散熱成攔路虎：SemiWiki專家解析為何英特爾造不了iPhone芯片

IT之家 2 月 3 日消息，科技媒體 Mac Observer 昨日（2 月 2 日）發布博文，報道稱針對近期關于“蘋果將在 iPhone 中采用英特爾芯片”的傳聞，多位半導體行業專家表示該可能性幾乎為零。

此次傳聞源于 DigiTimes 的一份報道。該報道指出，蘋果正評估將英特爾 18A P 工藝用于計劃于 2027 年發布的低端 M 系列芯片，甚至可能在 2028 年用于非 Pro 版 iPhone 的芯片生產。

此外，廣發證券（GF Securities）分析師蒲得宇 Jeff Pu 補充稱，蘋果計劃于 2028 年推出的定制 ASIC 芯片也將采用英特爾的 EMIB 封裝技術。

還有消息稱英特爾已與蘋果簽署保密協議（NDA），并交付了 18A P 設計套件以供測試，該節點也是英特爾首個支持 Foveros Direct 3D 混合鍵合技術的工藝，允許芯片進行垂直堆疊。

不過 SemiWiki 論壇專家指出核心技術障礙：散熱。英特爾在 18A 和 14A 節點上全面采用了被稱為 PowerVia 的背面供電技術（BSPD）。

相比之下，臺積電則采取了更為靈活的策略，提供含 BSPD 和不含 BSPD 的多種節點供設計者選擇。專家分析，雖然 BSPD 能優化供電效率并提升性能，但其結構特性會導致芯片運行溫度升高。

行業專家 IanD 指出在保持相同芯片核心溫度（Hotspots）的前提下，采用 BSPD 技術的芯片需要散熱器溫度降低約 20°C 才能維持熱平衡。IT之家附上相關截圖如下：

其主要原因是 BSPD 結構導致垂直導熱性能變差，且由于缺乏厚硅基板，橫向導熱能力也大幅削弱。對于依賴空氣冷卻（Air Cooling）且機身空間極度受限的 iPhone 而言，這種熱積聚是致命的。

綜上所述，英特爾的先進工藝雖然在性能指標上具有競爭力，但其熱力學特性并不適合智能手機。業內普遍認為，英特爾或許有機會爭取到散熱條件相對寬松的低端 M 系列（Mac）芯片訂單，但在解決嚴重的積熱問題之前，iPhone 處理器的大門對其依然緊閉。