A工藝是英特爾在本屆CES上的核心展示之一。英特爾表示，18A首家在?規模量產節點上結合了全柵極環繞與背?供電，將芯片的能效和密度推向新的高度。全柵極環繞讓架構師能夠更精確地控制電流，背?供電提升了電力傳輸和信號完整性。相比Intel 3，Intel 18A每瓦性能提?15%以上，晶體管密度提升了30%。英特爾希望通過這款產品驗證其代工服務（IFS）的競爭力，爭取蘋果、亞馬遜等外部客戶，同時，英特爾也已經開始研發更先進的14A等技術。

臺積電在2025年第四季度已啟動2納米（N2）工藝量產，成為首家基于全柵極環繞架構提供代工服務的廠商。盡管臺積電并未披露具體客戶名單，但行業普遍推測，蘋果、高通等核心客戶的下一代產品將依托其2納米工藝落地。CES期間其合作伙伴的新品亦陸續釋出相關產品信號。

三星亦于2025年12月宣布基于2納米GAA工藝的移動應用處理器Exynos 2600正式量產。但良率提升仍是其核心挑戰。行業消息顯示，高通、AMD正在評估三星2納米工藝，特斯拉等AI芯片需求大戶的訂單態度，將成為三星能否扭轉局勢的關鍵。CES2026上，三星或通過Exynos 2600的終端適配產品，展示其2納米工藝的商業化成果。

內存漲價，存儲成關注重點

2026年消費電子市場的最大變量，莫過于內存價格的暴漲。受AI服務器需求激增影響，三星、SK海力士等內存廠商將70%產能轉向高毛利的HBM、DDR5產品，導致消費級內存結構性缺貨，2025年DDR4在半年內漲幅超過200%，移動端LPDDR5X內存價格漲幅超40%。這一趨勢直接推高消費電子成本。存儲產品相關動態也成為本屆CES上的關注重點。

SK海力士在CES上設立專屬客戶展館，集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案，包括下一代HBM產品“16層 48GB HBM4”。這是12層 36GB HBM4之后的后續版本，目前正根據客戶需求穩步推進研發工作。除HBM之外，SK海力士還將重點展出面向AI服務器的低功耗內存模組SOCAMM2，端側AI場景的LPDDR6、321層2Tb（太比特）QLC產品等。

芯片大廠則通過技術升級推動內存效率提升。例如，英偉達 RTX 50 Super系列采用更高速率的GDDR7顯存，在提升帶寬的同時優化能效；英特爾、AMD則通過Chiplet封裝技術，實現內存資源的靈活分配，提升利用效率。CES2026上，這些技術方案的展示，將為行業指明內存漲價周期下的技術破局方向。

從2納米工藝的量產競速，到AI芯片的全場景卡位，再到內存漲價下的技術演變，都是全球半導體產業重構的縮影。對于行業而言，本屆CES不僅是技術與產品的展示，更是尋找成本與創新、短期利益與長期布局平衡點的契機。