存儲芯片“貧富差距”拉大，贏家輸家到底怎么選？

人工智能浪潮正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)的估值邏輯，隨著AI驅(qū)動的需求爆發(fā)，存儲芯片市場正經(jīng)歷一場顯著的分化。

據(jù)追風(fēng)交易臺，摩根士丹利1月20日發(fā)布的研報顯示，在2026年上半年，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）價格同比持續(xù)走高，但這并非一場“雨露均沾”的盛宴。市場正迅速劃分為兩大陣營：受益于AI推理和高性能計算需求的“贏家”，以及受制于宏觀逆風(fēng)與成本通脹的“輸家”。

大摩分析，AI帶來的技術(shù)通脹正在加劇供應(yīng)鏈的成本壓力，導(dǎo)致存儲芯片與傳統(tǒng)硬件制造商之間的“貧富差距”拉大。分析師指出，AI不僅推動了對HBM（高帶寬存儲器）和企業(yè)級SSD的強勁需求，甚至導(dǎo)致DDR4等傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品也出現(xiàn)持續(xù)短缺。然而，這種上游存儲成本的上漲，對于下游PC和智能手機OEM廠商而言，正演變?yōu)閲?yán)峻的利潤阻力。

在這場“K型”復(fù)蘇中，投資者應(yīng)高度關(guān)注那些處于AI供應(yīng)鏈核心位置的企業(yè)。大摩明確將SK海力士、三星以及閃迪公司等列為“最受青睞”的標(biāo)的，理由是它們直接受益于AI驅(qū)動的大宗商品周期和NAND超級周期。相反，對于無法將上漲的存儲成本轉(zhuǎn)嫁給消費者的傳統(tǒng)PC外設(shè)和OEM廠商，如宏碁和羅技，市場前景則依然承壓。

這一趨勢的核心邏輯在于AI的“擠出效應(yīng)”。隨著晶圓廠和供應(yīng)鏈優(yōu)先保證AI相關(guān)芯片的生產(chǎn)，非AI領(lǐng)域的產(chǎn)能受到擠壓，導(dǎo)致從高端HBM到傳統(tǒng)DDR4的全面供應(yīng)緊張。對于投資者而言，理解這一供需錯配是布局2026年半導(dǎo)體市場的關(guān)鍵。

贏家：AI浪潮下的核心資產(chǎn)

在存儲芯片領(lǐng)域，AI無疑是當(dāng)前最強勁的催化劑。大摩的研報指出，受益于AI服務(wù)器和推理需求的激增，具備高端存儲技術(shù)和產(chǎn)能的供應(yīng)商正迎來估值重估。

SK海力士和三星被列為首選，其上漲潛力分別達到13%和14%。這一判斷基于兩者在HBM市場的主導(dǎo)地位以及整體商品周期的改善。與此同時，NAND市場也迎來了由AI推理需求支撐的“超級周期”。閃迪公司和KIOXIA因其在企業(yè)級SSD領(lǐng)域的潛力而被看好。分析顯示，AI存儲需求導(dǎo)致NAND出現(xiàn)短缺，甚至NOR Flash的供應(yīng)不足也可能持續(xù)至2026年。

除了直接的存儲芯片制造商，半導(dǎo)體設(shè)備（SPE）廠商同樣是這場盛宴的受益者。阿斯麥（ASML）因EUV層數(shù)的增加而受益，目標(biāo)價看漲至1400歐元，上漲空間達25%。日本設(shè)備商如Advantest和DISCO，由于其產(chǎn)品在HBM制造過程中不可或缺，也被視為高增長標(biāo)的。

此外，大中華區(qū)的科技企業(yè)中，臺積電（TSMC）依然是毫無爭議的核心。作為AI邏輯芯片的代工霸主，TSMC不僅在先進封裝（CoWoS）產(chǎn)能上計劃激進擴張，其2026年的資本支出和結(jié)構(gòu)性利潤率改善也十分強勁。大摩預(yù)計，隨著英偉達 Rubin芯片在2026年放量，以及Apple A20處理器采用N2工藝，TSMC將繼續(xù)在高端制程領(lǐng)域保持統(tǒng)治力。

