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1月12日消息，據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的缺貨漲價(jià)潮，已從上游晶圓制造蔓延至下游封測(cè)領(lǐng)域。
隨著DRAM和NAND Flash芯片大廠全力沖刺出貨，力成、華東、南茂等存儲(chǔ)封測(cè)廠訂單涌進(jìn)，產(chǎn)能利用率直逼滿載，近期陸續(xù)調(diào)升封測(cè)價(jià)格，漲幅可達(dá)三成。
相關(guān)封測(cè)廠透露，訂單實(shí)在太多，后續(xù)不排除啟動(dòng)第二波漲價(jià)。分析指出，封測(cè)報(bào)價(jià)上漲后，漲價(jià)效益將從第一季度開(kāi)始逐步反映在財(cái)報(bào)中，若后續(xù)啟動(dòng)第二波漲價(jià)，2026年將成為存儲(chǔ)封測(cè)行業(yè)“價(jià)量齊升”的一年，相關(guān)企業(yè)的業(yè)績(jī)有望大幅增長(zhǎng)。
對(duì)于漲價(jià)話題，被點(diǎn)名的封測(cè)廠均表現(xiàn)得相當(dāng)?shù)驼{(diào)，僅強(qiáng)調(diào)報(bào)價(jià)會(huì)根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)行彈性調(diào)整。
業(yè)界分析認(rèn)為，此輪漲價(jià)潮的背后推手是三星、SK海力士、美光等三大存儲(chǔ)芯片廠全力擴(kuò)充AI用的HBM產(chǎn)能。
這些廠商將資源集中在先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝上，導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與NAND芯片產(chǎn)出受限，舊規(guī)格產(chǎn)品供給愈發(fā)緊張。
此外國(guó)內(nèi)也有多家封測(cè)公司曾表示，2025年Q4需求旺盛，產(chǎn)能利用率得到提升。
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