北京
（AI云資訊消息）智能手機芯片組通過真空腔均熱板散熱技術已得到有效控制，但局限也日益凸顯。像第五代驍龍8至尊版系統級芯片（SoC）為了達到更高的頻率以獲得更優異的單核與多核性能，卻以隨之攀升的發熱為代價。
2026年，高通預計將推出第六代驍龍8至尊版Pro與第六代驍龍8至尊版。得益于臺積電新一代2納米N2P制程工藝的加持，這兩款芯片有望實現更高運行頻率，但同樣將觸及既有的散熱性能瓶頸。
據報道，高通或將推出兩個版本，其中第六代驍龍8至尊版Pro憑借更高規格調校的性能核心有望實現更卓越表現，同時還將支持LPDDR6內存與UFS 5.0存儲等升級方案。
第六代驍龍8至尊版Pro的主頻或許將達到5.0GHz，而目前第五代驍龍8至尊版性能核心頻率已達4.61GHz，這樣新一代芯片的突破更顯值得期待。
即將發布的Galaxy S26系列可能搭載的版本，其主頻有望提升至4.74GHz。隨著高通旗艦芯片逐步逼近5.00GHz頻率大關，第六代驍龍8至尊版Pro很可能成為首款觸及該里程碑的芯片平臺。那么這款系統級芯片如何實現此項突破，或許會應用三星Heat Pass Block（HPB）散熱技術。
該散熱技術與三星Exynos 2600所用方案是同樣的，散熱效能提升非常顯著，足以讓第六代驍龍8至尊版Pro在實現5.0GHz高頻運行的同時，將性能衰減控制在極低水平。而蘋果向來側重能效優化與架構革新，而非單純追求峰值性能，預計A20與A20 Pro芯片主頻將不會達到5.0GHz。
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