輸家：成本通脹下的受困者

與上游存儲廠商的狂歡形成鮮明對比的是，處于下游的硬件OEM廠商正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。大摩分析師警示，存儲成本的通脹正在被視為全行業(yè)的挑戰(zhàn)，特別是對于那些缺乏定價權(quán)的消費電子品牌。

宏碁被列為“最不受青睞”的股票之一，目標(biāo)價僅為20新臺幣，潛在下跌空間達25%。核心原因在于，存儲組件價格的上漲無法完全轉(zhuǎn)嫁給終端消費者，這將直接侵蝕OEM廠商的利潤率。同樣，惠普和戴爾也面臨類似的逆風(fēng)，盡管它們也在嘗試涉足AI PC，但短期內(nèi)存儲成本的上升仍是主要的負面因素。

這一壓力同樣波及到了外設(shè)和射頻（RF）領(lǐng)域。羅技SA被認為將受到存儲通脹的沖擊，這些成本不僅未能被宏觀經(jīng)濟的逆風(fēng)所抵消，反而加劇了經(jīng)營壓力。射頻巨頭Qorvo和Skyworks Solutions也因高企的成本可能抑制下游硬件需求而被看淡，分析認為這將導(dǎo)致需求進一步疲軟。

供需錯配：不僅是高端芯片的短缺

值得注意的是，AI帶來的影響并不僅限于高端芯片，它正在對整個存儲供應(yīng)鏈產(chǎn)生連鎖反應(yīng)。大摩的研究強調(diào)了一個關(guān)鍵現(xiàn)象：DDR4的短缺將持續(xù)至2026年下半年。

這一短缺并非因為DDR4本身的需求激增，而是因為供應(yīng)鏈的產(chǎn)能被AI相關(guān)的高端產(chǎn)品（如HBM和DDR5）擠占。隨著晶圓廠優(yōu)先生產(chǎn)高利潤的AI芯片，傳統(tǒng)DDR4和DDR3的產(chǎn)能分配被削減，導(dǎo)致供應(yīng)緊張，價格隨之上漲。這對中國臺灣的Winbond Electronics（華邦電）和Nanya Technology（南亞科）等專注于利基型存儲的廠商構(gòu)成了利好，因為它們擁有更好的定價權(quán)。

此外，AI存儲需求還導(dǎo)致了NAND晶圓現(xiàn)貨價格和模組價格的上漲。隨著云服務(wù)提供商（CSP）的資本支出在2026年預(yù)計達到6320億美元，用于AI訓(xùn)練和推理的數(shù)據(jù)中心建設(shè)將消耗大量存儲資源。這不僅推高了企業(yè)級存儲的價格，也帶動了消費級NAND定價的回暖，使得中國臺灣Phison Electronics Corp（群聯(lián)電子）和Silicon Motion（慧榮科技）等控制器廠商從中受益。

長線邏輯：萬億市場的崛起

展望未來，大摩重申了對AI半導(dǎo)體市場的長期看好。英偉達 CEO曾預(yù)測全球云資本支出在2028年將達到1萬億美元，而大摩的數(shù)據(jù)也支持這一趨勢，認為到2030年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模可能觸及1萬億美元大關(guān)。

在這一宏大敘事下，技術(shù)通脹、AI的自我蠶食和技術(shù)擴散將是主導(dǎo)市場的三大驅(qū)動力。雖然DeepSeek等新興AI模型展示了更低成本的推理能力，但這并未改變整個行業(yè)對高性能計算和海量存儲的依賴。

對于投資者而言，當(dāng)下的策略非常清晰：擁抱那些擁有核心技術(shù)、產(chǎn)能被AI需求填滿的上游供應(yīng)商，規(guī)避那些處于產(chǎn)業(yè)鏈下游、受困于成本上漲且缺乏轉(zhuǎn)嫁能力的硬件組裝商。存儲芯片價格不僅是行業(yè)周期的溫度計，更是區(qū)分市場贏家與輸家的分水嶺。